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本帖最后由 jacky401 于 2020-8-30 20:59 编辑 & d' I1 U) G7 l+ k* H
I$ u+ {5 t2 @' ~2 {. c+ w: G
目录 1 SDRAM简介 2 SDRAM工作原理 2.1 芯片初始化
1 f- z2 z/ f2 C 2.2 行激活# m; R2 P. o6 N; d" {& ^! C9 W# ^
2.3 列读写
8 Z# y1 D# S' U# L3 {0 i" f" t' A: c' | 2.4 数据输出（读）: [, d4 d0 N9 k
2.5 数据输入（写）
' W$ v( A0 o3 V 2.6 突发长度
" x: M) g0 G* }9 P$ l, z5 { 2.7 预充电. x/ r) S; o: h6 @! N
2.8 刷新; @. f5 c, `/ d2 Q
2.9 数据掩码& T8 D6 z8 |0 ~2 m7 C0 g( I3 n
3 硬件设计
2 H6 L" `' |. J4 y; b4 参考资料/ V* t! V u- v/ y
* R/ j1 q7 S- A$ t
参考链接：3 o. \' k e/ ~9 ?. d- p& f% v
1 X/ E+ `# f" x( B( z$ |; Z ]1 Q) D9 {
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SDRAM 工作原理详解
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SDRAM是一种可以指定任意地址进行读写的存储器，它具有存储容量大，读写速度快的特点，同时价格也相对低廉。因此，SDRAM常作为缓存，应用于数据存储量大，以及速度要求较高的场合，如复杂嵌入式设备的存储器等。 : C: q* [( `" X6 \1 m3 q1 ^6 g
1 SDRAM简介 SDRAM（Synchronous Dynamic Random Access Memory），同步动态随机存储器。同步是指内存工作需要同步时钟，内部的命令的发送与数据的传输都以它为基准；动态是指存储阵列需要不断的刷新来保证数据不丢失；随机是指数据不是线性依次存储，而是自由指定地址进行数据读写。 SDRAM具有空间存储量大、读写速度快、价格相对便宜等优点。然而由于SDRAM内部利用电容来存储数据，为保证数据不丢失，需要持续对各存储电容进行刷新操作；同时在读写过程中需要考虑行列管理、各种操作延时等，由此导致了其控制逻辑复杂的特点。 SDRAM的内部是一个存储阵列，你可以把它想象成一张表格。我们在向这个表格中写入数据的时候，需要先指定一个行（Row），再指定一个列（Column），就可以准确地找到所需要的“单元格”，这就是SDRAM寻址的基本原理。如图所示：
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图1 SDRAM寻址原理 * G/ [5 M9 \8 [* k3 R
图中的“单元格”就是SDRAM存储芯片中的存储单元，而这个“表格”（存储阵列）我们称之为L-Bank。通常SDRAM的存储空间被划分为4个L-Bank，在寻址时需要先指定其中一个L-Bank，然后在这个选定的L-Bank中选择相应的行与列进行寻址（寻址就是指定存储单元地址的过程）。 对SDRAM的读写是针对存储单元进行的，对SDRAM来说一个存储单元的容量等于数据总线的位宽，单位是bit。那么SDRAM芯片的总存储容量我们就可以通过下面的公式计算出来： SDRAM总存储容量 = L-Bank的数量×行数×列数×存储单元的容量 ( J8 E- a$ `0 E/ [
SDRAM存储数据是利用了电容的充放电特性以及能够保持电荷的能力。一个大小为1bit的存储单元的结构如下图所示，它主要由行列选通三极管，存储电容，刷新放大器组成。行地址与列地址选通使得存储电容与数据线导通，从而可进行放电（读取）与充电（写入）操作。
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图2 SDRAM存储单元结构示意图
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下图为SDRAM的功能框图，SDRAM内部有一个逻辑控制单元，并且有一个模式寄存器为其提供控制参数。SDRAM接收外部输入的控制命令，并在逻辑控制单元的控制下进行寻址、读写、刷新、预充电等操作。 - i8 L/ b/ Q, }) R6 q! N
: F6 K: b6 c' r/ ]8 [ 图3 SDRAM功能框图
- \/ l0 y$ E) X0 ]* I {, _* W2 SDRAM工作原理6 L5 P3 G! R. `& H6 l4 C$ M
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发表于 2020-7-12 21:17
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