关于mmic的偏置电路

prain

如图，这是AMMP-6408的偏置电路，画圈这里的线是连接到芯片下面的ExposedPad吗，那EP还要接地吗

prain

还有引脚1和引脚7闯过RFin那根线怎么做，一般是背线还是跳线呢

cariban

这个芯片已经是obsolete了，你确定要用它?

prain

cariban 发表于 2019-12-17 18:27:31
5 F( i# F. h( u1 q/ P这个芯片已经是obsolete了，你确定要用它?

& X; J) g" _7 Q% |8 g; s
( _8 {; G) _; v1 Y1 |刚好合适。。能说说它怎么连吗，拜托了
% ?/ l8 W: \  f  z

THL

画错了嘛，是人就会出错的
看起来你框住的那根线应该是多余的

prain

THL 发表于 2019-12-18 14:42:10
" j$ D$ x( [+ T4 G6 n* N8 X8 t画错了嘛，是人就会出错的
看起来你框住的那根线应该是多余的

+ m. I4 p! {/ H6 l+ N: @
% k$ e8 B+ I6 Y) Y" |这样啊，那这两个电容就是引脚7的旁路电容了，但引脚1也是Vgg，需要添加和引脚7一样的电容吗。或者说有两个-0. 8V电源分别给这两个引脚供压，只是这上面没画出来。
6 L* M6 h! t1 E5 g, T* \# f

THL

prain 发表于 2019-12-18 15:38
- m: y0 M& ^' I2 q9 ^* z这样啊，那这两个电容就是引脚7的旁路电容了，但引脚1也是Vgg，需要添加和引脚7一样的电容吗。或者说有 ...

看你具体电路的工作频段吧，我看这个参考电路的去耦电容配置法，一般也就保证1GHz一下的工作性能，1GHz以上就很难说。
这个芯片这种对称结构的设计，最好每一边的电源管脚都能就近配置小容值去耦电容，因为小容值电容的去耦半径更小，工作频率越高越需要这么做，这也是我会得出上面结论的原因。1uf这么大的一般丢到这一个电路的电源总入口处

prain

cariban 发表于 2019-12-18 16:15:13
: F+ _; b" J8 i+ x0 |9 E) X/ Q
+ {8 h! ]3 u# L
, x6 J3 p" t5 t' o3 |" n$ k[quote]prain 发表于 2019-12-18 15:38
这样啊，那这两个电容就是引脚7的旁路电容了，但引脚1也是Vgg，需要添加和引脚7一样的电容吗。或者说有 ...

$ r2 ?" p; R5 Z  B. [# Mhttps://docs.broadcom.com/docs/AV02-0243EN
' a( H6 V2 z& @7 L& O
datasheet里说得很清楚了，底部的pad就是GND，大功率芯片基本都是这种设计，方便散热。
2 Q( x! ?* |2 c7 v6 r
参考电路注释说了，Pin 2 和Pin 6, Pin 1 和 Pin 7, 两者在芯片内部是连接的，外部连接可以二选一。推荐即使不连的管脚也放一个100pF的电容防止串扰。

$ x- S/ ~7 l. N$ j7 ]1 \$ ?* W3 T
6 M+ C* S! H9 a建议楼主把这个链接里的文档都过一遍，你需要的答案都在这里面

! O& D- O* C1 i( g* R0 dhttps://www.broadcom.com/site-search?q=ammp-6408
- U4 c( I/ @) e# b. p) e! y5 D1 N


* l3 h+ y7 X$ V6 P6 X( ]* v7 ], M[/quote]

; |0 \, ^: b7 N# |  v% _0 V1 {. K好的 万分感谢

prain

THL 发表于 2019-12-18 16:25:03
[quote]prain 发表于 2019-12-18 15:38
这样啊，那这两个电容就是引脚7的旁路电容了，但引脚1也是Vgg，需要添加和引脚7一样的电容吗。或者说有 ...

! P5 J9 H9 z( h) n7 U看你具体电路的工作频段吧，我看这个参考电路的去耦电容配置法，一般也就保证1GHz一下的工作性能，1GHz以上就很难说。
. n; J- w3 C- |这个芯片这种对称结构的设计，最好每一边的电源管脚都能就近配置小容值去耦电容，因为小容值电容的去耦半径更小，工作频率越高越需要这么做，这也是我会得出上面结论的原因。1uf这么大的一般丢到这一个电路的电源总入口处
[/quote]
5 }$ b9 C1 N4 K9 Q9 m
那要做6-18g配置多大电容比较好呢
/ C) v) h' `& u6 t

THL

prain 发表于 2019-12-18 17:27
3 a: T4 p) _& A& C* U' U看你具体电路的工作频段吧，我看这个参考电路的去耦电容配置法，一般也就保证1GHz一下的工作性能，1GHz以 ...

* `: B% _' s5 Y! Z6G以上的话，不仅仅是容值的问题，常规的贴片封装电容都很难满足了，寄生参数的影响太大，很难在工作频段内保证去耦电路对芯片来说做到零电容的程度。
9 G! F& f; B. h具体的相关计算你去参考一下李缉熙写的《射频电路工程设计》这本书，好像在射频电路书籍分享贴子里有下载。
! c( ~9 e5 W- a不过你看的时候里面的计算结果和公式最好自己也跟着推算一下，不要忙信各种数据结果，还是有一些翻译和编辑上的错误。
( s; L- R" r* R7 K

prain

THL 发表于 2019-12-18 19:07:42


[quote]prain 发表于 2019-12-18 17:27
4 |$ G& q5 n7 ~看你具体电路的工作频段吧，我看这个参考电路的去耦电容配置法，一般也就保证1GHz一下的工作性能，1GHz以 ...

& U" x5 H1 y, F$ K6G以上的话，不仅仅是容值的问题，常规的贴片封装电容都很难满足了，寄生参数的影响太大，很难在工作频段内保证去耦电路对芯片来说做到零电容的程度。
- ^; ~3 i; [" n7 h具体的相关计算你去参考一下李缉熙写的《射频电路工程设计》这本书，好像在射频电路书籍分享贴子里有下载。
不过你看的时候里面的计算结果和公式最好自己也跟着推算一下，不要忙信各种数据结果，还是有一些翻译和编辑上的错误。
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2 X+ X- V. V- d' z/ w+ U好的 谢谢