基础知识：70个常见IC封装术语详解(上）

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1、BGA(ball grid array)
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8 n( g; p& L5 J& C) Q    球形触点陈列，表面贴装型封装之一。在印刷基板的背面按陈列方式制作出球形凸点用以代替引脚，在印刷基板的正面装配LSI 芯片，然后用模压树脂或灌封方法进行密封。也称为凸点陈列载体(PAC)。引脚可超过200，是多引脚LSI 用的一种封装。 封装本体也可做得比QFP(四侧引脚扁平封装)小。例如，引脚中心距为1.5mm 的360 引脚 BGA 仅为31mm 见方;而引脚中心距为0.5mm 的304 引脚QFP 为40mm 见方。而且BGA 不 用担心QFP 那样的引脚变形问题。该封装是美国Motorola 公司开发的，首先在便携式电话等设备中被采用，今后在美国有可能在个人计算机中普及。初，BGA 的引脚(凸点)中心距为1.5mm，引脚数为225。现在 也有一些LSI 厂家正在开发500 引脚的BGA。 BGA 的问题是回流焊后的外观检查。现在尚不清楚是否有效的外观检查方法。有的认为 ，由于焊接的中心距较大，连接可以看作是稳定的，只能通过功能检查来处理。 美国Motorola公司把用模压树脂密封的封装称为OMPAC，而把灌封方法密封的封装称为GPAC(见OMPAC 和GPAC)。

    2、BQFP(quad flat package with bumper)
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: y* H, Q% \9 Q! f, V7 D0 W, ]    带缓冲垫的四侧引脚扁平封装。QFP 封装之一，在封装本体的四个角设置突起(缓冲垫) 以 防止在运送过程中引脚发生弯曲变形。美国半导体厂家主要在微处理器和ASIC 等电路中 采用 此封装。引脚中心距0.635mm，引脚数从84 到196 左右(见QFP)。
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  g  a$ O% G5 {$ N7 V! ~( |    3、碰焊PGA(butt joint pin grid array) 表面贴装型PGA 的别称(见表面贴装型PGA)。

    4、C-(ceramic)
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2 o/ Y$ S/ E9 v6 r    表示陶瓷封装的记号。例如，CDIP 表示的是陶瓷DIP。是在实际中经常使用的记号。
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    5、Cerdip

+ i& E' i( c* }5 E" x1 z. i    用玻璃密封的陶瓷双列直插式封装，用于ECL RAM，DSP(数字信号处理器)等电路。带有玻璃窗口的Cerdip 用于紫外线擦除型EPROM 以及内部带有EPROM 的微机电路等。引脚中心距2.54mm，引脚数从8 到42。在日本，此封装表示为DIP-G(G 即玻璃密封的意思)。
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4 V4 L; o4 _  X; S6 [6 @    6、Cerquad

2 v6 S1 L$ Q5 R. k- X: b0 a( _; E: ~    表面贴装型封装之一，即用下密封的陶瓷QFP，用于封装DSP 等的逻辑LSI 电路。带有窗口的Cerquad 用于封装EPROM 电路。散热性比塑料QFP 好，在自然空冷条件下可容许1. 5～ 2W 的功率。但封装成本比塑料QFP 高3～5 倍。引脚中心距有1.27mm、0.8mm、0.65mm、 0.5mm、 0.4mm 等多种规格。引脚数从32 到368。

    7、CLCC(ceramic leaded chip carrier)
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; d5 u0 A2 {* L1 \3 `    带引脚的陶瓷芯片载体，表面贴装型封装之一，引脚从封装的四个侧面引出，呈丁字形。 带有窗口的用于封装紫外线擦除型EPROM 以及带有EPROM 的微机电路等。此封装也称为 QFJ、QFJ-G(见QFJ)。
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$ t* R6 k- ~. F4 @1 l0 K    8、COB(chip on board)

$ d' V7 ^: Y; Q4 }    板上芯片封装，是裸芯片贴装技术之一，半导体芯片交接贴装在印刷线路板上，芯片与 基 板的电气连接用引线缝合方法实现，芯片与基板的电气连接用引线缝合方法实现，并用树脂覆盖以确保可靠性。虽然COB是简单的裸芯片贴装技术，但它的封装密度远不如TAB 和倒片焊技术。
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, ]4 V, A# I1 X2 b& \7 X2 O    9、DFP(dual flat package)
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    双侧引脚扁平封装。是SOP 的别称(见SOP)。以前曾有此称法，现在已基本上不用。
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; L) n3 e- v! _! I    10、DIC(dual in-line ceramic package)

    陶瓷DIP(含玻璃密封)的别称(见DIP).
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$ F/ I5 _! U0 i0 ~0 G  ~    11、DIL(dual in-line)

    DIP 的别称(见DIP)。欧洲半导体厂家多用此名称。

2 K# O& e' Y+ p9 U    12、DIP(dual in-line package)
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    双列直插式封装。插装型封装之一，引脚从封装两侧引出，封装材料有塑料和陶瓷两种 。 DIP 是普及的插装型封装，应用范围包括标准逻辑IC，存贮器LSI，微机电路等。引脚中心距2.54mm，引脚数从6 到64。封装宽度通常为15.2mm。有的把宽度为7.52mm 和10.16mm 的封装分别称为skinny DIP 和slim DIP(窄体型DIP)。但多数情况下并不加区分， 只简单地统称为DIP。另外，用低熔点玻璃密封的陶瓷DIP也称为cerdip(见cerdip)。

& U9 A% o- H6 R! }( q    13、DSO(dual small out-lint)

& R8 b. m7 y, X1 ?% c    双侧引脚小外形封装。SOP 的别称(见SOP)。部分半导体厂家采用此名称。

    14、DICP(dual tape carrier package)
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" {/ l! {6 u  [9 N& S; }9 l    双侧引脚带载封装。TCP(带载封装)之一。引脚制作在绝缘带上并从封装两侧引出。由于 利 用的是TAB(自动带载焊接)技术，封装外形非常薄。常用于液晶显示驱动LSI，但多数为 定制品。 另外，0.5mm 厚的存储器LSI 簿形封装正处于开发阶段。在日本，按照EIAJ(日本电子机械工业)会标准规定，将DICP 命名为DTP。
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    15、DIP(dual tape carrier package)

6 N" @" M' U( a    同上。日本电子机械工业会标准对DTCP 的命名(见DTCP)。

/ z9 p5 Y' I; V& t/ ?& k    16、FP(flat package)

" U/ o: v5 j' B3 y- O    扁平封装。表面贴装型封装之一。QFP 或SOP(见QFP 和SOP)的别称。部分半导体厂家采 用此名称。
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    17、flip-chip

: k  g9 {8 u5 U! [* O    倒焊芯片。裸芯片封装技术之一，在LSI 芯片的电极区制作好金属凸点，然后把金属凸点与印刷基板上的电极区进行压焊连接。封装的占有面积基本上与芯片尺寸相同。是所有 封装技 术中体积、薄的一种。 但如果基板的热膨胀系数与LSI 芯片不同，就会在接合处产生反应，从而影响连接的可 靠 性。因此必须用树脂来加固LSI 芯片，并使用热膨胀系数基本相同的基板材料。

1 ^) h. r$ A& q) p    18、FQFP(fine pitch quad flat package)

    小引脚中心距QFP。通常指引脚中心距小于0.65mm 的QFP(见QFP)。部分导导体厂家采 用此名称。

    19、CPAC(globe top pad array carrier)

    美国Motorola 公司对BGA 的别称(见BGA)。

    20、CQFP(quad fiat package with guard ring)

    带保护环的四侧引脚扁平封装。塑料QFP之一，引脚用树脂保护环掩蔽，以防止弯曲变 形。 在把LSI 组装在印刷基板上之前，从保护环处切断引脚并使其成为海鸥翼状(L 形状)。 这种封装在美国Motorola公司已批量生产。引脚中心距0.5mm，引脚数多为208 左右。

    21、H-(with heat sink)
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/ d) `, y) @/ u% Y    表示带散热器的标记。例如，HSOP 表示带散热器的SOP。
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    22、pin grid array(suRFace mount type)

+ q1 C7 X2 ~" ]1 Q    表面贴装型PGA。通常PGA 为插装型封装，引脚长约3.4mm。表面贴装型PGA 在封装的 底面有陈列状的引脚，其长度从1.5mm 到2.0mm。贴装采用与印刷基板碰焊的方法，因而 也称 为碰焊PGA。因为引脚中心距只有1.27mm，比插装型PGA 小一半，所以封装本体可制作得不怎么大，而引脚数比插装型多(250～528)，是大规模逻辑LSI 用的封装。封装的基材有 多层陶 瓷基板和玻璃环氧树脂印刷基数。以多层陶瓷基材制作封装已经实用化。
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    23、JLCC(J-leaded chip carrier)
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    J 形引脚芯片载体。指带窗口CLCC 和带窗口的陶瓷QFJ 的别称(见CLCC 和QFJ)。部分半 导体厂家采用的名称。
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3 n+ G7 y$ ?. G# T) l. S    24、LCC(Leadless chip carrier)

    无引脚芯片载体。指陶瓷基板的四个侧面只有电极接触而无引脚的表面贴装型封装。是高速和高频IC 用封装，也称为陶瓷QFN 或QFN-C(见QFN)。

! s: W. {0 C6 _' @* o    25、LGA(land grid array)

+ ~3 O4 D! K5 D    触点陈列封装。即在底面制作有阵列状态坦电极触点的封装。装配时插入插座即可。现 已 实用的有227 触点(1.27mm 中心距)和447 触点(2.54mm 中心距)的陶瓷LGA，应用于高速 逻辑 LSI 电路。 LGA 与QFP 相比，能够以比较小的封装容纳更多的输入输出引脚。另外，由于引线的阻抗小，对于高速LSI 是很适用的。但由于插座制作复杂，成本高，现在基本上不怎么使用 。预计 今后对其需求会有所增加。
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    26、LOC(lead on chip)

    芯片上引线封装。LSI 封装技术之一，引线框架的前端处于芯片上方的一种结构，芯片的中心附近制作有凸焊点，用引线缝合进行电气连接。与原来把引线框架布置在芯片侧面 附近的 结构相比，在相同大小的封装中容纳的芯片达1mm 左右宽度。
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    27、LQFP(low profile quad flat package)
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    薄型QFP。指封装本体厚度为1.4mm 的QFP，是日本电子机械工业会根据制定的新QFP 外形规格所用的名称。

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    陶瓷QFP 之一。封装基板用氮化铝，基导热率比氧化铝高7～8 倍，具有较好的散热性。 封装的框架用氧化铝，芯片用灌封法密封，从而抑制了成本。是为逻辑LSI 开发的一种 封装， 在自然空冷条件下可容许W3的功率。现已开发出了208 引脚(0.5mm 中心距)和160 引脚 (0.65mm 中心距)的LSI 逻辑用封装，并于1993 年10 月开始投入批量生产。
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    29、MCM(multi-chip module)

    多芯片组件。将多块半导体裸芯片组装在一块布线基板上的一种封装。根据基板材料可分为MCM-L，MCM-C 和MCM-D 三大类。 MCM-L 是使用通常的玻璃环氧树脂多层印刷基板的组件。布线密度不怎么高，成本较低。MCM-C 是用厚膜技术形成多层布线，以陶瓷(氧化铝或玻璃陶瓷)作为基板的组件，与使用多层陶瓷基板的厚膜混合IC 类似。两者无明显差别。布线密度高于MCM-L。
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6 {4 i. h! ]* y  @$ t5 E! @6 w* |    MCM-D 是用薄膜技术形成多层布线，以陶瓷(氧化铝或氮化铝)或Si、Al 作为基板的组 件。 布线密谋在三种组件中是的，但成本也高。
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4 l$ ~1 o: }1 |, l    30、MFP(mini flat package)

    小形扁平封装。塑料SOP 或SSOP 的别称(见SOP 和SSOP)。部分半导体厂家采用的名称。
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