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[仿真讨论] HFSS PORT 终极解决方案(二)

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发表于 2016-1-28 16:07 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |正序浏览 |阅读模式

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本帖最后由 alexwang 于 2018-7-2 15:23 编辑 0 g9 s: l; R6 b: `! F8 E
5 F/ o1 ^4 p7 F" Z" e7 m# G

/ V1 d5 X' q! \; m$ O& k* W本文大纲
- c$ h. K$ X7 [7 g* q
本文章分三部分:$ I0 }8 S5 q8 G" s, F$ x6 {
(一)wave port与lumped port的理解
5 F4 e4 T: g( V" w(二)两种port的仿真操作用法
. j' d% O7 w7 K" K2 i(三)S参数归一化的问题; U/ {9 d+ v0 O" Q
说明:这里说的port主要是针对Ansys的HFSS电磁场全波仿真器# h+ Y% P- D" \
2 `% [' `$ N/ k$ F1 t. F
简单介绍下HFSS:/ t! M2 ~9 z/ u
ANSYS HFSS,是ANSYS公司推出的三维电磁仿真软件;是世界上第一个商业化的三维结构电磁场仿真软件,业界公认的三维电磁场设计和分析的电子设计工业标准。HFSS提供了一简洁直观的用户设计界面、精确自适应的场解器、拥有空前电性能分析能力的功能强大后处理器,能计算任意形状三维无源结构的S参数和全波电磁场。HFSS软件拥有强大的天线设计功能,它可以计算天线参量,如增益、方向性、远场方向图剖面、远场3D图和3dB带宽;绘制极化特性,包括球形场分量、圆极化场分量、Ludwig第三定义场分量和轴比。使用HFSS,可以计算:
  G( Z! t5 J: g# A$ M① 基本电磁场数值解和开边界问题,近远场辐射问题/ C4 K: _  s/ e! H; k: t$ ~
② 端口特征阻抗和传输常数% {8 V$ N. s& x9 q) ?, r
③ S参数和相应端口阻抗的归一化S参数
' V0 ~6 r6 K/ e  D+ \④ 结构的本征模或谐振解。2 e# b* F1 z- w0 ?
而且,由ANSYS HFSS和ANSYS Designer构成的ANSYS高频解决方案,是目前唯一以物理原型为基础的高频设计解决方案,提供了从系统到电路直至部件级的快速而精确的设计手段,覆盖了高频设计的所有环节。现在最新的版本应该到了ANSYS HFSS 16.' p4 ^# M) Y- p6 `  H* _9 b
ANSYS workbench- ?: r% _) N& f& l5 k

8 r) l/ R% ], Z: e+ s) X/ P2两种port的仿真操作用法' h$ h; z6 ?  {& y3 [- ], G
1.微带线下wave port
! Y, M" w9 H- o" _) q- R6 Z/ _如图5所示,首先在背景的表面上画一个sheet,也就是长方形,长方形的高度需要为导体与参考平面的6-10倍,宽度大约为导体宽度的5倍左右,以保证wave port足够的大,能覆盖到导体周围的磁力线,减小仿真偏差,另外要保证port能够同时接触到参考平面和导体。
( e: }. T' f( Y4 n
9 ^$ n5 v* F/ n1 S' R- l$ c图5+ o' ~* L0 S/ A9 m
然后选中刚才所画的sheet,点击右键选中则“assign excitation”里的“wave port”然后在对话框里选好参考平面就OK了,见图6所示。& w7 j4 H5 B: C9 G

7 P, S( z( X/ I6 s5 Q, h3 a图6
6 I% O: k2 i) i2.微带线下lumped port
; Q# d# P4 F& s8 ?' r如图7所示,同样需要画一个sheet,不过这个sheet没有高度宽度要求,但是它需要一边接触导体,一边接触参考平面,注意下sheet不要接触到空气盒(airbox),不然仿真时可能会报错7 x: }8 J& x! l: L

) d- n) W8 D' u- b图74 r$ s( k; F0 \& ?3 Z
然后选中刚才所画的sheet,点击右键选中则“assign excitation”里的“lumped port”然后在对话框里选好参考平面就OK了,见图8所示! ?" b+ D, z. ~1 V
- C- L3 L- c6 H
图82 C% `: j/ q3 w, H8 ]0 o
3.带状线下wave port' M7 d4 H8 B' ^7 E- `2 ?
如图9所示,首先在背景的表面上画一个sheet,长方形的高度需要为导体与参考平面的6-10倍,宽度大约为导体宽度的5倍左右,以保证wave port足够的大,能覆盖到导体周围的磁力线,另外要保证port能够同时接触到两个参考平面和导体。: G0 M! ~1 v6 K4 i6 g  s
9 J4 V0 H7 A( g/ d
图9
. ~# `9 s+ u3 T! A! _2 T& ]. |! G- ^然后选中刚才所画的sheet,点击右键选中则“assign excitation”里的“wave port”然后在对话框里选好两个参考平面就OK了,见图10所示。
; P, ?9 m6 |1 F( m  i: z7 W# A : H6 n1 h) P9 W
图105 n( B; q* |. ]% T4 c6 Y
4.带状线下lumped port9 \) k" L6 X5 `( ]% E( i
带状线下lumped port比较特殊点,因为有两个参考平面。最好下port之前将导体内缩一点以便下port,也就是说导体的边界比参考平面稍微短一点,然后在参考平面间画一个sheet,上下边必须要同时接触到两个参考平面 ,如图11所示,然后选中该sheet点右键选择“assign boundary”里的“PeRFect E”设为理想电边界。- J/ b3 d: L. |& V& b5 Q
& E! F- [& p; {% `
图11
9 q8 b( A4 e$ N! O7 n+ i) z3 `接着类似于微带线下lumped port的做法,再画一个sheet,平行于参考平面,且垂直并接触导体和刚才设置的理想电边界,如图12所示。
6 b+ y1 X' J% A( V2 P' i/ i
- G4 Q4 u: R! S) a: I8 P图12  h. T" h/ @6 u0 G9 ?! A3 {
选中刚才所画的sheet,点右键选中则“assign excitation”里的“lumped port”然后在对话框里选好参考平面(刚才设置的理想电边界)就OK了,如图13. C5 W4 K$ ?- e: p; L8 m# Z

4 o/ \, e8 d# o0 q图13, Y# @; ^- e, E. x2 O4 t6 D
未完待续.....

4 K) f9 \5 P9 I) z. L
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