请各位帮忙分析一个DC-DC电源芯片的失效现象，多谢了！

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芯片简介：VIN=3V~6V的Buck型同步DC-DC芯片，高边管有boot电源，采用国内0.5um BCD工艺，使用5V低压mos/12V dmos器件
" O% C+ S  v. e/ f# O1 W+ C. n失效条件：VIN=4V时，一切正常；VIN=5V时，反复上电、反复关断再开启会损坏芯片。
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- m' K* S% ~: ~3 Y- Q- [- n失效芯片的表现：1）功能正常但空载电流变大到几十上百mA；2）功能正常但关断电流变大到几十mA；3）功能不正常，无输出；4）VIN对地短路。每颗损坏的芯片表现不一样，是前面1~4项的一条或两条。
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+ A7 x9 L  w+ X8 R其它，部分损坏芯片VIN ESD烧毁，但是ESD实验可以过4kV，Latch up测试也OK。EMMI实验可以看到VIN ESD器件漏电，其它部位不明显。
SW开关信号上冲下冲比较大，是功率管驱动能力太强了吗？
0 s" C% V8 w4 S3 O+ ~请各位有碰到过类似问题的大侠指点一下可能出问题的地方，或者测试分析手段。


) L1 u7 T. F3 `3 ]  `4 i4 t1 O在此谢过了！

一盆绿箩

可以FIB将驱动管砍掉一半看看