过电压保护器件的原理及介绍

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3 q8 \& |. G7 w8 M8 t保护器件虽然种类繁多，从功能上讲可以分为过压保护和过流保护。过压保护器件主要包括TVS瞬态抑制二极管、MOV压敏电阻、GDT陶瓷气体放电管、TSS半导体（固体）放电管。
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% S7 E. l, @4 C* x' {为大家总结几种常见浪涌抑制过压保护元器件，方便大家选择合适浪涌抑制保护器件：

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❶瞬态抑制二极管（Transient voltage suppressor）

' }1 J7 J4 n) a, [9 g( G( H# j: @. c亦称瞬态电压抑制器，是一种专门用于抑制过电压的器件。其核心部分是具有较大截面积的PN结，该PN结工作在雪崩状态时，具有较强的脉冲吸收能力。


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5 j; `* M9 k6 }7 C) E优点：残压低，动作精度高，反应时间快（<1ns），无跟随电流（续流）；
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缺点：耐流能力差，通流容量小，一般只有几百安培。


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: Y; E2 g% w* E, B7 }% k❷陶瓷气体放电管(Gas discharge tube)
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) t- d. J/ Z/ u; G. V" F陶瓷气体放电管可以用于数据线、有线电视、交流电源、电话系统等方面进行浪涌保护，一般器件电压范围从75～3600V，耐冲击峰值电流40KA，可承受高达几千焦耳的放电。

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8 ^0 r; Y' }6 ~优点：通流量容量大，绝缘电阻高，漏电流小；

; w! S& y& T% _% {- Z$ H缺点：残压较高，反应时间慢（≤100ns），动作电压精度较低，有跟随电流（续流）。

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- u8 p, O: g3 H0 [& H- i# h7 _/ ^❸压敏电阻（Metal oxside varistor）

该器件在一定温度下，导电性能随电压的增加而急剧增大。它是一种以氧化锌为主要成分的金属氧化物半导体非线性电阻。没有过压时呈高阻值状态，一旦过电压，立即将电压限制到一定值，其阻抗突变为低值。

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优点：通流容量大，残压较低，反应时间较快（≤50ns），无跟随电流（续流）；
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缺点：漏电流较大，老化速度相对较快。

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❹TSS （半导体放电管）
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亦称固态放电管，是一种具有负阻特性的浪涌保护器件，由于其特殊的PNPN结结构设计，在相同的芯片面积上，TSS 可以做到比同尺寸及电压的 TVS 通流量大几倍，而电容比同规格的 TVS 管小几倍，可以用于一些通信线路的浪涌保护，如 RS485、RS232、CAN 总线等。 TSS 具有较高的性价比，是低速通信线路浪涌防护的理想选择。
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优点：残压极低，反应时间快，可靠性较高；
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缺点：应用范围较窄，不能直接跨接在AC或DC电源线两端。

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各种浪涌抑制器件的共同特点为器件在阈值电压以下都呈现高阻抗，一旦超过阈值电压，则阻抗便急剧下降，都对尖峰电压有一定的抑制作用。但各自都有缺点,因此根据具体的应用场合,一般采用上述器件中的一个或者几个的组合来组建相应的保护电路。

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保护类的器件有很多