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芯片简介：VIN=3V~6V的Buck型同步DC-DC芯片，高边管有boot电源，采用国内0.5um BCD工艺，使用5V低压mos/12V dmos器件
c) O& j' Q' o/ \失效条件：VIN=4V时，一切正常；VIN=5V时，反复上电、反复关断再开启会损坏芯片。
, j1 h( y( }% |7 B% n# G' z# v3 L
0 R+ y6 V$ a6 |' X/ F& U
失效芯片的表现：1）功能正常但空载电流变大到几十上百mA；2）功能正常但关断电流变大到几十mA；3）功能不正常，无输出；4）VIN对地短路。每颗损坏的芯片表现不一样，是前面1~4项的一条或两条。
, [9 {! T) i0 u5 ~# t7 C- K& y& S# e' E& r }
. [1 L: k% k/ a+ X其它，部分损坏芯片VIN ESD烧毁，但是ESD实验可以过4kV，Latch up测试也OK。EMMI实验可以看到VIN ESD器件漏电，其它部位不明显。5 `/ Y+ S! k, S. U- e
SW开关信号上冲下冲比较大，是功率管驱动能力太强了吗？
/ i( X5 C: g/ v" H' ]+ K/ f请各位有碰到过类似问题的大侠指点一下可能出问题的地方，或者测试分析手段。
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, \$ Y: ?, s' R O" `3 }
/ B u( B/ [" S, j在此谢过了！4 Q& R% R* [8 n! x" n
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发表于 2020-3-18 15:53
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