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2019-2025年中国电子元件制造行业市场分析及投资可行性研究报告

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发表于 2021-10-12 11:09 | 只看该作者 回帖奖励 |正序浏览 |阅读模式

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# H5 ~% T2 M) E$ b: J- U失效定义6 r. I' R1 j; i3 C, q! Z! f
1特性剧烈或缓慢变化6 L& L0 Q, T0 _* R" J. n* d
2不能正常工作3 @. k3 J- S) j; g
3不能自愈失效种类0 `: N% [8 p4 _
1致命性失效:如过电应力损伤2缓慢退化:如MESFET的IDSS下降
! N0 M6 S; w8 f, D8 d+ Y3间歇失效:如塑封器件随温度变化间歇失效  _, _  f8 S( `+ x$ q% w  ~& z- E' e
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- T4 m. R4 a( t0 N' U0 E7 z
) r' H) W  v  l$ q6 _, D5 e; C
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: e: w  J+ f. G3 R附件: IC电子元器件失效分析.zip (333.7 KB, 下载次数: 0) ' N$ b% }7 {) p3 F

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2#
发表于 2021-10-12 11:27 | 只看该作者
; y5 D1 \3 H0 t2 d
z 应力-时间模型(反应论模型)
( Q. z# {( R2 Z2 K) u- M- L失效原因:应力的时间累积效应,特性变化超
* i  e/ b* ^) C$ ~差。如金属电迁移、腐蚀、热疲劳
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