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浅析混合集成电路的失效

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    2020-8-28 15:16
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    [LV.1]初来乍到

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    发表于 2021-4-30 11:11 | 只看该作者 回帖奖励 |正序浏览 |阅读模式

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    x
    & h4 m/ q# J3 x0 \
    混合集成电路工艺:
    0 r! n. b: t1 d- A( t3 {% s# a/ ]* u9 M
    1 }5 V7 ^1 Q9 Z8 G- t! l1 P0 h; |: h. t% z6 G$ r) W
    IC 工艺:氧化、扩散、镀膜、光刻等
    5 W7 Z/ f+ m5 ?8 h% I
    ' g' M/ A+ ^+ y% F$ @) ^6 k  a+ K$ C8 u
    厚膜工艺:基板加工、制版、丝网印刷、烧结、激光调阻、分离元器件组装等
    ) M) Z) a4 U/ K0 e$ _2 Y$ ?  d- s- D$ J( g3 Q, O0 f3 l# [* @: p5 h2 z

    ( v% K: d7 ]: A+ K薄膜工艺:基板加工、制版、薄膜制备、光刻、电镀等
    $ J2 b; J7 b4 Q! j9 Y) p( C* h3 `5 G* z! _: v
    6 W0 D5 g1 D8 n
    失效原因:
    ) ?. f# _# i# |7 ?8 W+ c
    - x- _9 d; K* Y- D2 @/ K4 D  s
    , c4 |: R( B' Q元器件失效:31%; W5 {0 G! {6 ^: M6 C

    0 L2 Q! F- R9 T% a. T0 ]
    * }6 H; i  E8 H4 K0 H+ w: \互连失效:23%,引线键合失效、芯片粘结不良等8 L+ Y4 d- g+ U7 ^  Z! ^3 K' Y

    5 K5 G" u! ~; R0 ]! A% \4 J. k1 E/ t3 S0 m
    沾污失效:21%2 a  I+ H7 R  c+ K! @

    ; F- m$ K2 a! a6 H( A0 L6 j5 j: D  g! B0 F  F( u9 e+ b6 N
    关于混合集成电路:  N1 v9 Q; w+ T6 L1 h# A

    1 @4 ?+ A/ @7 p5 v& G/ q
    - ]# w7 }) k7 Z0 e按制作工艺,可将集成电路分为:
      _* M( v: L; }1 ^/ x5 {) Z/ X/ p# @( m8 h* A
    % j+ F/ a% e. x4 ?; |: i- z) L
    (1)半导体集成电路(基片:半导体)4 V' }; [# i4 \1 I$ h6 k

    6 ?- ?( d6 E: B9 b. Y& o0 N( j8 n; m) c3 K; C" \
    即:单片集成电路(固体电路)
    : L3 k6 E, O# l( J, V( _+ r2 K) f0 j2 B. v) c& I0 x$ S4 ?
    + S; _' |: [9 [8 R) J
    工艺:半导体工艺(扩散、氧化、外延等)' y0 ^1 F2 p# n/ `6 G
    9 E! z0 [- F5 y2 W* t7 E

    ( P$ W+ n$ r  r, P9 z3 a(2)膜集成电路(基片:玻璃、陶瓷等绝缘体)
    - f% k% h* a" M# h' H
    ! Q. P, h: C. D" w. `9 E' h/ F5 j* U# b! z  m, Q) T3 C0 k
    工艺:- z& e; n/ T7 E+ O$ P5 w& u& k
    5 w" b2 T7 x- w, S
    0 i9 h) A$ Q  _2 Y6 {! v1 d
    薄膜集成电路——真空蒸镀、溅射、化学气相沉积技术0 ~" O: x6 x% m
    . g2 |6 e+ K, w5 o/ E9 H8 j  T6 L' D

    ( r3 o6 ^" K" B) V1 D厚膜集成电路——浆料喷涂在基片上、经烧结而成(丝网印刷技术)6 i# a$ T+ n/ _3 B% q

    : I8 }8 `- o1 g* }- C& k) i+ A4 N

    该用户从未签到

    2#
    发表于 2021-4-30 13:19 | 只看该作者
    混合集成电路工艺呀
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