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Si24R2E集成NVM的超低功耗2.4GHz GFSK/FSK无线发射芯片( x; f0 I+ {) C4 S6 X0 d- r( }+ v
Si24R2E是一颗工作在2.4GHz ISM频段，专为低功耗有源RFID应用场合设计，集成嵌入式发射基带的无线发射芯片、128次可编程NVM存储器以及自动发射模块。工作频率范围为2400MHz-2525MHz，共有126个1MHz带宽的信道。
. b8 a; O0 ?3 i( r 当打开启自动发射功能，内部Watchdog与内部RCOSC工作时，芯片睡眠状态下待机电流仅为700nA。当内部timer定时到时，自动发射控制器自动完成数据从NVM的装载与发射，数据发射完成后，芯片立即进入睡眠状态，因此Si24R2E的平均功耗非常低，对于电池供电应用，可以非常容易实现五年以上的待机时间。
/ H! H2 I3 m" E! T: M$ t
% K/ x, m4 \! a7 f1 t Si24R2E操作方式非常方便，可以不需要外部mcu，可以自动完成数据装载与发射。NVM存储器可以存储寄存器配置与发射的数据内容，掉电后不会丢失，数据可保持10年以上。在3.3V供电电压下，无需外部高压，外部MCU可以通过芯片的四线SPI接口完成NVM的配置编程，芯片最大可编程次数为128次，芯片支持NMV加锁，防止NVM配置数据回读，保证用户数据安全。% ~1 H, P& r5 ?6 [# m+ d$ n
/ J2 I/ ]- F2 M$ W1 L9 J9 m Si24R2E也可以在外部MCU控制下工作，芯片不需要额外接口，外部微控制器（MCU）通过SPI接口对芯片少数几个寄存器配置即可以实现数据的发射，芯片完全兼容Si24R1发射功能，在不打开自动发射功能时，芯片功能与配置方法与Si24R2完全相同。
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Si24R2E具有非常低的系统应用成本，可以不需要外部MCU，仅少量外围无源器件即可以组成一个无线数据发射系统。内部集成高PSRR的LDO电源，保证1.9-3.6V宽电源范围内稳定工作。' f# a! R4 g/ ` w
主要特性
8 E g. w( P; J' ~% | $ T J! d! ?6 G; r1 j2 G+ U
内置128次可编程NVM存储器
" P9 S$ d& F+ K/ V: \+ r
; ^+ V; a$ r' D/ M1 C0 W/ @ 3.3V编程电压
7 t* W/ P) K5 S8 E; U6 k9 ]% x 3 s$ I/ X' @) b! T I
9 T! F0 t3 l6 k3 t+ {; F0 x 超低功耗自动发射功能1 Q& K+ _; ]9 ~1 s: c
7 V B% n$ f( X! v- Q7 c$ d" t
内置硬件Watchdog
' Z2 P/ _* b* X# H+ G8 G' J
$ M. z" A4 s$ x! |& d
% @# ?; X7 T0 k+ T' V `3 S 内置3KHZ RCOSC
4 J, `/ u8 O% c2 p" R; N8 j , s+ x% @" h/ g
内置低电压自动报警功能
$ F) H8 j: e3 V
- v( I( v& `) a. A; e- M% I6 F
5 n, R" w e7 p( t3 Z) X 超低关断功耗：0.7uA
6 Q4 j% ?( s3 N( y3 p; l
9 R7 ^- h s' [# n4 ?* {- A6 d 宽电源电压范围：1.9-3.6V' ^. {3 p( v6 K& H" _8 |+ X
5 U: e( s# O3 d* t
5 e n: O0 @+ _7 z9 ]) z4 Z 超低待机功耗：<15uA
0 ~; S; Z. y8 N# c5 c6 r
; r1 U- [ j1 N! z! | 数字IO电压:3.3V/5V
3 [% a* e& e4 g+ S ) D7 W4 H* k( [' p( W" U; B
- h* r( b7 [+ U5 R 发射电流（2Mbps）:13.5mA（0dBm）3 _7 B: a) x9 r' K/ R: I7 ~6 I: l6 u" }
% r! |7 \7 G2 s! W- u 内部集成高PSRR LDO& a% P0 n; N3 i0 p
" m' O5 W* ]# |6 c
3 c9 f2 ~0 a5 y7 B
最高发射功率：7dBm （23mA）
* b! b% R4 F: V7 m _, X# J
, r0 R) ]7 n3 l6 [$ x9 z 10MHz四线SPI模块
4 [9 p8 r/ W* P& ?5 Y6 |/ t
' {6 W- l# g$ G
1 j+ m" y7 ?8 Z8 q) H 调制方式：GFSK/FSK$ g& q6 E1 ~* q! x
9 j2 k9 b; w) z 收发数据硬件中断输出8 p ~4 m: G% d' l" k7 ^
; k6 y7 g! S& h. f' f 8 D( L: N8 U: _8 p0 U- s5 Y/ B' p' s0 f
数据速率：2Mbps/1Mbps/250Kbps- z0 m8 Y3 L# L/ C5 |1 I$ H
& f/ z, a" }( ]2 N/ ]1 d 完全兼容Si24R2
, u( c" F( w" i$ l% v; E& _ 6 d# f* F, i s+ x) g4 y! O3 z% N
0 F: A, {) e( |* {9 `' c6 _- F
快速启动时间：<130uS" l, K* v3 ]5 z
3 `1 t% y1 d# v/ E; h4 { E
完全兼容Si24R1发射功能
$ @7 t2 h8 U+ i' Q5 K! S
1 o7 `6 d( s+ _( }# h1 M% z( F ( }: Q; u5 A0 F
低成本晶振：16MHz±60ppm6 y& e: P. O& g9 j& w1 a! i
4 M% ?8 g# q8 v. }" ~ QFN20封装或COB封装 目前这款对这款芯片有点小心得，项目也开始启动量产，我将这个芯片的数据手册以及案例发上来，给大家参考，同时欢迎各路大佬给建议或者交流。
4 m `5 j, D$ O |
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发表于 2019-12-26 10:21
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