找回密码
 注册
关于网站域名变更的通知
查看: 676|回复: 1
打印 上一主题 下一主题

元器件失效分析方法

[复制链接]

该用户从未签到

跳转到指定楼层
1#
发表于 2020-4-7 14:31 | 只看该作者 回帖奖励 |正序浏览 |阅读模式

EDA365欢迎您登录!

您需要 登录 才可以下载或查看,没有帐号?注册

x

器件一旦坏了,千万不要敬而远之,而应该如获至宝。
) ]! y1 k5 J9 C& l6 Z6 y  开车的人都知道,哪里最能练出驾驶水平?高速公路不行,只有闹市和不良路况才能提高水平。社会的发展就是一个发现问题解决问题的过程,出现问题不可怕,但频繁出现同一类问题是非常可怕的。
- A' U+ x& i4 q0 ]& J/ J" `/ I  失效分析基本概念* C' ?- }: j. b6 L; }
  定义:对失效电子元器件进行诊断过程。+ }; F0 e" h/ L1 m
  1、进行失效分析往往需要进行电测量并采用先进的物理、冶金及化学的分析手段。
- T: J+ `; B7 j( ~8 v  V  2、失效分析的目的是确定失效模式和失效机理,提出纠正措施,防止这种失效模式和失效机理的重复出现。
& s2 _- H* q2 ]4 _- Q  3、失效模式是指观察到的失效现象、失效形式,如开路、短路、参数漂移、功能失效等。9 d: H$ N" j; N5 F) v8 ~0 f
  4、失效机理是指失效的物理化学过程,如疲劳、腐蚀和过应力等。! E6 c; ?/ V4 v3 ~1 t5 O
  失效分析的一般程序
% f7 L9 A0 i  v! v" t' o  1、收集现场场数据

' t% _, Q# S! V
  2、电测并确定失效模式
  q$ V. R' {. O5 S8 o  3、非破坏检查

       4、打开封装1 M6 X4 n1 |+ ?: x" I
  5、镜验3 r. \  G- f% E0 d4 f% o9 ^% m
  6、通电并进行失效定位
7 w/ Z- m% p  V8 o2 E4 I/ W# L  7、对失效部位进行物理、化学分析,确定失效机理。
: ~8 n3 d1 x1 ~0 w  8、综合分析,确定失效原因,提出纠正措施。7 F+ n  ^4 P! M8 U, P
  1、收集现场数据:6 ?8 g, a" w# d
  2、电测并确定失效模式
/ C; X4 x; o$ a3 o  电测失效可分为连接性失效、电参数失效和功能失效。* @" G4 t# D7 Z
  连接性失效包括开路、短路以及电阻值变化。这类失效容易测试,现场失效多数由静电放电(ESD)和过电应力(EOS)引起。' h: f9 v- I% ?* g
  电参数失效,需进行较复杂的测量,主要表现形式有参数值超出规定范围(超差)和参数不稳定。
, Y$ K' _% f3 G5 B8 I) l  确认功能失效,需对元器件输入一个已知的激励信号,测量输出结果。如测得输出状态与预计状态相同,则元器件功能正常,否则为失效,功能测试主要用于集成电路% k  h& }9 v: ?2 A* ^. b
  三种失效有一定的相关性,即一种失效可能引起其它种类的失效。功能失效和电参数失效的根源时常可归结于连接性失效。在缺乏复杂功能测试设备和测试程序的情况下,有可能用简单的连接性测试和参数测试方法进行电测,结合物理失效分析技术的应用仍然可获得令人满意的失效分析结果。, W/ F* l- K. F$ y
  3、非破坏检查

, `2 A, p+ o+ R6 j0 n5 C
  X-Ray检测,即为在不破坏芯片情况下,利用X射线透视元器件(多方向及角度可选),检测元器件的封装情况,如气泡、邦定线异常,晶粒尺寸,支架方向等。

# G8 v  n/ b) C+ k
  适用情境:检查邦定有无异常、封装有无缺陷、确认晶粒尺寸及layout, B0 l" {6 `( _, q- ^: @
  优势:工期短,直观易分析
2 E* }2 J+ \' @2 a7 k9 \  劣势:获得信息有限
: B' c$ I6 k9 r1 r  Z  局限性:8 H$ j/ B  i7 F- l- g
  1、相同批次的器件,不同封装生产线的器件内部形状略微不同;
) M5 ^" Q' M; S% ]5 ^: ?  2、内部线路损伤或缺陷很难检查出来,必须通过功能测试及其他试验获得。1 P1 v* w5 I0 T% V
  案例分析:  K! i) K! D1 B6 L
  X-Ray 探伤----气泡、邦定线

4 U' M& a  Z' n$ e) v% Z
  X-Ray 真伪鉴别----空包弹(图中可见,未有晶粒)


! q# z& u2 g) [* |7 {/ \; T8 ~  }  “徒有其表”

9 D' y- \) Y/ Y: a- [. Q
  下面这个才是货真价实的


8 h% G; e, d7 q* r2 W3 P6 v/ {  X-Ray用于产地分析(下图中同品牌同型号的芯片)


3 O6 U$ l: M6 |' F  X-Ray 用于失效分析(PCB探伤、分析)

5 ]3 ~1 q) f5 \3 B, E; ^0 X
  (下面这个密密麻麻的圆点就是BGA的锡珠。下图我们可以看出,这个芯片实际上是BGA二次封装的)

3 @1 x2 ^/ H9 I
  4、打开封装
7 z: Y( f  q7 u/ C* {" D# s. c( ^1 `  开封方法有机械方法和化学方法两种,按封装材料来分类,微电子器件的封装种类包括玻璃封装(二极管)、金属壳封装、陶瓷封装、塑料封装等。


* n& t% I- T  d4 m) J* j  机械开封
+ f* j0 Q/ @3 |  M) E$ A  化学开封
2 m# y) G- F6 r0 X: N& W, z  5、显微形貌像技术
% F- y  E. L7 `3 i3 T  光学显微镜分析技术7 R  r. T; C3 i* m  h. o3 `1 O
  扫描电子显微镜的二次电子像技术
* d9 Q- c/ d  F# p9 S2 C$ w  电压效应的失效定位技术
" F* O! K9 J& |) m- V, ]+ n  6、半导体主要失效机理分析

! d# r6 D5 d- ^+ |
  电应力(EOD)损伤
. [! Z' B9 |; L, i  静电放电(ESD)损伤
* S* z, Q& n3 v: M  封装失效
7 \' t* v! I/ y& P, I. l  引线键合失效* C' A: ]' y4 t6 F4 a
  芯片粘接不良; S# f! v) j- x+ y% [3 o' D
  金属半导体接触退化4 x' W" b3 q* @, o1 R% A1 r
  钠离子沾污失效
9 Z# l6 X( ]( T: |6 X; r  氧化层针孔失效

7 H7 R! ?; H2 o3 w8 o" w9 A. e

该用户从未签到

2#
发表于 2020-4-7 15:52 | 只看该作者
社会的发展就是一个发现问题解决问题的过程,出现问题不可怕,但频繁出现同一类问题是非常可怕的。
您需要登录后才可以回帖 登录 | 注册

本版积分规则

关闭

推荐内容上一条 /1 下一条

EDA365公众号

关于我们|手机版|EDA365电子论坛网 ( 粤ICP备18020198号-1 )

GMT+8, 2025-11-24 16:59 , Processed in 0.187500 second(s), 24 queries , Gzip On.

深圳市墨知创新科技有限公司

地址:深圳市南山区科技生态园2栋A座805 电话:19926409050

快速回复 返回顶部 返回列表