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H6801 芯片关键参数汇总 类别 参数细节
* g! Z4 I+ L! U* ]& m; P 输入电压范围 2.7V ~ 25V（工作范围）；启动电压低至2.5V
; r; \) Q) r) t3 k* d 输出电压范围 可调输出，最高36V（需外部反馈电阻设置） $ a2 j# b) w% Y; ?3 z5 S+ D8 o- B
工作模式 自动切换PWM/PFM/Burst模式，轻载效率优化
" P) W& Z( {. T" S8 ~9 b 开关频率 固定390kHz，支持抖频技术（降低EMI） % b& o1 k" L! N& F: P+ X
转换效率 >95%（典型值，取决于外围设计）
2 T- C3 }! a! g* w 待机功耗 EN拉低时，关机电流<2μA
6 @- m: u4 i; c 保护功能 输入过压保护（OVP: 25.2V）、过流保护（OCP）、过温保护（OTP） 7 F3 l3 ~# f! a3 s5 ?8 i- m6 l
封装形式 ESSOP-10，底部散热片连接GND，优化散热
P6 N- o M5 _8 X" Q% K8 c& Y0 l d LDO供电 内置40V LDO，增强系统稳定性 引脚功能定义（ESSOP-10封装） 引脚号 名称 功能描述
$ N8 z5 u9 u( H2 y8 d- M$ q 1 VIN 电源输入，需就近接滤波电容 # q. D8 u- s; ~# m4 |$ Z
2 EN 使能端：高电平（≥2V）工作；低电平（≤0.4V）关机
% c% Z, b" g7 Y! s- T% x 3 SS 软启动控制，外接电容设置启动时间（避免浪涌电流）
% r& b; J8 P2 z" q 4 FB 反馈端，接电阻分压网络调节输出电压（公式：Vout = 0.8V × (1 + R1/R2)）
$ v8 |3 R2 g- Y2 ]. e3 x, ]" L1 ~( ` 5 COMP 补偿网络，连接RC电路稳定环路 0 _8 _7 }+ O) i9 [- ?
6 GND 功率地，需低阻抗连接至散热铜箔 4 Q1 f& w/ w9 |+ N5 G2 Z3 u
7-8 SW 开关节点，连接电感与肖特基二极管 & T T. q. G% R
9-10 NC 空脚 保护功能详细规格
" U& n8 p7 A C6 p" X$ x- M - 输入过压保护（OVP）
# b1 Q9 g# @9 T, x, ~4 H ( h' L d" ^! @" x' h
- 触发阈值：25.2V ±5%
9 C1 N+ w9 e9 P& ?' b - 动作：停止升压，SW端关断，直至输入电压恢复至正常范围。
. @% E- M: s0 H& F6 C5 }: x% A: o! d - 过流保护（OCP）
& L1 ^1 p+ u: E6 @' N 4 B) A( w( y# V+ w9 [7 r
- 峰值电流限制：通过外部电感及MOSFET参数设定（需计算电感饱和电流）。
$ o1 C( W m' \& d3 G4 w7 G - 过温保护（OTP）1 J3 a; H! ^ W$ F; a8 A7 d
* A1 y/ i( j8 p0 D' ~% e
- 关断温度：150°C（典型值）0 o0 i0 s- t7 e* Q( p2 C
- 恢复温度：125°C（滞后设计，防止振荡）。8 X2 i- ?! V# }
设计注意事项
( J; Q- N: h0 E: q7 G; w+ Z - 电感选型
* P4 l" s/ ?5 {, ]3 P: d: o5 n7 U + h, y# w& a. `0 s' f% U$ E
- 建议使用4.7~22μH饱和电流充足的电感，如铁硅铝磁芯材质，降低高频损耗。6 M! A g+ s3 y |: M1 h
- 二极管选择+ r5 f6 w* Y; t
5 r1 ]) k0 o9 }5 G - 必须采用40V以上肖特基二极管（如SS34），以减小反向恢复损耗。9 |( {2 p5 l+ _8 L6 t$ }, J2 q
- EMI优化# V, S" ^* v( v% h1 |8 C
; |* T) B- O& n9 u5 p+ P- _4 s+ [5 X# `
- 利用抖频特性，布局时减小SW节点环路面积，必要时添加RC snubber电路。
4 F% X. P* F% v" ^( B9 L* A - 散热设计
5 _ L. M Y; n4 J 4 t& @0 }8 d% ~) ?
- PCB底部铺设GND铜箔并增加过孔，利用芯片散热片提升热性能。
) E% }3 y+ m3 ^ ~
典型应用电路示例 12V输入 → 24V/2A输出
* F& J9 G' Q+ q - 反馈电阻：R1=28.7kΩ, R2=1kΩ（Vout=0.8×(1+28.7/1)=24V）0 `, Y2 X& y4 O* [: K5 X# }3 e
- 电感：10μH/5A（推荐Coilcraft MSS1048）) A1 L! T6 q3 J' Z
- 输出电容：47μF陶瓷电容（X7R）+ 100μF电解电容（低ESR）
7 @; b! B7 o/ @. S$ I M
应用场景扩展设计
5 {1 q( W; F2 x; O8 ` - 太阳能供电系统：搭配MPPT算法控制器，输入侧增加TVS管防止浪涌。
' ^! L+ { I. A- N9 l* K - LCD背光驱动：FB端叠加PWM信号实现调光（需隔离电容避免干扰反馈）。
: h" e4 e( f- E1 |9 y - 音频功放电源：输出级并联高频滤波电容（0.1μF陶瓷电容）抑制开关噪声。
+ |1 V6 [( O9 X. `5 _. `1 m
效率曲线参考 负载条件 效率（典型值）
" D3 a& y& O+ p4 F( `. i% x5 Y 轻载（10mA） 82% (PFM模式) 3 A! r+ {, V' g9 G! U3 y
中载（500mA） 93% (PWM模式) $ y: i# h- O) u9 f- E, t/ M" K" Z
重载（2A） 96% 电路原理图
H8 f; d" h. Z | 
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