倒装芯片的发展趋势

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目前倒装芯片逐渐成为主流的封装互连技术。传统的FCBGA的发展趋势如下：
  N  H6 g* G0 K+ e  W7 Y& q5 i1. 凸点节距：
a. 减小凸点节距能够提高I/O密度；
3 S, o  h0 O/ V7 z# Tb. 节距变化趋势：250um逐渐降低至75um，CP bump节距可以做到更低；
. I9 ]; G, Z  y! _0 {& m2. 焊锡凸点沉积方法： 蒸镀-->丝网印刷-->电镀；
) n# ^+ e! |2 W& M3. bump焊料组分：高铅-->共晶-->无铅（Sn-Ag）-->Cu柱节距<125um；
& g' D3 s& l, S9 O4. 封装组成： 陶瓷基板-->高密度互连层压基板-->预浸层压基板-->低热膨胀系数层压基板-->无芯基板；
5. 封装结构： 密封单片盖（SPL）-->非密封单片盖-->加强筋+盖子-->裸芯片-->模塑

    现在由于小节距阵列和无铅化要求，晶圆制造中容易出现高应力的凸点结构以及脆弱的层间电解质层。以上材料的特性在封装过程中容易出现可靠性不稳定的情况，如ILD（电介质层）开裂，UBM分层，凸点开裂，或其他与应力有关的问题。解决此类问题，封装工程师需要向晶圆制造商询问硅叠层及其有关强度的情况。以及在以下方面进行调查;
1. 顶层Cu或Al的厚度；
; q! q- T( l" k2. 非ELK覆盖层数；
3. 通孔密度；
9 X5 c5 \5 Q" ]4. 硅一侧凸点焊盘开口；
5. 凸点UBM的直径和高度；
5 u) D- R2 D0 q( U6. 在凸点结构下方添加钝化层，如聚酰亚胺（PI）或PBO；
7. UBM叠层，如厚度和材料；
2 F. k6 ?% w+ s0 h8. PCB焊盘尺寸及阻焊层开口（SMO）；
/ J: q9 f5 ?: @* ]5 `5 Z9. UBM/SMO对比；
10. UBM应力；
. e, e) }& O7 D  ^$ i0 p# T11. 芯片/封装之比；
12.底部填充材料；如高Tg
! m; k. [6 M4 G7 W' d& ^$ }& C13. 回流温度曲线，如缓慢冷却；
2 H! p6 \# \$ ]' s5 O6 P14. 增加密封盖或其他强度更高的结构单元；
15. 基板芯材及厚度；
# A' g4 v$ }+ ]" n  z" }16.基板热膨胀系数
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% h6 n. Z  }8 t7 \& Q: z* B; n6 ~

Zmb

密封单片盖（SPL）-->非密封单片盖-->加强筋+盖子-->裸芯片-->模塑