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NMOS应用在高端,需要自举电容叠加电压才能打开NMOS

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1#
 楼主| 发表于 2025-1-21 09:38 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
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  • TA的每日心情

    2025-7-22 15:01
  • 签到天数: 8 天

    [LV.3]偶尔看看II

    推荐
    发表于 2025-2-8 09:00 | 只看该作者
    哥们,
    . D8 w  y0 N  a1 B# n  b1 s1、这是外置mos DCDC控制器,具体的输出电压是看高侧mos 漏极上的电压,而不是dcdc控制器的工作电压,实际就是200V4 I5 Q7 ?, g  n( A9 I4 b) u3 s
    2、Nmos和Pmos虽然从原理上是对称的,但是由于实际工艺和材料的问题,导通电阻会不一样,我印象中Pmos的会比Nmos的大,而版主的图片也印证了我的记忆

    该用户从未签到

    推荐
    发表于 2025-1-21 14:27 | 只看该作者
    MOS在高端应用时需要自举电容叠加电压才能打开时,通常指的是在一个电路中,NMOS的栅极(G)电压需要高于其源极(S)电压才能导通。由于电路中的电源通常只能提供固定的电压,而NMOS的源极可能连接到这个电源电压或更高的电位上,因此需要额外的电压来打开NMOS。这个额外的电压通常通过自举电容来提供。

    该用户从未签到

    4#
    发表于 2025-1-21 14:31 | 只看该作者
    N+P v.s. N+N Half Bridge% L' {# m, N- \3 T8 {( V5 V: M

    ' |; k1 k# c6 ]+ z, ]0 g# I# Y/ k: ]$ U" x5 s& E% E5 ^

    Half Bridge Configuration (N&P or N&N).jpg (58.57 KB, 下载次数: 8)

    Half Bridge Configuration (N&P or N&N).jpg

    该用户从未签到

    5#
    发表于 2025-1-21 17:37 | 只看该作者
    本帖最后由 超級狗 于 2025-1-22 07:34 编辑 6 v; C/ N: n) X; s4 _. l
    8 U! D4 ?- k, E+ ]
    MOS 管的導通電阻 RDS(ON) 很小,導通時 DrainSource 的電壓幾乎是一樣的。
    4 m) }1 r- |2 f
    7 a% F- V1 U* G2 }1 rVHS 是一個浮動的電壓,會隨上、下臂的開關狀態變化。' ]1 u- W; h+ d7 V1 ^

    - h& A* @& r6 l1 t, H上臂驅動器Driver)的電源是接 VHS 【相當於驅動器的 GND】和 VHS + VB【相當於驅動器VCC】。
    3 z8 O1 ?# |. Y
    3 n2 e" K2 R; l: n
    • 上臂導通、下臂關閉& x4 H9 M$ A, n( f2 Y" A
      VHS = VBUS
      " H1 S3 s: n$ m, ~9 i; j
      VHO = High = VHS + VB = VBUS + VB
    • 上臂關閉、下臂導通
      ! H7 }4 v% l* n; X4 M' v' A( D
      VHS = GND* k, b3 d6 A: O
      VHO = Low = VHS = GND
      6 p# \% K: q2 ?2 V+ a) S
    6 Y5 G# a: H8 n
    6 P/ @1 A# }3 V3 n% F

    2 a9 O8 H  _* }* j2 X7 s9 l7 n
    " a' D" E5 G: g

    Bootstrap Circuit.jpg (22.23 KB, 下载次数: 4)

    Bootstrap Circuit.jpg

    点评

    年底抽奖,这哥们以后还会不会问类似的问题?  发表于 2025-1-22 13:30
  • TA的每日心情
    慵懒
    2025-5-16 15:06
  • 签到天数: 17 天

    [LV.4]偶尔看看III

    6#
    发表于 2025-2-25 15:17 | 只看该作者
    上桥臂用PMOS,截止状态时候的自举更难设计吧。不加自举,驱动器最大只能输出15V,PMOS的Vs高达200V,Vg最大只能是15V,PMOS会一直处于导通状态
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