徐老师，请教您关于您书上混频器的讲解

煮酒fu

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图上是您设计的镜像抑制混频器，讲解的十分的通俗易懂，我想着仿照书上所讲的制作一个混频器。
" F4 ]4 ^! c! f" B2 N% _9 i
我想制作的这个混频器主要是把2.4G左右的信号奖品到中频，首先对2.4G的射频信号存在疑惑，
4 F& {) m8 Q. ?( s1 t) x9 P问题一，常见的2.4G信号，它的中频频率是多少？ 我在网上搜索了一下，并没有搜索到。
, r8 d3 {- V6 v; Q. y  ~9 O- o问题二，我打算制作的混频器射频信号的频率2.45G，本振频率2.4，这样我便能用示波器观测到中频带宽50M的信号。
% V1 U! q& _4 t) k1 Y但是，如果我用该混频器射频信号接入2.48G或者2.43G，该变频器是否还能有效的将2.48G或者2.43G变频到中频，据我猜测是可以的，但是会影响该变频器的增益，是这样么？

问题三，  ROGERS的板材是比较贵的，所以我想用fr-4的板材来设计混频器。但是对下图中的MUSB中的参数不是很清楚。
* W  E$ q" T) h2 n7 w

1 x3 }& N7 c% O( a3 U3 ~2 ]6 T
2 X3 n  w! ]3 m: n7 ]H = 板材的厚度                这个我打算换成fr-4   1mm
Er  = 板材的介电常数       这个我打算换成4.2
) g  O# c4 ?3 C9 oMur = 1                            这个参数不清楚什么意思？
cond=1.0E+50                这个参数不清楚什么意思？
2 R# J+ |: D4 W( dHu = 1.0e+0.33              这个参数不清楚什么意思？
T                                     铜厚度，这个清楚
8 z! H' i" y7 ?% M) u7 k  f, K. S3 tTanD= 0.0037                这个是铜箔上下厚度不一形成的的角度么？
以上是我的问题，麻烦看到后给解答下，非常感谢。

煮酒fu

Xuxingfu 发表于 2015-6-3 14:31
1.目前很多2.4G都是零中频方案，本振=外来频率
2.对的
3.频率很近，影响不大

对于基板高度H，我很疑惑的是，双层版与多层板对混频器有影响么，徐老师？

煮酒fu

Xuxingfu 发表于 2015-6-3 14:31
  ]: A$ L$ n* V7 v. M" l$ s: K* p8 ~1.目前很多2.4G都是零中频方案，本振=外来频率
2.对的
3.频率很近，影响不大

! p- V: K- }* P+ L$ N: {4 U2 ?
已经在书中找到了这些参数，我想这些参数我应该和PCB厂家沟通下，向他们索要这些参数吧。？

煮酒fu

Xuxingfu 发表于 2015-6-3 14:31
1.目前很多2.4G都是零中频方案，本振=外来频率
0 z' c$ A& K4 F( l% |2.对的
3.频率很近，影响不大

谢谢，徐老师。对于书籍我暂时没有完全读一遍，后面会补上。
5 N9 ~3 i$ z7 C: ?4 P; O在用fr-4的设计中，mur cond hu这三个参数是否不变，但是需要将Tand改为0.02？
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Xuxingfu

1.目前很多2.4G都是零中频方案，本振=外来频率
: |6 I5 M- [* |7 K% U2.对的
0 q1 ~' D* x, P9 l: T# |3.频率很近，影响不大
! f! n- f& y. M$ S$ Q# o0 ?4.可以
' a+ ]! o! T5 y8 c5.书的前面章节有对这个几个参数介绍，MUR磁导率=1 cond电导率 TanD=0.02是FR4损耗正切