什么是芯片封装测试 ???????

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zzz.dan 发表于 2020-7-2 10:27
　1、BGA(ballgridarray)
　　球形触点陈列，表面贴装型封装之一。在印刷基板的背面按陈列方式制作出球形 ...

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zzz.dan

　1、BGA(ballgridarray)
　　球形触点陈列，表面贴装型封装之一。在印刷基板的背面按陈列方式制作出球形凸点用以代替引脚，在印刷基板的正面装配LSI芯片，然后用模压树脂或灌封方法进行密封。也称为凸点陈列载体(PAC)。引脚可超过200，是多引脚LSI用的一种封装。
　　封装本体也可做得比QFP(四侧引脚扁平封装)小。例如，引脚中心距为1.5mm的360引脚BGA仅为31mm见方；而引脚中心距为0.5mm的304引脚QFP为40mm见方。而且BGA不用担心QFP那样的引脚变形问题。
　　该封装是美国Motorola公司开发的，首先在便携式电话等设备中被采用，今后在美国有可能在个人计算机中普及。最初，BGA的引脚(凸点)中心距为 1.5mm，引脚数为225。现在也有一些LSI厂家正在开发500引脚的BGA。BGA的问题是回流焊后的外观检查。现在尚不清楚是否有效的外观检查方法。有的认为，由于焊接的中心距较大，连接可以看作是稳定的，只能通过功能检查来处理。
　　美国Motorola公司把用模压树脂密封的封装称为OMPAC，而把灌封方法密封的封装称为GPAC(见OMPAC和GPAC)。


, h. ]7 H. g; _' [  
　　2、BQFP(quadflatpackagewithbumper)
4 B" f8 ]: _, `6 @　　带缓冲垫的四侧引脚扁平封装。QFP封装之一，在封装本体的四个角设置突起(缓冲垫)以防止在运送过程中引脚发生弯曲变形。美国半导体厂家主要在微处理器和ASIC等电路中采用
1 P2 V" }5 e. U) n　　此封装。引脚中心距0.635mm，引脚数从84到196左右(见QFP)。
0 E+ h- C: J+ u2 o; K* I　　3、碰焊PGA(buttjointpingridarray)
　　表面贴装型PGA的别称(见表面贴装型PGA)。
　　4、C－(ceramic)
$ G9 x% f1 p) d. ^2 H　　表示陶瓷封装的记号。例如，CDIP表示的是陶瓷DIP。是在实际中经常使用的记号。
　　5、Cerdip
　　用玻璃密封的陶瓷双列直插式封装，用于ECLRAM，DSP(数字信号处理器)等电路。带有玻璃窗口的Cerdip用于紫外线擦除型EPROM以及内部带有EPROM的微机电路等。引脚中心距2.54mm，引脚数从8到42。在日本，此封装表示为DIP－G(G即玻璃密封的意思)。
　　6、Cerquad
/ m9 ^- Q- u8 }& l　　表面贴装型封装之一，即用下密封的陶瓷QFP，用于封装DSP等的逻辑LSI电路。带有窗口的Cerquad用于封装EPROM电路。散热性比塑料QFP 好，在自然空冷条件下可容许1.5～2W的功率。但封装成本比塑料QFP高3～5倍。引脚中心距有1.27mm、0.8mm、0.65mm、0.5mm、 0.4mm等多种规格。引脚数从32到368。
( }# s3 {/ O2 m5 }7 o　　7、CLCC(ceramicleadedchipcarrier)
. R# [$ \' D! }( ]1 o# [! E　　带引脚的陶瓷芯片载体，表面贴装型封装之一，引脚从封装的四个侧面引出，呈丁字形。
9 R# A6 ^1 H: h% o. `　　带有窗口的用于封装紫外线擦除型EPROM以及带有EPROM的微机电路等。此封装也称为QFJ、QFJ－G(见QFJ)。
　　8、COB(chiponboard)
　　板上芯片封装，是裸芯片贴装技术之一，半导体芯片交接贴装在印刷线路板上，芯片与基板的电气连接用引线缝合方法实现，芯片与基板的电气连接用引线缝合方法实现，并用树脂覆盖以确保可靠性。虽然COB是最简单的裸芯片贴装技术，但它的封装密度远不如TAB和倒片焊技术。
　　9、DFP(dualflatpackage)
　　双侧引脚扁平封装。是SOP的别称(见SOP)。以前曾有此称法，现在已基本上不用。
) @  i" [* x! z: C& W2 v; D7 d　　10、DIC(dualin-lineceramicpackage)
　　陶瓷DIP(含玻璃密封)的别称(见DIP).
　　11、DIL(dualin-line)
- D  G: Z- U) U5 o　　DIP的别称(见DIP)。欧洲半导体厂家多用此名称。
" V+ |, c4 \- }7 W9 m　　12、DIP(dualin-linepackage)
: s# I1 _; {+ r: Q% I8 e- m　　双列直插式封装。插装型封装之一，引脚从封装两侧引出，封装材料有塑料和陶瓷两种。DIP是最普及的插装型封装，应用范围包括标准逻辑IC，存贮器 LSI，微机电路等。引脚中心距2.54mm，引脚数从6到64。封装宽度通常为15.2mm。有的把宽度为7.52mm和10.16mm的封装分别称为 skinnyDIP和slimDIP(窄体型DIP)。但多数情况下并不加区分，只简单地统称为DIP。另外，用低熔点玻璃密封的陶瓷DIP也称为 cerdip(见cerdip)。
　　13、DSO(dualsmallout-lint)
( D) T4 D$ x4 W: W: G9 ^　　双侧引脚小外形封装。SOP的别称(见SOP)。部分半导体厂家采用此名称。
　　14、DICP(dualtapecarrierpackage)
　　双侧引脚带载封装。TCP(带载封装)之一。引脚制作在绝缘带上并从封装两侧引出。由于利
* x. m1 q* |6 F* l( T* G　　用的是TAB(自动带载焊接)技术，封装外形非常薄。常用于液晶显示驱动LSI，但多数为定制品。另外，0.5mm厚的存储器LSI簿形封装正处于开发阶段。在日本，按照EIAJ(日本电子机械工业)会标准规定，将DICP命名为DTP。
, L# ^$ e0 _1 c1 v: L4 K3 J　　15、DIP(dualtapecarrierpackage)
　　同上。
　　日本电子机械工业会标准对DTCP的命名(见DTCP)。
$ |4 p* y* @3 X; {( e3 Q　　16、FP(flatpackage)
　　扁平封装。表面贴装型封装之一。QFP或SOP(见QFP和SOP)的别称。部分半导体厂家采用此名称。
　　17、flip-chip
5 N3 n: F, n2 G　　倒焊芯片。裸芯片封装技术之一，在LSI芯片的电极区制作好金属凸点，然后把金属凸点与印刷基板上的电极区进行压焊连接。封装的占有面积基本上与芯片尺寸相同。是所有封装技术中体积最小、最薄的一种。但如果基板的热膨胀系数与LSI芯片不同，就会在接合处产生反应，从而影响连接的可靠性。因此必须用树脂来加固LSI芯片，并使用热膨胀系数基本相同的基板材料。
2 A. j% K2 K5 N3 \7 V9 t3 V　　18、FQFP(finepitchquadflatpackage)
/ i% R! |# p: r" c' o　　小引脚中心距QFP。通常指引脚中心距小于0.65mm的QFP(见QFP)。部分导导体厂家采用此名称。
6 I6 [5 b0 c/ p　　19、CPAC(globetoppadarraycarrier)
6 n. {# @  J8 n- T, X6 W　　美国Motorola公司对BGA的别称(见BGA)。
; L; p( Y* }8 l# `6 @& e3 ^9 W, T, V　　20、CQFP(quadfiatpackagewithguardring)
* X2 `" m. I/ p( i4 n- h3 E　　带保护环的四侧引脚扁平封装。塑料QFP之一，引脚用树脂保护环掩蔽，以防止弯曲变形。
　　在把LSI组装在印刷基板上之前，从保护环处切断引脚并使其成为海鸥翼状(L形状)。这种封装在美国Motorola公司已批量生产。引脚中心距0.5mm，引脚数最多为208左右。
　　21、H-(withheatsink)
　　表示带散热器的标记。例如，HSOP表示带散热器的SOP。
　　22、pingridarray(suRFacemounttype)
7 b5 G: D7 U8 s, |1 x　　表面贴装型PGA。通常PGA为插装型封装，引脚长约3.4mm。表面贴装型PGA在封装的底面有陈列状的引脚，其长度从1.5mm到2.0mm。贴装采用与印刷基板碰焊的方法，因而也称为碰焊PGA。因为引脚中心距只有1.27mm，比插装型PGA小一半，所以封装本体可制作得不怎么大，而引脚数比插装型多(250～52，是大规模逻辑LSI用的封装。封装的基材有多层陶瓷基板和玻璃环氧树脂印刷基数。以多层陶瓷基材制作封装已经实用化。
　　23、JLCC(J-leadedchipcarrier)
　　J形引脚芯片载体。指带窗口CLCC和带窗口的陶瓷QFJ的别称(见CLCC和QFJ)。部分半导体厂家采用的名称。
4 ?3 B& Y5 T: }1 E　　24、LCC(Leadlesschipcarrier)
　　无引脚芯片载体。指陶瓷基板的四个侧面只有电极接触而无引脚的表面贴装型封装。是高速和高频IC用封装，也称为陶瓷QFN或QFN－C(见QFN)。
　　25、LGA(landgridarray)
　　触点陈列封装。即在底面制作有阵列状态坦电极触点的封装。装配时插入插座即可。现已实用的有227触点(1.27mm中心距)和447触点(2.54mm中心距)的陶瓷LGA，应用于高速逻辑
2 S5 Y2 z6 @( r( k5 g& x　　LSI电路。LGA与QFP相比，能够以比较小的封装容纳更多的输入输出引脚。另外，由于引线的阻抗小，对于高速LSI是很适用的。但由于插座制作复杂，成本高，现在基本上不怎么使用。预计今后对其需求会有所增加。
# F& |1 `& T1 B7 I2 X& l/ t　　26、LOC(leadonchip)
7 k$ o2 Z8 b: E7 K　　芯片上引线封装。LSI封装技术之一，引线框架的前端处于芯片上方的一种结构，芯片的中心附近制作有凸焊点，用引线缝合进行电气连接。与原来把引线框架布置在芯片侧面附近的结构相比，在相同大小的封装中容纳的芯片达1mm左右宽度。
. g, J- H, Z. R3 Z+ L2 P　　27、LQFP(lowprofilequadflatpackage)
　　薄型QFP。指封装本体厚度为1.4mm的QFP，是日本电子机械工业会根据制定的新QFP外形规格所用的名称。
　　28、L－QUAD
: [( c8 f- f$ z7 j7 C2 b6 i　　陶瓷QFP之一。封装基板用氮化铝，基导热率比氧化铝高7～8倍，具有较好的散热性。封装的框架用氧化铝，芯片用灌封法密封，从而抑制了成本。是为逻辑 LSI开发的一种封装，在自然空冷条件下可容许W3的功率。现已开发出了208引脚(0.5mm中心距)和160引脚(0.65mm中心距)的LSI逻辑用封装，并于1993年10月开始投入批量生产。
$ S% t8 G$ _6 h! k' K) ~5 k3 q　　29、MCM(multi-chipmodule)
- D# y! z% j/ I7 O9 S) O　　多芯片组件。将多块半导体裸芯片组装在一块布线基板上的一种封装。根据基板材料可分为MCM－L，MCM－C和MCM－D三大类。
　　MCM－L是使用通常的玻璃环氧树脂多层印刷基板的组件。布线密度不怎么高，成本较低。
　　MCM－C是用厚膜技术形成多层布线，以陶瓷(氧化铝或玻璃陶瓷)作为基板的组件，与使
- h- H! z% \5 w　　用多层陶瓷基板的厚膜混合IC类似。两者无明显差别。布线密度高于MCM－L。
7 p3 y& N# D% ~! R　　MCM－D是用薄膜技术形成多层布线，以陶瓷(氧化铝或氮化铝)或Si、Al作为基板的组件。
　　布线密谋在三种组件中是最高的，但成本也高。
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