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本帖最后由 pjh02032121 于 2015-1-19 15:47 编辑 & ^3 W, ~/ @; E/ |
" b% `: p } u: R4 a4 q1. 建模
" ^5 o' L9 ~: q) ucadence的sip或APD封装源文件,输出floeda文件。
4 n! d- I# P7 v, t- S, z8 V
) b- l* d* R# X, b) ^( u( i- ], O$ e3 p
& P0 `4 `/ E; u打开Flotherm,新建工程,打开flopcb工具,导入上面的floeda文件,检查元件的属性(三维尺寸,材料,功率等),修正属性不对的器件,都没问题后转到flotherm工程文件中。5 V( [1 M$ O. l% ?( M) I, i
; l: ~8 T, B( }; `) B7 D
6 n! S/ V3 o' t: G" F- u以上只是把sip文件导入到了工程文件中,接下来在flotherm中按照JEDEC51-2,51-7的标准搭建仿真环境。
7 b+ I* }# b0 X( n0 a给sip加mold塑封,测试PCB模型等。# x8 X$ _) B+ m+ O- |
6 X2 L5 }/ R# _1 E- z
& j- s2 X) I: u) L
* T% f# l- O+ d6 S2. 仿真: n: b w6 }$ U0 E' ?
右键在模型上设置模型的各种属性以及网格划分等等5 i" H+ @, A6 t l
6 d& L/ Q" ?/ V7 A1 S
5 z: x" P' H h( y" @
; \- n5 y7 \, c从Model菜单下依次设置各种边界条件,约束,流体属性,变量控制等等9 G2 F, @. b/ o# E& l
' M9 b' m/ K0 R# N6 Y6 {% y6 |
! D5 S% y2 r# D) E4 `, F
从Solve菜单下依次设置求解控制等等
: {$ D" C2 f1 o# t% n9 o6 L
7 D5 u$ V' }' x: _6 I4 C- C. r. R" {4 R* D, q6 v, h I4 V
Slove/sanity check没问题后,就可以运行仿真了,Slove/slove。。。
H1 n( A; U! R0 ?2 d4 J仿真运行后,弹出仿真的监视窗口,可以看到残差曲线和监控点的温度,此监控点设置在封装内的两颗硅die上。
4 r h9 ~! u% L: W5 s达到设置的收敛标准或迭代上限后,求解自动停止。
2 S, M' L8 i. Y: {3 H
: A: C2 h# P4 b1 J# V, |3 J! ]0 x
. y2 `' k9 m7 b6 P! a' m6 G1 M9 _
: i' X- r J# w+ j6 l3. 后处理
{* q& j* p3 i6 E& ?) I' _6 u运行flotherm的后处理程序,生成直观的温度场图,模型表面温度等等
/ t3 ^, n* ] Y2 d$ f+ \! T2 o( m, V
9 T& P M) K! e: f7 s9 Q4 W
% h1 N) L% F, _/ J: T 8 r, R# L5 U5 B
Rja=(Tj-Ta)/P=(53.4-35)/0.144=127 (K/W)
1 y4 j: A' E9 i& v0 e3 f( m
/ T$ b0 @: k* q! |/ Z0 `为了改善散热,在substrate的下方加thermal pad加强散热, 结果节温为50度,对应的Rja为104,降低了约20%。
5 g* b: ^) r0 U3 k/ I, ]6 J
: E5 |$ x$ s' u4 l; i( [4 q; B+ X) F @
! |0 [$ }7 Q' r! _) F" c2 c9 D |
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