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[Cadence Sigrity] 关于在SIGRITY中处理trace和shape结果差异的疑惑

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发表于 2014-6-14 14:31 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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在实际的仿真中,当我把PCB板上的trace转给shape后T提取Z参数,POWER SI仿真结果相比较直接作trace处理存在一定的差异性。( @; X9 k9 V% r2 c' m1 B: O) M
这个在高频时候的考虑我还认为可能是作为TRACE和平面的计算公式不一样所导致,后来在POWER DC中计算直流电阻都有很大的差异。' E( @+ m8 _* S: K: R3 m1 Q
当时的回路电阻trace改shape之前为13毫欧左右,改了之后就12了,差别1个毫欧。
' X1 u1 B# J0 I' Q) [我换了几个PCB文件之后仍然存在。( i+ E) j' U1 J

% u8 g* L4 V6 j, x可否有人帮忙解释一下?+ D/ g) `. F- ?+ Z0 J
在POWER SI中差异的理论支撑来自哪里?
( H* W3 i+ W# Y$ i在power dc中回路电阻的差异又来自哪里?4 R' B3 z0 _  z. Z
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