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5 N9 e g* g1 l3 Z' R失效分析3 E1 A4 P( O3 L- v# l: r- |
失效分析的总章与目录。
! v4 f: C, H( B, z) J* [2 d l/ L8 i; d2 w7 l* W
失效分析基础
$ p2 ~. d" a' d |- ^7 Rl 可靠性工作的目的,失效分析的理论基础、工作思路5 _8 P3 v5 y6 M
l 术语定义与解释:失效、缺陷、失效分析、失效模式、失效机理、应力……! N4 y: K5 r5 U
l 失效分析的问题来源、入手点、输出物、相关标准, Q9 ]& H1 X$ A4 G
) ?0 H3 q' I; j
失效分析技术方法
3 {2 [6 @/ `7 H! V9 t' _A、失效分析的原则) Q! Q! W- H! |, z' b
9 ]$ m5 ]" S: n8 CB、失效分析程序* E' ~( f8 S o2 N4 |; \1 w* |( v
- l 完整的故障处理流程
- l 整机和板级故障分析技术程序
- l 元器件级失效分析技术程序(工作过程和具体的方法手段介绍)
& B6 n; i5 x1 } B" X+ e$ v 4 ~$ S3 F) B; Q# A. Q
C、失效信息收集的方法与具体工作内容4 [) q' M* O( P8 `3 g# s
- l 如何确定失效信息收集的关注点
- l 样品信息需要包括的内容
- l 失效现场外部信息的内容
- l 信息收集表格示例
- l 信息收集为后面技术分析工作贡献的示例
. S3 T6 S$ V1 {! J
1 Q: Q& Y; x8 Z/ O; g, A) eD、外观检查% q0 y8 C+ a: d8 V) E9 S8 |
- l 外观检查应该关注的哪些方面
- l 外观检查发现问题示例
- l 外观检查的仪器设备工具2 H L$ t3 `7 y: Q& t* ^
) p8 U# ?8 Z- H
E、电学测试- R2 @( c& }0 k3 W0 F" m9 X
- l 如何用电测验证失效模式和预判失效机理
- l 电测的具体方法
- l 几种典型电测结果的机理解析
- l 电测时复现间歇性失效现象的示例
- l 在电测中如何利用外部应力与失效机理的关联
- l 电测的常用仪器设备) m+ ?6 A8 U" r6 }: G
3 T1 h3 m- @# V: V
F、X-RAY7 [8 O( y& o3 h3 T l" B
- l X-RAY的工作原理与设备技术指标
- l 不同材料的不透明度比较
- l X-RAY的用途
- l X-RAY在失效分析中的示例
- l X-RAY的优缺点
- l X-RAY与C-SAM的比较
1 _, J# `6 Z0 Z% M% V. z
% X- Y/ o5 [( D7 Z, t" o# Q5 F4 L& b5 KG、C-SAM. f! ?$ ^8 i7 c6 {2 e
- l C-SAM的工作原理与设备技术指标
- l C-SAM的特点与用途
- l C-SAM、X-RAY在失效分析中联合应证的使用示例
- l C-SAM的优缺点+ j$ `! d0 U& Y$ @7 p
" v0 f, ~8 _0 q# J; M. zH、密封器件物理分析5 w2 {4 ?9 N i: c/ M8 g% A
- l PIND介绍
- l 气密性分析介绍
- l 内部气氛分析介绍
- I、开封制样
- l 化学开封的方法、设备、技术要点介绍
- l 化学开封发现器件内部失效点的示例
- l 切片制样的具体方法与步骤
- l 切片制样发现器件和焊点内部失效点的示例8 G1 W3 G$ O+ j, N' w# M: I
: l" T B8 @* j; d2 |. f
J、芯片剥层 ^/ i8 ^3 L+ G
- l 化学腐蚀法去除钝化层的具体方法,及其特点与风险
- l 等离子腐蚀去除钝化层的具体方法,及其特点与风险
- l 腐蚀钝化层后样品观察区的形貌示例
- l 去除金属化层的具体方法与示例/ }1 u+ }( F5 j9 h( n
# o7 T5 ?. s: Y6 M% r/ N! @K、失效定位-SEM6 Q1 c/ W7 |% j; o! O+ d3 ~( a" Z% p2 |
- l SEM的工作原理与设备特点
- l 光学显微镜与SEM的性能比较
- l 光学显微镜与SEM具体成像区别示例7 Z" {0 W, E2 I& t; n
8 V9 N, ^, _: Z' F" H4 E7 C4 @L、失效定位-成份分析9 g9 B! B0 v* l& X4 j
- l 成份分析中的技术关注点经验
- l EDS、AES、XPS、SIMS、FTIR等成份分析仪器的用法比较
- l 成份分析在器件内部分析中的作用示例$ Y6 O$ B1 i) Y4 P( K, P# L. t
- {6 t `1 [% y! \2 rM、内部热分析-红外热相
: ^3 p. q- u/ }
1 ~* K" \6 L) iN、内部漏电分析-EMMI
+ e0 T1 U U& A+ v3 `! K" n: t/ i' Z
O、芯片内部线路验证-FIB* `! E4 G" S, [8 ^9 Y0 N
, q+ y. A6 f3 S, C% d/ y2 bP、综合分析与结论5 l4 x7 T) ^/ J
- l 综合分析中的逻辑思维能力
- l 结论的特点与正确使用
! |7 z* {2 P( y
+ z* o5 Y2 F) NQ、验证与改进建议
$ ^9 b2 e2 P7 F/ D- l 根本原因排查与验证
- l 改进建议及效果跟踪
; D) l) \# A& {: f; n/ |( J
; B8 J- @2 ]: E9 O8 T
: B9 y& _, d l$ @5 ^! c. M各类失效机理的归纳讲解与相应案例分析
6 [: P, ^3 }7 ~. ]* E/ N1 s% R$ i% Y
1、失效分析全过程案例
! \/ V% x* y* ?( N- A、失效信息收集与分析
- B、思路分析
- C、过程方法
- D、逻辑推导
- E、试验手段
- F、综合分析
- G、结论与建议/ h7 K# Z( k% k$ `
, [& d1 j* A0 i, x3 P/ G& U* N1 N" O2、静电放电失效机理讲解与案例分析
3 i& e% g. j3 E- A、静电损伤的原理
- B、静电损伤的三种模型讲解
- C、静电损伤的途径
- D、静电放电的失效模式
- E、静电放电的失效机理
- F、静电损害的特点
- G、静电损伤的案例(比较器、单片机、微波器件、发光管、功率管)" o# b! T/ ^! s: |8 b8 ` ]
) }$ B) S8 p4 k5 |9 r" f
3、闩锁失效机理讲解与案例分析( G! c. f5 H3 O2 {' U+ o+ q7 Q5 E0 [# r
- A、闩锁损坏器件的原理
- B、闩锁损坏器件的特征
- C、闩锁损坏器件的案例(开关器件、驱动器件等)
- D、闩锁与端口短路的比较
- E、CMOS电路引起闩锁的外部条件
- F、静电与闩锁的保护设计
, P* r7 U) l& P$ k; w
4 z: P1 C' u2 ^2 h9 `, O4 b4、过电失效类失效机理讲解与案例分析0 m5 x) S y0 j6 M1 y9 l2 Z) Y
- A、过电的类型及特点(浪涌、过电压、过电流、过功率等)
- B、对应不同类型的过电的失效案例! g- P$ O* B; V; ^" o; ]4 z0 r" P
) w5 h& p. L! ?0 K% o5、机械应力类失效机理讲解与案例分析
z9 k3 B/ w. `- A、机械应力常见的损伤类型4 q1 S8 f2 B* u" q, z
B8 b6 Z" V* h( S9 D
6、热变应力类失效机理讲解与案例分析
) V$ B2 @7 Q3 o( \- A、热变应力损伤的类型和特征+ r% I P' v) J3 Q x2 V* e
2 F3 Z* z. ]; g; X8 m' p
7、结构缺陷类失效机理讲解与案例分析
2 y3 n/ z1 O0 b/ \! f& k- A、热结构缺陷的类型和特征
- B、发现缺陷的技术手段
) R# `1 }2 {( b3 Z$ L ( j, x! r7 P6 s, w5 u$ B; F
8、材料缺陷类失效机理讲解与案例分析1 H# @0 C, L/ Q4 _, T& g- c
- A、绕线材料缺陷
- B、钝化材料缺陷
- C、引线材料缺陷
- D、簧片材料缺陷* K, e) J; `, t/ H
* s+ Z5 w) ~6 g* K. ]; p8 K9 l% z( h9、工艺缺陷类失效机理讲解与案例分析
; }1 M/ N4 H! E) S6 U% X3 H# c p- A、工艺缺陷的类型和主要特征,发现手段* i) l, Q& @% z5 M9 M
/ C5 A0 s+ ]7 U5 s: b) c10、应用设计缺陷类失效机理讲解与案例分析1 L" f2 w; M7 {3 q
7 z) Y S+ y+ w# [% R$ b7 c+ u* M11、污染腐蚀类失效机理讲解与案例分析
/ b2 K* X+ ^! w; T7 {4 n! M- A、污染的来源与类型,腐蚀的主要原理/ k4 ~- ~) `6 I$ r, P6 g7 u8 Z8 \
% C' p7 I* d! [* Q5 c9 ~5 u4 P12、元器件固有机理类失效机理讲解与案例分析! k/ Q- c) M% `3 ]- ^
- A、不同类型的元器件固有失效机理的归纳
9 \ y& i' `/ n7 N! e4 u# G : l. [( E7 L; u9 B
13、面目全非的样品的分析
9 y1 r5 k( y/ Y6 n2 J7 o: n8 t J# e3 v7 c1 r! Q
来自于—工业和信息化部电子工业标准化研究院4 i2 M4 W n5 ]' I X# F; J
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《电子产品及元器件失效分析技术与经典案例解析》专题研讨& s8 T6 J6 m4 \
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