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本帖最后由 jacky401 于 2020-8-30 20:59 编辑
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6 j6 t$ |. q; d5 D' } l目录 1 SDRAM简介 2 SDRAM工作原理 2.1 芯片初始化* R* H* i5 |2 n
2.2 行激活
b+ Q+ m; v9 B, i 2.3 列读写
" O& m# f1 ~& {# ^- {3 n( R" R 2.4 数据输出（读）
/ i7 _( ]! d5 i 2.5 数据输入（写）# W/ B- ^9 [( T& W+ D: [
2.6 突发长度
0 Z W4 k4 {9 H 2.7 预充电+ @) B4 a- P2 ~ l
2.8 刷新 h* a O9 f2 a# ^- [0 }& M5 H. w r
2.9 数据掩码3 \- ~3 b" O5 [5 C5 W* B! |
3 硬件设计
3 `" W6 S! B5 C9 W4 参考资料1 I' Q. }/ l* Y7 v3 L: i3 _7 k
. V! o" S! T) U8 [7 d, r7 D
参考链接：/ K2 w0 H& a5 E" K, ~ ~( c( @
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SDRAM 工作原理详解
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; l: g( X I) O! W* G4 L3 Y. Z! R SDRAM是一种可以指定任意地址进行读写的存储器，它具有存储容量大，读写速度快的特点，同时价格也相对低廉。因此，SDRAM常作为缓存，应用于数据存储量大，以及速度要求较高的场合，如复杂嵌入式设备的存储器等。
! J/ y- Z8 J6 \1 c& O' B1 SDRAM简介 SDRAM（Synchronous Dynamic Random Access Memory），同步动态随机存储器。同步是指内存工作需要同步时钟，内部的命令的发送与数据的传输都以它为基准；动态是指存储阵列需要不断的刷新来保证数据不丢失；随机是指数据不是线性依次存储，而是自由指定地址进行数据读写。 SDRAM具有空间存储量大、读写速度快、价格相对便宜等优点。然而由于SDRAM内部利用电容来存储数据，为保证数据不丢失，需要持续对各存储电容进行刷新操作；同时在读写过程中需要考虑行列管理、各种操作延时等，由此导致了其控制逻辑复杂的特点。 SDRAM的内部是一个存储阵列，你可以把它想象成一张表格。我们在向这个表格中写入数据的时候，需要先指定一个行（Row），再指定一个列（Column），就可以准确地找到所需要的“单元格”，这就是SDRAM寻址的基本原理。如图所示：
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* ~1 `: R+ o! I7 Z6 M+ e 图1 SDRAM寻址原理 # }1 L S* o& q: T' Y
图中的“单元格”就是SDRAM存储芯片中的存储单元，而这个“表格”（存储阵列）我们称之为L-Bank。通常SDRAM的存储空间被划分为4个L-Bank，在寻址时需要先指定其中一个L-Bank，然后在这个选定的L-Bank中选择相应的行与列进行寻址（寻址就是指定存储单元地址的过程）。 对SDRAM的读写是针对存储单元进行的，对SDRAM来说一个存储单元的容量等于数据总线的位宽，单位是bit。那么SDRAM芯片的总存储容量我们就可以通过下面的公式计算出来： SDRAM总存储容量 = L-Bank的数量×行数×列数×存储单元的容量
; B# ^' I( G, w SDRAM存储数据是利用了电容的充放电特性以及能够保持电荷的能力。一个大小为1bit的存储单元的结构如下图所示，它主要由行列选通三极管，存储电容，刷新放大器组成。行地址与列地址选通使得存储电容与数据线导通，从而可进行放电（读取）与充电（写入）操作。 0 I" }( i/ [6 X W
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图2 SDRAM存储单元结构示意图 ) p6 c7 m- Z9 g) ]' K! H6 w0 p
4 m ~/ I' q' t* [* Z6 r5 O3 L+ J 下图为SDRAM的功能框图，SDRAM内部有一个逻辑控制单元，并且有一个模式寄存器为其提供控制参数。SDRAM接收外部输入的控制命令，并在逻辑控制单元的控制下进行寻址、读写、刷新、预充电等操作。
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7 ]$ U" S+ _3 P5 G- i! \" ]. m 图3 SDRAM功能框图
2 c- b' Z( }1 T3 `8 ^' x3 X" W2 SDRAM工作原理
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发表于 2020-7-12 21:17
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