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芯片可靠性测试要求及标准解析

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  • TA的每日心情

    2019-11-20 15:22
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    [LV.1]初来乍到

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    发表于 2021-7-16 09:56 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |正序浏览 |阅读模式

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    本帖最后由 mutougeda 于 2021-7-16 09:57 编辑
    6 ?) i1 N) _8 q  r" n$ ]" C8 e3 i2 T4 A  \6 {* a( b4 f# D
    芯片可靠性测试要求都有哪些?华碧实验室通过本文,将为大家简要解析芯片可靠性测试的要求及标准。+ C0 t- @- d4 w0 q- q) X
    ) s4 T: W) f0 ]+ N& ~; D2 F
    大多数半导体器件的寿命在正常使用下可超过很多年。但我们不能等到若干年后再研究器件;我们必须增加施加的应力。施加的应力可增强或加快潜在的故障机制,帮助找出根本原因,并帮助 TI 采取措施防止故障模式。; J3 ?8 g1 y, K& |: I
    0 p7 q( ^* p6 Q- H- w& S0 Z
    在半导体器件中,常见的一些加速因子为温度、湿度、电压和电流。在大多数情况下,加速测试不改变故障的物理特性,但会改变观察时间。加速条件和正常使用条件之间的变化称为“降额”。
    $ `8 f  w* q# h; d' |
    . @' M0 h- ^: X7 X! u, Z/ z7 w' O+ F' n4 \
    & g% L, V" s8 d4 c. D, P$ x* |3 ]" d% X/ M  O
    高加速测试是基于 JEDEC 的资质认证测试的关键部分。以下测试反映了基于 JEDEC 规范 JEP47 的高加速条件。如果产品通过这些测试,则表示器件能用于大多数使用情况。
    # h' i2 w3 U3 Y6 b/ E+ V. R6 Q  c5 s! D

    1 M' P% C0 E3 Q1 i0 i6 w6 k# J9 i* B
    温度循环
    2 w' R- P) I1 ~% G. T1 d7 J% N# a+ i* @6 Z8 B; g
    根据 JED22-A104 标准,温度循环 (TC) 让部件经受极端高温和低温之间的转换。进行该测试时,将部件反复暴露于这些条件下经过预定的循环次数。1 }! U6 k+ q1 G) z1 W
    0 v* j6 F6 x& Y8 t: i/ g  w
    高温工作寿命(HTOL)
    ; W6 {$ E7 e9 N
    2 l9 o+ \  ~2 \: x5 mHTOL 用于确定高温工作条件下的器件可靠性。该测试通常根据 JESD22-A108 标准长时间进行。  _1 A, ?6 T& Z
    ) a7 H5 {) X: ^5 L0 X
    温湿度偏压高加速应力测试(BHAST): E$ b' e1 W1 M

    , @$ d1 T2 B( ]; w; S; i  R3 H根据 JESD22-A110 标准,THB 和 BHAST 让器件经受高温高湿条件,同时处于偏压之下,其目标是让器件加速腐蚀。THB 和 BHAST 用途相同,但 BHAST 条件和测试过程让可靠性团队的测试速度比 THB 快得多。
    " F" v) }( ^  b) C, T5 U5 H! R7 q- u1 o/ W4 G  w$ k' ^
    热压器/无偏压HAST
    : ]5 U3 B0 |7 \5 i5 t
    0 q/ e1 `7 @- |6 U6 M+ u8 I热压器和无偏压 HAST 用于确定高温高湿条件下的器件可靠性。与 THB 和 BHAST 一样,它用于加速腐蚀。不过,与这些测试不同,不会对部件施加偏压。
    6 M: Q0 O# E; N. j5 K
    3 W, h1 }+ ?- i6 @) j高温贮存9 f3 M6 [7 \9 s9 X5 B
    & C3 B& T5 X; y1 N
    HTS(也称为“烘烤”或 HTSL)用于确定器件在高温下的长期可靠性。与 HTOL 不同,器件在测试期间不处于运行条件下。! `( s$ b5 o* Q" w. q2 d

    4 s  J- ~4 q6 ]2 _* k% G8 s5 z静电放电(ESD)% N( S! f$ \0 I: e% s0 O8 \

    9 I- z* |5 g0 O: R. `9 \$ B静电荷是静置时的非平衡电荷。通常情况下,它是由绝缘体表面相互摩擦或分离产生;一个表面获得电子,而另一个表面失去电子。其结果是称为静电荷的不平衡的电气状况。
    ' s" Z2 {1 z' Y% g" A' j( S' i
    5 l1 D- S2 b2 z/ F3 Y0 O) N当静电荷从一个表面移到另一个表面时,它便成为静电放电 (ESD),并以微型闪电的形式在两个表面之间移动。
    % c0 y4 [2 G2 v7 x; _( V
    9 \- G/ r. u  [* g当静电荷移动时,就形成了电流,因此可以损害或破坏栅极氧化层、金属层和结。
    ' x8 j- F' g0 A, u* e+ ^5 y3 k8 K( e: P" P
    JEDEC 通过两种方式测试 ESD:
    $ B2 z- J# i( u% G) z3 b% M0 \1 i! H* ]6 |
    1.人体放电模型 (HBM)
    2 }" F- E) I% C6 M8 U7 {- Y( u. P0 E1 V) g+ s' S8 A: F
    一种组件级应力,用于模拟人体通过器件将累积的静电荷释放到地面的行为。7 H4 _& S4 @0 a5 @: f2 U/ j

    ' @, _  Z" o2 `: T
    & O; z' {! @" P3 V2 p9 v7 l4 H) g& a) p, W4 w# W  @; e% V
    2.带电器件模型 (CDM)9 }, Y& r9 T! L$ E, w& a& ~8 H
    9 [: I; }5 O# k% X2 s1 s! e
    一种组件级应力,根据 JEDEC JESD22-C101 规范,模拟生产设备和过程中的充电和放电事件。
    / }) I! C' y& G' k3 V9 f5 c  Q 5 E* C" Z1 _8 L! }4 Z

    0 o. M9 ?: Z" i8 |, e( a9 W$ v- @8 A

    / ?. n8 \9 N7 c
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    2025-11-24 15:01
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    [LV.10]以坛为家III

    5#
    发表于 2021-7-16 14:18 | 只看该作者
    dddddddddddddd
    ( W$ `& |7 A+ b& G3 F' w! {% P

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    4#
    发表于 2021-7-16 13:31 | 只看该作者
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    3#
    发表于 2021-7-16 13:31 | 只看该作者
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    发表于 2021-7-16 13:30 | 只看该作者
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