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【请教】大家帮忙看下这个3.3V怎么来的?

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1#
发表于 2015-1-31 11:03 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |正序浏览 |阅读模式

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  _, G8 a7 |8 N$ r2 t) A0 T/ `& O2 Y  我查资料不懂为什么经过俩个4001就直接3.3V了?大家帮帮忙
8 T" j* o8 y# [6 k帮我分析下,谢谢
0 H/ o1 x% n: B0 i; E( ^2 s

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发表于 2015-2-2 10:31 | 只看该作者
joy_show_wb 发表于 2015-2-2 09:39& B0 v0 p+ W2 w7 G
怎么说呢?能分析下吗

8 d3 |2 L0 r$ _$ M" \4 L) |# Z* p6 \没啥问题,负载电流比较小的时候,二极管的压降很小,3.9V也算是正常。. O2 \& h; r' j2 E! Y
当负载电流变大的时候,二极管的压降增大,会接近3.4V。
" _4 b) p: M, @& z& k( B话说,现在LDO也很便宜了,才0.15RMB,至于这麽抠门么?# w( x4 n* O' [! P

点评

两个4001,5分钱都用不了,就按5分来算,也省1毛呢。对于以量来说的消费电子,那是毫厘必争的。  发表于 2015-2-3 16:52
哈哈!我目前是跟着学硬件!有很多不懂的,慢慢在学习。 还有我等下去问下为什么这么抠门..........哈哈  详情 回复 发表于 2015-2-2 11:23

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 楼主| 发表于 2015-2-2 11:23 | 只看该作者
fallen 发表于 2015-2-2 10:31( V. [' m0 ~+ |6 v7 g3 u
没啥问题,负载电流比较小的时候,二极管的压降很小,3.9V也算是正常。
- h9 A# ~* ?+ \! u3 P当负载电流变大的时候,二极管的 ...
' w$ n' d" F+ O8 n
哈哈!我目前是跟着学硬件!有很多不懂的,慢慢在学习。
" ]( x% t8 q9 V) Z$ E2 W      还有我等下去问下为什么这么抠门..........哈哈
5 t1 t0 i' m2 ~/ q

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26#
发表于 2015-3-20 10:16 | 只看该作者
真省,负载决定电压

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25#
发表于 2015-3-19 18:25 | 只看该作者
3.3V是供給什麼負載在用的?這樣的設計應該是在COST DOWN...

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24#
发表于 2015-3-6 17:03 | 只看该作者
你不会用这个在产品上面吧 会害死人的

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23#
发表于 2015-2-10 09:25 | 只看该作者
不明白为啥不用LDO才几毛钱而已,你这一个MOS管就2.3毛钱了,省不了成本,还一堆元件占位置

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22#
发表于 2015-2-9 16:01 | 只看该作者
我觉得这样是在给工程师自己找麻烦。

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21#
发表于 2015-2-5 18:02 | 只看该作者
如果负载变化不大,就可以使用。

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20#
发表于 2015-2-5 17:40 | 只看该作者
再打样一次

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19#
发表于 2015-2-3 16:38 | 只看该作者
这个是二极管的特性决定的,轻负载和大负载的时候,压降是不一样的。

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18#
发表于 2015-2-3 15:35 | 只看该作者
1N4001的管压降和电流有关,详见相关手册,当电流在800-900mA时大约压降是0.85V,2个正好1.7V输出3.3V

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17#
发表于 2015-2-3 14:06 | 只看该作者
感谢楼主分享,学习了8 [. {3 {7 G) D; v7 q

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16#
发表于 2015-2-3 08:42 | 只看该作者
看图说话。这电路电压会很不稳定啊

捕获.PNG (42.35 KB, 下载次数: 8)

捕获.PNG

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15#
发表于 2015-2-3 08:33 | 只看该作者
你带负载测,如果还是3.9的话那你还得想办法所他降到3.3V,现在看来这个3.3V原理图设计不合理,后面调试时要进行改进。

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14#
发表于 2015-2-2 17:08 | 只看该作者
我认为是利用两个二极管的压降。硅管压降大概是0.6~0.7V,锗管大概是0.2~0.3V。

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13#
发表于 2015-2-2 14:15 | 只看该作者
电路有问题的
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