|
|
EDA365欢迎您登录！
您需要 登录 才可以下载或查看，没有帐号？注册
x
美国ISSI主要产品是高速低功耗SRAM和中低密度DRAM。主要为汽车，通信，数字消费者以及工业和医疗等市场提供存储器产品。IS62WV102416DBLL是超低功耗CMOS 16Mbit静态RAM，组织为1M字乘16位。它是使用ISSI的高性能CMOS技术制造的。这种高度可靠的工艺加上创新的电路设计技术，可生产出高性能和低功耗的设备。 IS62WV102416DALL/DBLL和IS65WV102416DALL / DBLL封装在48引脚TSOP（I型）中。* [/ @; [; y9 ?* ?, }9 N+ R! P
5 |0 f" D' @2 s1 p8 z( i- B2 D功能说明
0 S- b0 p9 B( ?0 R3 m/ v7 w0 sSRAM是随机存取存储器之一。每个字节或字都有一个地址，可以随机访问。 SRAM支持三种不同的模式。
/ R/ T" l2 Q% L( P ; m, a1 N3 P& k7 s# }5 X) x/ A
待机模式
6 [1 C' m0 z" _2 z) G取消选择时，设备进入待机模式（HIGH或CS2 LOW或两者都为HIGH）。输入和输出引脚（I / O0-15）处于高阻抗状态。根据输入电平，此模式下的电流消耗为ISB1或ISB2。此模式下的CMOS输入将最大程度地节省功率。9 ~- o! U7 O4 {& H% B/ {
- i6 k9 L$ t* u
写模式
2 a9 D; P B( Z) D% p7 D5 x& n选择芯片时（LOW和CS2 HIGH），写使能（）输入LOW时的写操作问题。输入和输出引脚（I / O0-15）处于数据输入模式。即使为LOW，在此期间输出缓冲区也会关闭。并启用字节写入功能。通过启用LOW，来自I / O引脚（I / O0至I / O7）的数据被写入该位置。
! \$ y$ j+ V7 j9 K3 r' H
1 x6 B% c+ I. [8 }& @0 v8 ^ |在地址引脚上指定。处于低电平时，来自I / O引脚（I / O8至I / O15）的数据被写入该位置。2 o+ K7 U. v& @1 M5 D
8 T) g3 F6 w; E/ ?; i, a7 o
读取模式
9 e, W- T& a; _) R% e选择芯片时（LOW和CS2为HIGH），写使能（）输入为HIGH时，读操作出现问题。当为低电平时，输出缓冲器打开以进行数据输出。不允许在读取模式下对I / O引脚进行任何输入。并启用字节读取功能。通过启用LOW，来自存储器的数据出现在I / O0-7上。处于低电平时，来自内存的数据将出现在I / O8-15上。- |" j1 f* e% a
Z6 J& p0 @: q! f) W
在读取模式下，可以通过拉高来关闭输出缓冲器。在此模式下，内部设备作为READ操作，但I / O处于高阻抗状态。由于器件处于读取模式，因此使用有功电流。 [' E/ S! e b- t* H* r2 o
+ [% O3 R/ [( A) ~. S工作温度范围
( M5 B: w3 j7 `- x6 o# a商用工作温度为0°C至+ 70°C ，电压为2.2V 3.3V 3.6V% |+ T4 ?, ~1 b5 F7 S
工业工作温度为-40°C至+ 85°C ，电压为2.2V 3.3V 3.6V
! K% k, P3 j4 {: n/ C汽车类工作温度为 -40°C至+ 125°C，电压为2.2V 3.3V 3.6V3 ~2 ~ `$ Y4 d) ^- n, n+ u" m; G
# G7 ~8 v& K& ?: H+ g
ISSI 低功耗SRAM! J0 t/ i. \" ~
; \6 v. U) k0 o; Q- @5 j5 \
62-65WV102416DALL-DBLL.pdf
(1.13 MB, 下载次数: 0)
. J+ L- s4 J8 y: ^( V7 z- n0 q4 n8 N% F
|
|
/1 
发表于 2020-5-26 14:43
收藏
淘帖
支持！
反对！