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[仿真讨论] 减小轨道塌陷措施?

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    [LV.4]偶尔看看III

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    1#
    发表于 2013-10-11 09:44 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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    x
    1、减小电源和地路径的回路电感;9 I! i1 V( o; E6 N5 {' O/ g' I
    2、使电源平面和地平面相邻并尽量靠近;" d1 N, j0 {  H8 X+ X, l4 }
    3、在平面间使用介电常数尽量高的介质材料使平面间的阻抗最低;1 ^% h  N$ e$ l8 \
    4、尽量使用多个成对的电源平面和地平面;& f* _5 R$ C: T# @/ b/ I: o
    5、使同向电流相隔尽量远,而反向电流间隔尽量近;* {4 s, `; Z1 M
    6、在实际中,使电源过孔与地平面过孔尽量靠近。要使它们的间隔至少与过孔的长度相当;# d- _; ]6 [/ I6 a0 l: o
    7、应将电源平面与地平面尽可能靠近去耦电容所在的表面处;& ?/ G& M  J% F9 w$ f2 r
    8、对相同的电源或地焊盘使用多个过孔,但要使过孔间距尽量远;. Z  e! g5 P* @  I1 w
    9、在电源平面或地平面上布线时,应是过孔的直径尽量大;$ u! N5 ], `! ]6 e" c7 `
    10、在电源焊盘和地焊盘上使用双键合线可以减小键合线的回路电感;
    - q& c' }. }* ]. s; I9 A11、从芯片内引出尽可能多的电源和地引线;
    5 {+ q% F" u, C! [' E6 n4 C' P12、在芯片封装时引出尽可能多的电源和地引脚;
    ) z* o' m/ {, d# ]; `+ u$ k13、使用尽可能短的片间互连方法,例如倒装芯片而不是键合线;
    ; p2 u: v0 C) n* M14、封装的引线应尽量短,例如应使用CSP封装而不是QFP封装;
    ' [9 ~9 r& p- \8 t6 z% l16、使去耦电容焊盘间的布线和过孔尽可能短而宽;7 v1 |0 H  X: U" w3 V+ i
    17、在低频时使用一定量的去耦电容来代替稳压器件;) K2 k, e# t# m5 n  a$ L
    18、在高频时使用一定量的去耦电容来抵消等效电感;
    7 B. D9 X( w* A& |0 ?19、使用尽可能小的去耦电容,并尽量减小电容焊盘上与电源和地平面相连的互连线的长度;: w) q3 o) Y' M0 p- Z
    20、在片内使用尽量大的去耦电容;
    " ~- t* r3 P1 H0 _. d" `9 _9 a" R21、在封装中应使用尽可能多的低电感去耦电容;$ g3 u- e: k- C- v) z# `% \2 J5 r
    22、在I/O接口设计中使用差分对;

    该用户从未签到

    2#
    发表于 2013-10-18 16:23 | 只看该作者
    就一句话:使DIE pad出来的wirebond线与POWER/GROUND RING的电感尽量小。
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