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ISSI生产的32Mb高速低功耗异步SRAM，这种创新的设计加强了ISSI对具有最高质量和性能的SRAM的长期承诺。32Mb SRAM在汽车A3温度范围（-40°C至+ 125°C）下提供12ns的访问时间。
- q# \) c8 f' t/ P1 v$ ?+ L ; @ f9 h: _/ [. L3 p' O$ B
ISSI IS61 / 64WV204816ALL / BLL是高速32M位静态RAM，组织为2048K字乘16位。它是使用ISSI的高性能CMOS技术制造的。
! Z0 U5 N& W5 K, W! P- ^ 8 w O0 W6 A. V
这种高度可靠的工艺加上创新的电路设计技术，可生产出高性能和低功耗的设备。
' {6 A% k+ z6 o! L+ v% M S( U" H4 T& v+ a+ N6 V4 k" D' `
当CS＃为高电平（取消选择）时，器件将进入待机模式，在该模式下，可以通过CMOS输入电平降低功耗。使用芯片使能和输出使能输入可轻松扩展存储器。激活的LOW Write Enable（WE＃）控制存储器的写入和读取。数据字节允许访问高字节（UB＃）和低字节（LB＃）。
/ c+ w' g6 @, O9 ?9 ~& G X + g* ^: J x" y9 d; b/ K* P. l
该器件采用JEDEC标准的48引脚TSOP（TYPE I）和48引脚微型BGA（6mm x 8mm）封装，应用范围在汽车/工业/医疗/电信/网络等。
% |9 Q6 Z7 T$ q* T2 w7 Q5 V# r& \) b3 z. e; y* S& {6 n
- J9 s; F% B H& g
| IS61WV204816BLL (I) | IS64WV204816BLL (A3) | 注释 | 温度支持 | 工业' e D$ L, l% g* ]+ K7 L
(-40°C to +85°C) | 汽车
& o t* i, @8 W3 n# D8 ?8 o(-40°C to +125°C) | 8 x+ A$ x( I& ?. J: @' ^
| 技术 | 40nm | 40nm | ' l# a6 H' E, w. }
| 电源电压 | 2.4V ~ 3.6V | 2.4V ~ 3.6V |
1 w1 u8 [; D3 n- v+ }# R
| 工作电流（最大） | 100mA | 135mA | ) x) S+ ?+ @! x) D! C+ J" j
| 待机电流（Typ） | 10mA | 10mA |
8 X+ n s2 j% I
| 包装 | TSOP-I（48针）
. u) ^2 m3 ^1 o- j3 s) g9 }, q) m& ABGA（48球） | TSOP-I（48针）. U$ m# f- `6 P8 ^' f3 |, U
BGA（48球） | 引脚兼容4 r: w5 X1 t2 _2 E: S& M
16Mb异步SRAM | 速度 | 10ns | 12ns |
' v1 J% q$ n: `9 y$ e1 f' [
| 铜引线框 | 是 | 是 |
0 {6 o. F- B v/ V7 C0 d
| 无铅PKG | 是 | 是 | 符合RoHS |
/ I6 ~0 k3 ]' m1 `( o
% b3 M; ~% Y( s+ N8 m BSRAM存储器是随机存取存储器之一。每个字节或字都有一个地址，可以随机访问。 SRAM支持三种不同的模式。每个功能在下面的“真值表”中进行了描述。
! n% N4 H6 n/ z: Z
! R6 u: a, ?: q0 j, w& H& D待机模式
! _5 m7 ~3 k7 ~取消选择时，设备进入待机模式（CS＃高）。输入和输出引脚（I / O0-15）处于高阻抗状态。此模式下的CMOS输入将最大程度地节省功率。
, L4 p: N b5 ]9 t , R( W8 e- W' E) o% J) R' e! w
写模式0 |# \) T6 l* k! P w
选择芯片（CS＃）且写使能（WE＃）输入为LOW时发生写操作问题。输入和输出引脚（I / O0-15）处于数据输入模式。即使OE＃为LOW，在此期间输出缓冲区也会关闭。 UB＃和LB＃启用字节写入功能。通过将LB＃设为低电平，将来自I / O引脚（I / O0至I / O7）的数据写入地址引脚上指定的位置。且UB＃为低电平时，来自I / O引脚（I / O8至I / O15）的数据被写入该位置。
+ V/ @& @4 k9 |6 t
" x+ p/ b4 x' g; H读取模式; O% V: \' ~( x$ ~0 k% A
选择芯片时（CS＃为低电平），写使能（WE＃）输入为高电平时，读操作出现问题。当OE＃为LOW时，输出缓冲器打开以进行数据输出。不允许在读取模式下对I / O引脚进行任何输入。 UB＃和LB＃启用字节读取功能。通过启用LB＃LOW，来自内存的数据出现在I / O0-7上。且UB＃为低电平时，来自内存的数据出现在I / O8-15上。
1 s+ N; t5 J+ V4 A$ G2 r" v+ C
+ z7 P$ G! ]- O) e1 r* Y在读取模式下，可以通过将OE＃拉高来关闭输出缓冲器。在此模式下，内部设备作为READ操作，但I / O处于高阻抗状态。由于器件处于读取模式，因此使用有功电流。
& S% \8 M8 Z' Z2 }
3 c/ k# w6 ^3 u% ^3 ?5 }2 ]上电初始化3 Y( j% l9 S" z9 ^) b* S9 b% e
该器件包括用于启动上电初始化过程的片上电压传感器。
+ ^/ i; _4 z0 j& F# U当VDD达到稳定水平时，器件需要150us的tPU（上电时间）来完成其自初始化过程。; }; a7 R0 ^) p5 D" B0 A$ l
初始化完成后，设备即可正常运行。+ p( t! c$ }1 @+ a" ?
' a. w: y* D) ] o! X9 Y* E$ ^
8 T; X8 L& U" I) h* u规格书下载0 J1 N7 ]% h9 s, ]: J' G1 _
IS61-64WV204816ALL_BLL.pdf
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发表于 2020-5-27 14:28
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