失效分析的一般程序

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1、收集现场场数据
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2、电测并确定失效模式
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1 h7 W) V7 f, d) d电测失效可分为连接性失效、电参数失效和功能失效。
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9 m. r+ ]" [  q5 |/ h' g- b6 U" v连接性失效包括开路、短路以及电阻值变化。这类失效容易测试，现场失效多数由静电放电(ESD)和过电应力(EOS)引起。

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电参数失效，需进行较复杂的测量，主要表现形式有参数值超出规定范围(超差)和参数不稳定。


* w' w* e  ~2 c3 r确认功能失效，需对元器件输入一个已知的激励信号，测量输出结果。如测得输出状态与预计状态相同，则元器件功能正常，否则为失效,功能测试主要用于集成电路。

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三种失效有一定的相关性,即一种失效可能引起其它种类的失效。功能失效和电参数失效的根源时常可归结于连接性失效。在缺乏复杂功能测试设备和测试程序的情况下，有可能用简单的连接性测试和参数测试方法进行电测，结合物理失效分析技术的应用仍然可获得令人满意的失效分析结果。
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3、非破坏检查
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9 h7 i( `# q  F8 i8 c1 D# Y4 l6 fX-Ray检测，即为在不破坏芯片情况下，利用X射线透视元器件(多方向及角度可选)，检测元器件的封装情况，如气泡、邦定线异常，晶粒尺寸，支架方向等。





适用情境：检查邦定有无异常、封装有无缺陷、确认晶粒尺寸及layout


- Q( I1 P& u) c' s) `4 O8 U: X优势：工期短，直观易分析劣势：获得信息有限


局限性：


; l4 o4 i& Q5 @- W' K) s1、相同批次的器件，不同封装生产线的器件内部形状略微不同；

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2、内部线路损伤或缺陷很难检查出来，必须通过功能测试及其他试验获得。

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