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本帖最后由 jacky401 于 2020-8-30 20:59 编辑 * O2 K; F! D$ m8 _: a! d' `
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目录 1 SDRAM简介 2 SDRAM工作原理 2.1 芯片初始化
" J" e* n5 U5 j* V% x 2.2 行激活$ n4 ]* \* Z" P9 c2 r1 Z
2.3 列读写. [* F# [4 i# D) `8 ^
2.4 数据输出（读）" O: u' T& d# Y |; Q, m
2.5 数据输入（写）6 i, R7 r3 z0 l7 l/ b- B) W
2.6 突发长度
: S- x9 b7 C4 A) C: d: v6 v6 d 2.7 预充电
2 ?( h F% F5 f# ~' B 2.8 刷新
$ {1 N% y. {7 @2 d4 s3 J 2.9 数据掩码& V# E W, J& Y, y0 n: f
3 硬件设计+ W! R; D5 u% {! h
4 参考资料
H: L# D7 n- Y2 M 9 F( [# Y1 K/ r& H" M' _+ _
参考链接： ^& y6 ~& r, h" {6 o
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SDRAM 工作原理详解
x, T" H$ l+ P9 n! h+ z) f) ^- X' H) F8 W" F: a
SDRAM是一种可以指定任意地址进行读写的存储器，它具有存储容量大，读写速度快的特点，同时价格也相对低廉。因此，SDRAM常作为缓存，应用于数据存储量大，以及速度要求较高的场合，如复杂嵌入式设备的存储器等。 " D7 q9 H# w" I8 B5 Q4 y
1 SDRAM简介 SDRAM（Synchronous Dynamic Random Access Memory），同步动态随机存储器。同步是指内存工作需要同步时钟，内部的命令的发送与数据的传输都以它为基准；动态是指存储阵列需要不断的刷新来保证数据不丢失；随机是指数据不是线性依次存储，而是自由指定地址进行数据读写。 SDRAM具有空间存储量大、读写速度快、价格相对便宜等优点。然而由于SDRAM内部利用电容来存储数据，为保证数据不丢失，需要持续对各存储电容进行刷新操作；同时在读写过程中需要考虑行列管理、各种操作延时等，由此导致了其控制逻辑复杂的特点。 SDRAM的内部是一个存储阵列，你可以把它想象成一张表格。我们在向这个表格中写入数据的时候，需要先指定一个行（Row），再指定一个列（Column），就可以准确地找到所需要的“单元格”，这就是SDRAM寻址的基本原理。如图所示： ! i1 B6 [( W* D0 Y, Z
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图1 SDRAM寻址原理 ) e5 Y, p2 y, x7 M9 D
图中的“单元格”就是SDRAM存储芯片中的存储单元，而这个“表格”（存储阵列）我们称之为L-Bank。通常SDRAM的存储空间被划分为4个L-Bank，在寻址时需要先指定其中一个L-Bank，然后在这个选定的L-Bank中选择相应的行与列进行寻址（寻址就是指定存储单元地址的过程）。 对SDRAM的读写是针对存储单元进行的，对SDRAM来说一个存储单元的容量等于数据总线的位宽，单位是bit。那么SDRAM芯片的总存储容量我们就可以通过下面的公式计算出来： SDRAM总存储容量 = L-Bank的数量×行数×列数×存储单元的容量 % p0 ^/ o! o- o) h8 P8 B- Z
SDRAM存储数据是利用了电容的充放电特性以及能够保持电荷的能力。一个大小为1bit的存储单元的结构如下图所示，它主要由行列选通三极管，存储电容，刷新放大器组成。行地址与列地址选通使得存储电容与数据线导通，从而可进行放电（读取）与充电（写入）操作。 / P( Q! l; q7 {. y
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图2 SDRAM存储单元结构示意图
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下图为SDRAM的功能框图，SDRAM内部有一个逻辑控制单元，并且有一个模式寄存器为其提供控制参数。SDRAM接收外部输入的控制命令，并在逻辑控制单元的控制下进行寻址、读写、刷新、预充电等操作。
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3 v6 j! a! B& y& S% y! o. m0 H3 s 图3 SDRAM功能框图 1 B# i& f6 u; R( C8 Y' Z* f( i
2 SDRAM工作原理
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发表于 2020-7-12 21:17
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