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失效分析' d% \% G( w5 h7 b0 |' o* u
: P3 B# m* M2 o$ Y- m
失效分析的总章与目录。$ i& \& s( U: r4 w& K! a6 d
' ?$ f0 J# n5 C/ F3 d4 c6 }7 V
* F5 l& u T! F3 K5 C
失效分析基础
D6 M' K+ U1 ^+ r1 q) l/ ]/ F$ a4 o. x n0 ]! D+ |
l 可靠性工作的目的,失效分析的理论基础、工作思路
1 A4 f6 n% I8 r, j2 x6 e! S/ C" n
: u ~- R# S! f3 n" u1 Cl 术语定义与解释:失效、缺陷、失效分析、失效模式、失效机理、应力……
9 |7 a; r a5 U$ a( d
& Y z2 `7 \' t( [; M1 ul 失效分析的问题来源、入手点、输出物、相关标准
1 z8 ]' Y% ]* T' D) ]; k x, V8 m' ^; r% Q$ }8 k* @' r+ E1 t3 k2 j
. V0 Q Y+ |/ U
失效分析技术方法:$ M* H. U) H' c" ]
( G r6 g W2 \% ~
A、失效分析的原则
' u, ?8 g# b7 e. Q- f- G7 w2 b# D" ^1 ^; r, ?, C
B、失效分析程序
k. J9 C: {, m& \& \' a/ T" L ?- l 完整的故障处理流程
- l 整机和板级故障分析技术程序
- l 元器件级失效分析技术程序(工作过程和具体的方法手段介绍)
, O5 C+ F4 j0 \* ? , k) I! d& `6 r& \; Q
$ ]+ ^# G; _) F$ p, V
C、失效信息收集的方法与具体工作内容% K" z$ V5 V+ v- `0 x
- l 如何确定失效信息收集的关注点
- l 样品信息需要包括的内容
- l 失效现场外部信息的内容
- l 信息收集表格示例
- l 信息收集为后面技术分析工作贡献的示例7 ]3 j' ?3 H! l" \* p7 Y
' p! l8 E! U8 X' ?( L
. J/ n8 \* ^6 T/ ~# j7 _D、外观检查 h$ g' c# N- e; b
- l 外观检查应该关注的哪些方面
- l 外观检查发现问题示例
- l 外观检查的仪器设备工具& v. u9 |# K& X+ r; a2 p
}1 F. N$ n. V' i+ j, `
: w6 `# _, { }4 U7 eE、电学测试
0 y# M, R/ C0 s$ l- l 如何用电测验证失效模式和预判失效机理
- l 电测的具体方法
- l 几种典型电测结果的机理解析
- l 电测时复现间歇性失效现象的示例
- l 在电测中如何利用外部应力与失效机理的关联
- l 电测的常用仪器设备 H0 U! G1 P( Q9 w. f
: S t+ W5 [9 k% W
: m c4 `4 n% u6 I. a. } q
F、X-RAY
' b' n3 |6 ?5 K x- l X-RAY的工作原理与设备技术指标
- l 不同材料的不透明度比较
- l X-RAY的用途
- l X-RAY在失效分析中的示例
- l X-RAY的优缺点
- l X-RAY与C-SAM的比较, X# [; X( ? S$ Z* e( q9 _5 G
4 h+ X' A7 Q0 N. ^4 U5 g' I1 I6 V
! \5 t! @) r- e) N# J" ]7 `
G、C-SAM
7 q1 l- n# a8 x! c) j% c h7 \* P |- l C-SAM的工作原理与设备技术指标
- l C-SAM的特点与用途
- l C-SAM、X-RAY在失效分析中联合应证的使用示例
- l C-SAM的优缺点
& d% C. X; c" ?. W$ v1 T7 k
& A5 C% F+ H4 L& G' r6 U5 t# m+ R. g' D. o+ g" P3 L1 _# J- ^! w: @
H、密封器件物理分析+ E# B- N- @& s5 Y( u* V
- l PIND介绍
- l 气密性分析介绍
- l 内部气氛分析介绍
- I、开封制样
- l 化学开封的方法、设备、技术要点介绍
- l 化学开封发现器件内部失效点的示例
- l 切片制样的具体方法与步骤
- l 切片制样发现器件和焊点内部失效点的示例
5 n4 G7 g0 T' y , M7 a! c# |9 J, b* M" U3 C
9 }, n3 X( G8 j0 ~J、芯片剥层
7 F, }( F/ X+ x, |( k( X+ p- l 化学腐蚀法去除钝化层的具体方法,及其特点与风险
- l 等离子腐蚀去除钝化层的具体方法,及其特点与风险
- l 腐蚀钝化层后样品观察区的形貌示例
- l 去除金属化层的具体方法与示例
9 X- L* ~0 _4 x
6 H7 r0 \- G0 X% P7 ~. b0 s/ e5 e+ N1 N9 y ^4 T/ H/ |+ L
K、失效定位-SEM: g/ v) W! b. \1 o" k
- l SEM的工作原理与设备特点
- l 光学显微镜与SEM的性能比较
- l 光学显微镜与SEM具体成像区别示例
0 g3 r! @: v0 e. q! F 1 A2 p6 B* N. l/ a3 n# G
2 j5 ]8 [$ b6 {: N3 r3 m; K" @4 }0 L
L、失效定位-成份分析
- ^4 n9 k3 |4 e+ A- l 成份分析中的技术关注点经验
- l EDS、AES、XPS、SIMS、FTIR等成份分析仪器的用法比较
- l 成份分析在器件内部分析中的作用示例: v1 q$ Z9 V3 v8 Z5 L1 X% H$ D
2 O- H2 @# g3 q1 ~% A& W& C' s2 N0 _; M) `, C2 `
M、内部热分析-红外热相
" W- o& g; H. h/ ^) e- X
- v6 A! H1 n+ ^& jN、内部漏电分析-EMMI0 Q# z. _5 T1 o0 c/ s- ^; t( |! j
' _( I8 Z; ?* H6 s0 h) KO、芯片内部线路验证-FIB& U! N; d* {7 v% d7 n1 }3 v( W
% t {; |* s0 {: B4 s, U) h2 @) kP、综合分析与结论
- x) K3 ~' h$ V- \+ N$ Z% e- l 综合分析中的逻辑思维能力
- l 结论的特点与正确使用1 v {, s _1 d$ D/ m
. ~" J! e4 M; x5 R4 A
9 ~( V( {% {7 K) ?
Q、验证与改进建议
( g# ?3 h! c' {# W( c# x0 x* L- l 根本原因排查与验证
- l 改进建议及效果跟踪/ l7 u z9 d. b8 A/ h
) c5 i+ m* D, w Q
" V3 v( m/ X" ]4 j1 |' M/ w( N
7 ]! `. J4 N9 o' P7 j各类失效机理的归纳讲解与相应案例分析:
# @ Y: L. L. f# m" U* Q" f7 F7 }
$ E' B4 r. i( {% c# x X, Z4 U o1、失效分析全过程案例# Z' b: ~8 L" {, j& n1 S7 W# @3 c
- A、失效信息收集与分析
- B、思路分析
- C、过程方法
- D、逻辑推导
- E、试验手段
- F、综合分析
- G、结论与建议
% h$ T. P a$ k6 l) @/ ~5 g
, Q8 g' y; F5 y' Q1 O
7 l. S8 z' I' ?, ^) i% @3 r2、静电放电失效机理讲解与案例分析
* k0 g+ e* f1 u _8 e3 H# w, R- A、静电损伤的原理
- B、静电损伤的三种模型讲解
- C、静电损伤的途径
- D、静电放电的失效模式
- E、静电放电的失效机理
- F、静电损害的特点
- G、静电损伤的案例(比较器、单片机、微波器件、发光管、功率管)! J$ r9 j8 L' B, n, a& a
* t3 \$ D0 @4 U0 [5 l* m% s# E3 O/ K P
3、闩锁失效机理讲解与案例分析# d: p; U& ~+ x- ^6 A7 L( u( |
- A、闩锁损坏器件的原理
- B、闩锁损坏器件的特征
- C、闩锁损坏器件的案例(开关器件、驱动器件等)
- D、闩锁与端口短路的比较
- E、CMOS电路引起闩锁的外部条件
- F、静电与闩锁的保护设计
' Z+ u# R- R0 r0 @. W
& A! q% f% v; J2 d
2 ~& H" ^( P2 S, o% p4、过电失效类失效机理讲解与案例分析
( ?' l s% N( c3 k7 C( ^- A、过电的类型及特点(浪涌、过电压、过电流、过功率等)
- B、对应不同类型的过电的失效案例- C) Q1 O7 f* L( |3 O4 Q
0 I0 A+ w3 V F) m$ Y4 @' a
5 A: i! ^/ W# O! O- h8 y1 f( i5、机械应力类失效机理讲解与案例分析
: x/ m0 Q( i& M3 e0 h* }- A、机械应力常见的损伤类型" u) m1 Z! v: z E& v2 C9 f
$ J6 h7 S5 N6 b8 t7 O' ~! s
" u" i% s+ }" ~; o6、热变应力类失效机理讲解与案例分析; H" c- {& |5 c7 O; [' c2 |
- A、热变应力损伤的类型和特征
8 Q- o& y! D6 ?& K8 `
+ P4 L6 B+ q' |+ @8 z3 W
# x+ @+ ?% k2 G4 e3 H) ^5 E7、结构缺陷类失效机理讲解与案例分析
# _( Y7 ]: L- Y0 v! R- A、热结构缺陷的类型和特征
- B、发现缺陷的技术手段8 [/ n+ O K9 N9 J1 R1 x1 N
& T' f, T7 n i- _! @
' F; e9 U# D! |' q
8、材料缺陷类失效机理讲解与案例分析
! d, S/ W6 k! x6 b- A、绕线材料缺陷
- B、钝化材料缺陷
- C、引线材料缺陷
- D、簧片材料缺陷
- [. b% e% F( D+ V7 i B' [
* a9 L/ m4 @9 M. ^5 k$ R
/ ~6 E; x. ^" j9、工艺缺陷类失效机理讲解与案例分析( i: J6 F/ X& }( W/ R
- A、工艺缺陷的类型和主要特征,发现手段& W3 p: z1 B6 ?2 W, }3 I) W
7 V$ f4 h+ u6 h9 z6 \
: G" L- `9 j5 @; J
10、应用设计缺陷类失效机理讲解与案例分析
3 z/ ?8 w- C- O% T x! q* a5 `" y; G1 y, o& \9 Z$ z* I
11、污染腐蚀类失效机理讲解与案例分析
* h) G# @- S+ A3 ]4 }- A、污染的来源与类型,腐蚀的主要原理
' L: g w" n: B9 f5 g4 l- | b. Z: f8 n4 @% v, @
4 z1 A( ]8 |0 [& l$ m, ~' G7 c12、元器件固有机理类失效机理讲解与案例分析
) |( R2 i* v2 U, ?& A. C- A、不同类型的元器件固有失效机理的归纳7 p, @! f$ u" h. \- `, J; X- M
H p( Q( [6 l* Y+ y7 v q. F
8 c8 Y% K/ L3 E, l6 b% U* k; ^13、面目全非的样品的分析
' d* _* }9 k& ~1 L2 Y3 o ~" S7 x! l% G0 X
来自于—工业和信息化部电子工业标准化研究院
; r) W* Z4 o1 `% j. c, M4 L- u/ v3 D' W+ q; `
《电子产品及元器件失效分析技术与经典案例解析》专题研讨7 I" I; k; `% O9 Z3 u* R
$ c2 ^/ m. j. K, e% f
0 j) v! X% y5 H4 U
8 P/ C3 O0 b) ^0 ^( o/ T6 J3 }" [ |
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