找回密码
 注册
关于网站域名变更的通知
查看: 2896|回复: 12
打印 上一主题 下一主题

ARM:SC2410与SDRAM:k4s561632c之间的数据信号仿真问题

  [复制链接]

该用户从未签到

跳转到指定楼层
1#
发表于 2010-2-3 21:11 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

EDA365欢迎您登录!

您需要 登录 才可以下载或查看,没有帐号?注册

x
本帖最后由 Iphone 于 2010-2-3 21:13 编辑
' Z2 r6 `5 }9 z+ h. X% k6 p% Y( m3 o5 P# C% I  S$ V: ?* E
有哪位朋友用三星的ARM板设计过?——CPU:SC2410,SDRAM:k4s561632c,你们设计的CPU和SDRAM之间的时钟、数据线等有没有加电阻呢?: }$ E3 B0 _* }4 N1 @/ ~8 b3 a
我设计的这个PCB,没有端接电阻,仿真时(133MHz),时钟信号波形质量和CPU写的时候信号波形质量度还好,但是CPU读的时候信号波形质量就很差了(跨越门限),如图;
: \7 t6 x; h$ B1 R- Z加了端接电阻之后仿真,波形就好多了,但是我又不想加电阻,占空间太大!
3 j! G0 A4 @) h  G各位设计的时候CPU和SDRAM之间的时钟、数据线等有没有加端接电阻呢?

ARM.JPG (66.25 KB, 下载次数: 10)

ARM.JPG

该用户从未签到

2#
发表于 2010-2-3 22:39 | 只看该作者
这过冲忒大了点

该用户从未签到

3#
 楼主| 发表于 2010-2-4 09:51 | 只看该作者
呵呵,就是+ t1 o3 u' h8 y
我是想加端接电阻,不过我看前人做的都没有加电阻,不知道有没有朋友设计过这款ARM呢?

该用户从未签到

4#
发表于 2010-2-4 12:43 | 只看该作者
这种事情千万别参考别人的端接  o4 K6 R/ J) P7 y: M
要以自己的实际情况为准" i6 N# y1 |" @( `! @. E  s4 w
有几种情况可能导致不一致,消除过冲的端接不要借鉴
1 r/ p% z- {' d& P7 Y( B# t$ r% z* n2 ~( w$ n" H/ p3 P4 @9 E' K
首先叠层不一样,线宽不一样,导致阻抗不一样4 o6 S# f5 R$ k
其次线长不一致# F6 H* ?; m# a: n& E
再者,可能驱动源的驱动能力选择不一样( D1 V, P$ b  }9 b
种种情况表明端接要联系实际去解决7 \; g9 F# t8 g" f+ S
不要参考

该用户从未签到

5#
 楼主| 发表于 2010-2-4 15:22 | 只看该作者
这种事情千万别参考别人的端接
+ N: i) l8 z7 a0 p! `3 ]. c: r. k要以自己的实际情况为准
7 J* V0 U$ n. Y4 M7 {7 N有几种情况可能导致不一致,消除过冲的端接不要借 ...
) `/ E* G% o8 V5 a) j袁荣盛 发表于 2010-2-4 12:43
$ D6 i# @, z: @# K5 \5 I

5 o* u1 `& V: l9 B2 H7 N/ ?. I2 f: e
    呵呵,谢谢您的建议!我理解您说的!
6 o: J# K- g4 {3 U: U' p在读状态的时候,SDRAM的输出阻抗只有7.8ohms左右,按理说需要端接电阻(当然大小要视您说的实际情况来定)来和传输线匹配,以消除反射;
0 {4 r: Y2 |5 `4 D7 F# y我只是很奇怪为什么前人设计的都没有加端接电阻呢?
  • TA的每日心情
    开心
    2025-6-11 15:53
  • 签到天数: 19 天

    [LV.4]偶尔看看III

    6#
    发表于 2010-2-4 22:12 | 只看该作者
    线长在2inch以下都可以不加,好像说不算做传输线

    该用户从未签到

    7#
    发表于 2010-2-7 22:54 | 只看该作者
    不想加端接,就要調你的特性阻抗,Z0儘可能小些,过冲就不會那麼大。

    该用户从未签到

    8#
    发表于 2010-2-27 23:24 | 只看该作者
    学习一下,我也想设计ARM板,请问一下仿真是如何做的,用什么软件,要哪些模型,谢谢!

    该用户从未签到

    9#
    发表于 2011-3-29 23:15 | 只看该作者
    我也想这个问题呢

    该用户从未签到

    10#
    发表于 2011-4-22 16:44 | 只看该作者
    我们的设计里,SDRAM没加过端接.我们一直做的三星的AP.

    该用户从未签到

    11#
    发表于 2011-4-22 16:50 | 只看该作者
    回复 wzh6328 的帖子
      F& y  e( _6 O5 x3 S7 c# h
    8 E2 g9 p0 n8 W  h" B6 l$ k. O标准参考不是应该上升时间1NS,走线长度在1INCH以内.不能单纯讲长度的吧

    该用户从未签到

    12#
    发表于 2012-7-21 08:05 | 只看该作者
    楼主,问题怎么解决的?1 z: T; j, H4 k2 c% B: \, T  S
    我也有这样的问题,过冲没有你那么大(CPU:LPC3250,K4S561632C),但也超越门限值了,5 a7 v& r% v1 R  n
    通过仿真发现,要匹配至少47欧才能达到要求,而且要靠近SDRAM放置!* \$ o  U! T: q: M4 B" z- x: L

    该用户从未签到

    13#
    发表于 2012-8-2 09:58 | 只看该作者
    Iphone 可否把你的模型共享下
    3 D( s3 y* z7 e1 [8 ]1 c, {8 Q
    您需要登录后才可以回帖 登录 | 注册

    本版积分规则

    关闭

    推荐内容上一条 /1 下一条

    EDA365公众号

    关于我们|手机版|EDA365电子论坛网 ( 粤ICP备18020198号-1 )

    GMT+8, 2025-11-23 03:00 , Processed in 0.156250 second(s), 26 queries , Gzip On.

    深圳市墨知创新科技有限公司

    地址:深圳市南山区科技生态园2栋A座805 电话:19926409050

    快速回复 返回顶部 返回列表