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1、 微分析法
7 @/ p9 s8 ]* e% W) b. @(1) 肉眼观察是微分析技术的第一步，对电子元器件进行形貌观察、线系及
3 g. a8 B t/ S8 E4 b6 s其定位失准等，必要时还可以借助仪器，例如：扫描电镜和透射电子显微镜等进
+ D( |* b8 l3 g- j( m行观察；6 e6 C1 K/ n; O: n0 H* s1 Z6 E `
(2) 其次，我们需要了解电子元器件制作所用的材料、成分的深度分布等信
; n8 c: l' v5 O息。而 AES、SIMS 和 XPS 仪器都能帮助我们更好的了解以上信息。不过，在 " e; f7 W0 H* u+ Z6 U( |7 `8 \
作 AES 测试时，电子束的焦斑要小，才能得到更高的横向分辨率；
2 ~, F. [9 V" ^: A1 v& F2 H. w(3) 最后，了解电子元器件衬底的晶体取向，探测薄膜是单晶还是多晶等对
4 F4 `% v" X; q0 C% g2 k* X- M4 b5 x其结构进行分析是一个很重要的方面，这些信息主要由 XRD 结构探测仪来获取。
: M6 S4 T: V& O2、 光学显微镜分析法
, \% Z/ J. }( s& z- k进行光辐射显微分析技术的仪器主要有立体显微镜和金相显微镜。将其两
% B& _: k/ f' e+ C/ k7 X者的技术特点结合使用，便可观测到器件的外观、以及失效部位的表面形状、结
" ^% w$ H" _, P& Z4 r构、组织、尺寸等。亦可用来检测芯片击穿和烧毁的现象。此外我们还可以借助
8 g& ~6 g" N# ^具有可提供明场、暗场、微干涉相衬和偏振等观察手段的显微镜辅助装置，以适 - c: v/ [# c8 |( V6 o+ L
应各种电子元器件失效分析的需要。 % W: q+ k6 U! P$ h9 A1 ]: A4 I
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附件：
典型电子元器件失效分析方法.pdf
(86.49 KB, 下载次数: 2)
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发表于 2021-10-18 11:28
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发表于 2021-10-18 15:52
