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本帖最后由 romantic878595 于 2012-6-20 12:34 编辑
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1,把驱动频率降下来,现在工作是11多M,MOS管开关频率越高,损耗越大,最好能降到500K以下。实在不行,也应降到1M以下。
. _3 ?6 f" n2 H2 \4 N, X2 ,选用低开启电压的MOS管,也就是所谓的逻辑电平MOS管。如果你用普通的MOS,要求10V的驱动,你的驱动IC只有5V,驱动不足,造成导通电阻大。9 p1 c4 F6 @$ y1 s4 U
3 尽量选用低导通电阻,低Nc值的MOS管8 ^- R0 T$ E8 P4 Y+ V' z1 }! U
4 加强MOS的散热。
- T" @5 R& g) Y, E. _) x5 在电感线圏处并上防止反向电动势的二极管。0 N+ l$ ~, Q* E$ \# h
6 加强IC的电流驱动能力,HC00还有一个门没有使用,应把他们的输入并联,输出通过一个驱动电阻(约10R)后,然后并联.
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