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工程师必知的那些元器件失效机理

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  • TA的每日心情
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    2020-9-2 15:06
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    [LV.1]初来乍到

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    发表于 2021-2-1 10:38 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |正序浏览 |阅读模式

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    本帖最后由 QqWw11 于 2021-2-1 10:40 编辑
    + J. d7 l5 L- T! `2 l/ R# T/ F/ c9 B2 g; y/ d' O
    元件的失效直接受湿度、温度、电压、机械等因素的影响。6 P$ V" e: G/ j) T5 e

    5 W; |: A2 A- s温度导致失效
    0 G# `3 D, F* w. r2 p; k. E. a环境温度是导致元件失效的重要因素。* ?* b5 \7 G( J. k. B3 o
    6 ^2 g1 r+ d, w$ n( \9 {# P
    温度变化对半导体器件的影响:构成双极型半导体器件的基本单元P-N结对温度的变化很敏感,当P-N结反向偏置时,由少数载流子形成的反向漏电流受温度的变化影响,其关系为:4 C+ I  l0 X; c

    3 T3 E( M6 Y7 Y+ d式中:ICQ―――温度T0C时的反向漏电流; {' J8 ~5 c' [7 I9 d  Q5 B# z
            ICQR――温度TR℃时的反向漏电流3 w; _0 l( I" G- K4 X; N% P1 t
            T-TR――温度变化的绝对值( I9 e6 ^1 g2 H% J1 M1 \

    : B8 `( s$ q' z8 g由上式可以看出,温度每升高10℃,ICQ将增加一倍。这将造成晶体管放大器的工作点发生漂移、晶体管电流放大系数发生变化、特性曲线发生变化,动态范围变小。
    . a2 q) B# P5 D$ E  L! w! a& P3 @: l% \5 W
    温度与允许功耗的关系如下:
    1 H3 G7 `4 u4 C/ g

    1 l7 ^+ a& r( [& n3 s5 H6 [+ i- R7 _, t" A" Q; s2 f* ^3 t% j1 {- Z
    式中:PCM―――最大允许功耗
    # ?4 B" N- B% X           TjM―――最高允许结温
    7 T2 }. k/ a, D0 e1 Z           T――――使用环境温度
    ; E( a& K7 L$ \2 K. {- K           RT―――热阻
    5 d8 t: g+ N: U4 x  b( ~; h& R5 P- J" \2 C: j. f$ v
    由上式可以看出,温度的升高将使晶体管的最大允许功耗下降。
    ) p) W* S- y# q1 h& Z8 M; I/ {7 U- E0 W, S9 y( R
    由于P-N结的正向压降受温度的影响较大,所以用P-N为基本单元构成的双极型半导体逻辑元件(TTL、HTL等集成电路)的电压传输特性和抗干扰度也与温度有密切的关系。当温度升高时,P-N结的正向压降减小,其开门和关门电平都将减小,这就使得元件的低电平抗干扰电压容限随温度的升高而变小;高电平抗干扰电压容限随温度的升高而增大,造成输出电平偏移、波形失真、稳态失调,甚至热击穿。- ?' |- _1 q  q

    % d( F3 k( `, k4 k3 J7 e8 p  M. `1 [0 g: c9 p0 p0 g3 b' J
    2 k4 e3 `; l" X1 V1 y6 L; b+ c
    温度变化对电阻的影响
    + @( t7 T2 n7 F: W3 l- J) I3 _温度变化对电阻的影响主要是温度升高时,电阻的热噪声增加,阻值偏离标称值,允许耗散概率下降等。比如,RXT系列的碳膜电阻在温度升高到100℃时,允许的耗散概率仅为标称值的20%。% n6 b" k% Q3 [

    5 X. }& P8 ^, d* G4 h, q9 {但我们也可以利用电阻的这一特性,比如,有经过特殊设计的一类电阻:PTC(正温度系数热敏电阻)和NTC(负温度系数热敏电阻),它们的阻值受温度的影响很大。
    : [4 n7 n7 }: r" X8 R7 A$ k! J
    2 a" E! J& g& R! y" Y对于PTC,当其温度升高到某一阈值时,其电阻值会急剧增大。利用这一特性,可将其用在电路板的过流保护电路中,当由于某种故障造成通过它的电流增加到其阈值电流后,PTC的温度急剧升高,同时,其电阻值变大,限制通过它的电流,达到对电路的保护。而故障排除后,通过它的电流减小,PTC的温度恢复正常,同时,其电阻值也恢复到其正常值。
    - p9 K7 n8 h* ]8 p/ \7 u% Y- U, m0 B3 r# ^! P2 p& ]
    对于NTC,它的特点是其电阻值随温度的升高而减小。, U. \% s8 z% S8 _. I
    / e. ?9 K2 u# R+ X. v

    * A# x3 e  j9 Z
    : r% U5 S$ s! `) X" D温度变化对电容的影响
    5 e7 a2 i( ]5 X2 H5 X' r$ i温度变化将引起电容的到介质损耗变化,从而影响其使用寿命。温度每升高10℃时,电容器的寿命就降低50%,同时还引起阻容时间常数变化,甚至发生因介质损耗过大而热击穿的情况。( q& k& [- _1 {
    . U6 |" T2 N5 L3 J
    此外,温度升高也将使电感线圈、变压器、扼流圈等的绝缘性能下降。' L" c  t0 ]$ T
    0 H, c/ ^! R' ]! M) o; m9 p

    4 w8 D# y+ J% j/ V0 K
    , l% i# a, x1 \. G( J6 {湿度导致失效
    5 t" d, Y+ k* e9 ^. p0 E湿度过高,当含有酸碱性的灰尘落到电路板上时,将腐蚀元器件的焊点与接线处,造成焊点脱落,接头断裂。; k$ L8 V/ ~( I8 M8 L

    $ I0 ~! ^" G4 n" o* Q$ N湿度过高也是引起漏电耦合的主要原因。
    . ]  Z4 v1 D9 @. J4 d7 H/ ?  d1 x6 U7 u0 F, I, b; J4 g
    而湿度过低又容易产生静电,所以环境的湿度应控制在合理的水平。' t, C7 B1 H/ Y! k' I4 e

    ) t/ e$ V( Y' u& `* B, y, T2 d1 n, G3 y& j- e/ t2 k/ R- e2 n

    / `" y+ F0 v% H: s2 a" }: z4 e8 S( @- g5 D; n/ n( b
    过高电压导致器件失效$ l! M- C' `) ?' ?: C
    施加在元器件上的电压稳定性是保证元器件正常工作的重要条件。过高的电压会增加元器件的热损耗,甚至造成电击穿。对于电容器而言,其失效率正比于电容电压的5次幂。对于集成电路而言,超过其最大允许电压值的电压将造成器件的直接损坏。
    - Y# T& d4 f3 x+ ^
    ! M" O( P5 |& d电压击穿是指电子器件都有能承受的最高耐压值,超过该允许值,器件存在失效风险。主动元件和被动元件失效的表现形式稍有差别,但也都有电压允许上限。晶体管元件都有耐压值,超过耐压值会对元件有损伤,比如超过二极管、电容等,电压超过元件的耐压值会导致它们击穿,如果能量很大会导致热击穿,元件会报废。
    . F: g1 Q7 ]6 V0 }) w& m& z) l
    , {; V- _4 U, R1 D+ O( ]# G- m$ g7 N! S
    7 C9 }* K/ N7 O) y
    振动、冲击影响6 j2 N! `9 t3 G, I: Y+ j9 T+ y
    机械振动与冲击会使一些内部有缺陷的元件加速失效,造成灾难性故障,机械振动还会使焊点、压线点发生松动,导致接触不良;若振动导致导线不应有的碰连,会产生一些意象不到的后果。, H% s5 e& Z/ e- J
    " F: G- ~6 f9 t6 j4 G  a
    可能引起的故障模式,及失效分析。4 }; j4 `( B" R

    # l8 z2 ~9 v, ?8 U; b. }' J电气过应力(Electrical Over Stress,EOS)是一种常见的损害电子器件的方式,是元器件常见的损坏原因,其表现方式是过压或者过流产生大量的热能,使元器件内部温度过高从而损坏元器件(大家常说的烧坏),是由电气系统中的脉冲导致的一种常见的损害电子器件的方式。
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