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本帖最后由 jacky401 于 2020-8-30 20:59 编辑 ' t/ X: N# b3 E2 C0 t
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目录 1 SDRAM简介 2 SDRAM工作原理 2.1 芯片初始化
' Q0 M% N) N& u: e 2.2 行激活1 S! H" i0 V" N8 }# p. q9 f6 T0 Z
2.3 列读写
; h; Q6 w+ ]+ ]5 \! D4 x1 S 2.4 数据输出（读）
2 o9 R0 R& @0 S; n: k4 ^ J& O 2.5 数据输入（写）
( c8 J8 O4 y0 @8 ?' R 2.6 突发长度# P- P4 @; w& v. J n, W
2.7 预充电/ O( W% ^9 J' I1 U e/ [7 O0 d; u
2.8 刷新
* p+ s0 H& B/ k( O; F- | 2.9 数据掩码3 v( ^5 }1 y$ v
3 硬件设计5 g% j2 n! W% a: G+ J" T. S: a6 ^
4 参考资料/ K: f# k0 T% p! K5 \7 ^
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SDRAM 工作原理详解
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2 F/ M2 o* M- K, p$ i! H8 U SDRAM是一种可以指定任意地址进行读写的存储器，它具有存储容量大，读写速度快的特点，同时价格也相对低廉。因此，SDRAM常作为缓存，应用于数据存储量大，以及速度要求较高的场合，如复杂嵌入式设备的存储器等。
: B4 L# ?0 D% B' L1 i* c- W/ _1 SDRAM简介 SDRAM（Synchronous Dynamic Random Access Memory），同步动态随机存储器。同步是指内存工作需要同步时钟，内部的命令的发送与数据的传输都以它为基准；动态是指存储阵列需要不断的刷新来保证数据不丢失；随机是指数据不是线性依次存储，而是自由指定地址进行数据读写。 SDRAM具有空间存储量大、读写速度快、价格相对便宜等优点。然而由于SDRAM内部利用电容来存储数据，为保证数据不丢失，需要持续对各存储电容进行刷新操作；同时在读写过程中需要考虑行列管理、各种操作延时等，由此导致了其控制逻辑复杂的特点。 SDRAM的内部是一个存储阵列，你可以把它想象成一张表格。我们在向这个表格中写入数据的时候，需要先指定一个行（Row），再指定一个列（Column），就可以准确地找到所需要的“单元格”，这就是SDRAM寻址的基本原理。如图所示： ! d& t2 b! f0 G' Y2 V& X9 \
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图1 SDRAM寻址原理
. \2 t# c4 G5 \1 F& g 图中的“单元格”就是SDRAM存储芯片中的存储单元，而这个“表格”（存储阵列）我们称之为L-Bank。通常SDRAM的存储空间被划分为4个L-Bank，在寻址时需要先指定其中一个L-Bank，然后在这个选定的L-Bank中选择相应的行与列进行寻址（寻址就是指定存储单元地址的过程）。 对SDRAM的读写是针对存储单元进行的，对SDRAM来说一个存储单元的容量等于数据总线的位宽，单位是bit。那么SDRAM芯片的总存储容量我们就可以通过下面的公式计算出来： SDRAM总存储容量 = L-Bank的数量×行数×列数×存储单元的容量 5 h3 x" u( F" G& c: c6 Y2 m
SDRAM存储数据是利用了电容的充放电特性以及能够保持电荷的能力。一个大小为1bit的存储单元的结构如下图所示，它主要由行列选通三极管，存储电容，刷新放大器组成。行地址与列地址选通使得存储电容与数据线导通，从而可进行放电（读取）与充电（写入）操作。
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图2 SDRAM存储单元结构示意图 3 S: ?# r0 x4 i5 b) c( I
. s0 E0 u. x+ J 下图为SDRAM的功能框图，SDRAM内部有一个逻辑控制单元，并且有一个模式寄存器为其提供控制参数。SDRAM接收外部输入的控制命令，并在逻辑控制单元的控制下进行寻址、读写、刷新、预充电等操作。 , N$ ?4 n8 S% \1 t$ p! d, g& G
8 n1 X# l7 y. n) I* L0 d+ C 图3 SDRAM功能框图 & D! }7 q& b0 ~; H; T
2 SDRAM工作原理* {4 J( b9 v D2 l6 o
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