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I2C七宗罪之第三罪

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  • TA的每日心情
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    [LV.8]以坛为家I

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    1#
    发表于 2019-1-11 14:01 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |正序浏览 |阅读模式

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    本帖最后由 alexwang 于 2019-1-11 14:07 编辑 ! V; Q9 V+ A2 I
    6 r" k9 o9 L' N
    I2C七宗罪之第三罪
    EDA365原创 作者:John
    3 T: X* F4 V. z. H3 u
    前面说过I2C第一罪(复位)I2C第二罪(电源),今天来看看:1 N  `% j2 J* b

    & H5 s: S5 N8 C8 E3 m$ W9 @
    I2C第三罪——时序

    我们都知道I2C是open drain的,不是普通的push-pull,我们也知道open drain的接口信号需要加上拉电阻,那么为什么要用open drain呢?上拉电阻的阻值是否需要计算考量呢? 我们先来说说为什么。


    / `) X; w- x5 S0 I; t* I

    第一个问题, 为什么要用open drain?

    " z' U5 Z7 q7 d! B0 V

    请看下图,I2C总线的拓扑往往是由于多个设备直接线与连接在一起的,最常用的就是一个master(一般是一个CPU)和多个slave设备(比如EEPROM, Thermal Sensor等等)。这样子的连接比较简单,容易理解,可是你知道吗?这也会有坑。


    # `$ }8 I* ?# E# W# ?

    6 C- P* _5 y+ @

    我们先来谈谈为什么不能用普通的push-pull,而是一定要用open drain,一张图告诉你二者的区别,所谓的push-pull就是由一个PMOS和一个NMOS组成的。

    # o* P! d! [+ }$ I4 k

    1.当输出高电平时:PMOS打开NMOS关闭;
    2.当输出低电平时:PMOS关闭NMOS打开。

    4 P0 [5 f4 l6 M& Z+ M9 H2 j
    7 d5 p" W7 d- V7 K5 V

    如上面的图左,此PMOS和NMOS交替打开和关闭,分别输出方波的高低电平,但是图右的open drain buffer则只有下面的NMOS:

    ! {0 ]2 o5 t, {5 b" a$ w

    1.当输出高电平时NMOS关闭,输出处于floating的状态;
    2.当输出低电平时NMOS打开即可。

    & {# N/ q6 h+ F0 K; C

    如此我们看出,open drain的输出高一定要借助外力,这就是为什么我们检查I2C的设计时,一定要确保外部有上拉电阻才行。那么为什么呢? 如果我们用push-pull会产生什么样的情况?


    , R4 `, d, X, q2 y- _  t3 }

    上面第一张图已经解释了,I2C是有很多设备线与连接而成,如果采用push-pull的output buffer的话,难免会出现下面的情况,一个设备输出高,另外设备输出低,也就是左边设备的PMOS打开而右边设备的NMOS打开,这样就在VCC和GND之间形成短路,此时大的电流会把设备烧毁,后果是灾难性的。这种现象还有专门的英文名字叫bus contention。

    9 U# n; S8 m! _( C

    为什么取了个这么奇怪的名字呢?

    5 H. M; N) }( H( a9 o; [- W: X' f

    这还得从老的那些个公用总线说起,对于I2C来说,解决bus contention的方法很简单,那就是使用open drain,因为一共就两根信号线嘛。但是,老的产品很多并行的共用总线,比如一个32bit甚至64bit的总线,那就不能用open drain了,因为那么多的上拉电阻加在板子上,那PCB工程师可吃不消啊。

    8 a; `* A8 @/ _1 J  j# L

    所以人们就发明了三态门,这又是怎么回事呢 ? 我们知道64bit的数据总线是双向的,如下图所示:


    ; Z1 F* q/ \0 m7 _! \

    % e% M! Y$ V  _0 i& Y" ~7 ]+ [! I

    当系统在复位或者紊乱时,总线的所有设备都自动把自己的data buffer设为三态,那么什么叫三态门呢?顾名思义就是:


    ( Y- x! I! E' I) h/ R( n7 y

    1.输入、2.输出、3.三态

    0 h# A4 Y1 `. F/ w8 g

    接着上图,绿色为输出buffer,红色为输入buffer,当两个buffer都被disable时,就是所谓的第三态输出。

    8 _. c- j0 ?0 h; Z5 Z

    故此,我们总结出一个规律:但凡多个设备直接相连并且双向输出的总线, 要么设计成open drain,要么设计成三态门。回到上面的bus contention,这个名称其实不是来自于I2C这种低速简单的总线,而是来自于高位宽的并行总线。看下图如果左边任意两个buffer同时为输出的话,那么就产生了bus contention,后果不堪设想。


    ' J$ @6 v. |$ e3 N! |


    " m; X+ @7 X) R% K

      N) ~' F1 ~' L
    第二个问题,上拉电阻的阻值是否需要计算考量
    ; K% W6 H& e& q' B

    现在我们明白了I2C为什么一定要用open drain加上拉电阻的方式,那再来说说上拉电阻的选择,曾经我在C公司的一块ASR路由器的板子上,有一颗I2C芯片在高温时,就访问不了,但是在常温和低温下就一切正常,其实现在我们根据结果来说这个问题,就没有啥意思了,因为说者有心,听着无意。

    我们刚刚开始压根没有怀疑上拉电阻的事情,各种调试手段都上了,比如更换不同的芯片,用协议分析仪找出高温失败时的读写波形,另外在高温温箱的情况下,捕捉并且定位这种问题也是非常困难的,最痛苦的是这种fail的问题很少能复现。

    1 W7 t4 d4 U9 O( f' u

    这里我们先来思考一个问题,I2C是latch,不是flip-flop,再通俗一点说就是电平触发,不是边沿触发,所以通常情况下,我们是不关心上升沿和下降沿的,可是偏偏问题就出在这里,我们的芯片会对SCL和SDA的边沿提出要求,这又是为什么呢?

    4 b$ u) Q2 J1 Z$ Z

    5 D1 X- l9 K* g# ^- ]

    先把这和个问题留着,看下面这张图,当SDA输出高电平时,是蓝色的箭头,有VCC通过上拉电阻和电容充电,而当SDA输出低电平时,是红色的箭头


    8 k# d* l3 [3 e) j0 l  z: f

    ; g  I7 ~7 H& B: Z( \$ J

    我们很容易就能看出,输出高比较慢,因为有电阻和电容的阻挡,需要通过RC进行指数充电,而输出低电平就比较快,因为从电容放电到地全程无遮挡啊,所以下面我们之研究上升沿。

    , }9 l6 ?! q7 |' l


    4 n$ k. O  C: K5 J

    这里有人会问,这里的电容是从哪里来的,问得好。我们知道复杂的大板子上面芯片之间的距离比较远,走线的杂散电容比较大,另外板子的I2C接的芯片数量比较多,每个芯片的输入pin的电容加起来,就形成了这里的一个总的电容,为了描述方便,我们就用一个电容代替。


    ; w1 z8 V) w: [5 A& w& }; l; {) d

    现在我们来回答为什么I2C会Rise time提出要求呢? 太慢了会有什么问题呢?我们先看下面的表格,I2C其实也有fast mode的形式,据说I2C的频率也会有到5Mhz的,图表中我只看到400Kbit/s,我们在表格的最右面已经看到对上升时间的要求随着频率(或者叫速率)的提高,也越来越苛刻。

    我们来用一张图来表达,当上升时间太慢会产生什么样的问题,图中SCL信号如果Tr够快的话,就是红色的信号,而Tr不达标太慢的话,那么就会是蓝色的信号。
    % O2 X  X' }7 n  |4 {! U2 x; Y
    - x: m+ p- i0 n" k
    不难看出,蓝色线越过绿色的threshold的时间太短,导致接收端不能正确识别出高电平,当然接收端也就不能正确latch SDA的数据了。

    ' H& `) P9 D" ]6 i- {( W

    好的,现在我们明白了I2C信号的上升沿是有要求,尽管只是Latch,但是对边沿仍然有要求,而且只对上升沿,下降沿因为很快,所以无需担心。下面我们来讨论什么情况下会让I2C的Tr太慢导致问题呢?请参考上面有一张RC充电的公式以及下面这张图, 我们看到t=RC, 也就是两个因素:


    ) p9 i2 t  p: m$ [3 ~/ h& j

    1.电阻值、2.电容值

    2 t/ w+ n- K( F' ^" P
    $ w! L2 T( T' _! ]


    1 @6 `, n) K8 k) ?5 Y

    首先来说电容值,这个是我们改变不了的,如前面所说大板子面积大,总线上的设备多,走线非常复杂,导致各种芯片的输入电容相加,再加上又长又复杂的走线带来的杂散电容,我们是无法改变的,除非重新设计板子,加双向buffer,但是打工的工程师都知道,老板不允许啊。


    ' n4 j8 H' @; P: X

    我们能改变的其实就是电阻了,我们先来看下面示意图,通过适当调整电阻值,我们可以获得比较合理的上升时间,满足接收芯片的要求并有一定的margin就可以了。


    ) Z- y/ x1 o  y' q! Y  a$ J9 i


    ! V6 M# V# P+ M

    但是电阻值的改变是需要精心计算的,不能太小也不能太大,而是要合理,我个人建议分为两步走:

    2 m# z7 W& ~- O% Z& f3 W8 G& B

    1.先确定最大值:取值太大的话,会导致两个后果,一是芯片接收端驱动能力不足,而是上升时间不够,下面的两个公式分别对应这两个现象,我们去其中更加小的值。

    + o% ]% }- e! `: z
    * N# `1 r. q7 i* y, z, I+ o
    2.再确定最小值:电阻取值太小的话,会导致Vol太大,芯片低电平下不来,我们举个极端的例子,就是上拉电阻为0时,不能产生低电平,下面的两个公式都是一个意思,一个精确考虑了电流,一个精确考虑电压,思路都是一样的。
    * `3 n0 P1 K; W3 I& M6 m/ N

    0 q- x; z; I/ J1 V

    最后揭晓一下前面我在C公司遇到的问题,经过很多实验,我们证明了I2C设备确实对信号的上升时间有要求,尽管只是电平触发的Latch。很多事情当你遇到了,历经苦难地解决了,才能记得清楚牢靠,也最能理解。希望工程师们在解决一个问题后,不要忙着开心欢喜,而是要多做总结,这样才能真正变成自己的经验。

    0 ?$ o3 R% b9 s) }8 Q

    注:本文为EDA365电子论坛原创文章,未经允许,不得转载。

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    该用户从未签到

    5#
    发表于 2019-12-18 20:35 | 只看该作者
    谢谢资料分享

    该用户从未签到

    4#
    发表于 2019-11-19 18:18 | 只看该作者
    各位,有john大神的联系方式吗,很想认识一下,我邮箱2929219135@qq.com

    该用户从未签到

    3#
    发表于 2019-7-2 11:25 | 只看该作者
    非常好的知识,支持
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