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求助:关于mos管发热问题

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1#
发表于 2012-6-19 17:46 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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各位:2 Y, `5 {& ^7 B5 w
" Z3 T2 G* L: c* q  T2 v% c
最近按照要求画了块板子,但调试时发现mos管烫的厉害,根本无法常时间工作。而且波形幅度值只有8V左右,请问如何解决发热问题,并提高波形幅度。
/ G. p; s( E; U# q# O原理图如下
. a2 c. z% p3 L) D; Q

123.png (153.04 KB, 下载次数: 4)

123.png

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2#
发表于 2012-6-19 17:57 来自手机 | 只看该作者
是贴片的吧!加大散热铜皮,如果是立体,在允许的情况下,加散热片吧!

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3#
发表于 2012-6-20 11:10 | 只看该作者
加大散热铜皮同时多打地孔

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4#
发表于 2012-6-20 12:31 | 只看该作者
本帖最后由 romantic878595 于 2012-6-20 12:34 编辑
+ r* x# r2 L% J/ Q( G" ^5 F, l) v% U4 p- m; T/ L4 P: b
1,把驱动频率降下来,现在工作是11多M,MOS管开关频率越高,损耗越大,最好能降到500K以下。实在不行,也应降到1M以下。
. _3 ?6 f" n2 H2 \4 N, X2 ,选用低开启电压的MOS管,也就是所谓的逻辑电平MOS管。如果你用普通的MOS,要求10V的驱动,你的驱动IC只有5V,驱动不足,造成导通电阻大。9 p1 c4 F6 @$ y1 s4 U
3 尽量选用低导通电阻,低Nc值的MOS管8 ^- R0 T$ E8 P4 Y+ V' z1 }! U
4 加强MOS的散热。
- T" @5 R& g) Y, E. _) x5 在电感线圏处并上防止反向电动势的二极管。0 N+ l$ ~, Q* E$ \# h
6 加强IC的电流驱动能力,HC00还有一个门没有使用,应把他们的输入并联,输出通过一个驱动电阻(约10R)后,然后并联.
+ L3 ~2 k! u$ o# J/ T/ d% _

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5#
发表于 2012-6-20 15:13 | 只看该作者
4楼说的全面!!

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6#
 楼主| 发表于 2012-6-20 15:40 | 只看该作者
romantic878595 发表于 2012-6-20 12:31
9 V4 F) |( [- o# l" b1,把驱动频率降下来,现在工作是11多M,MOS管开关频率越高,损耗越大,最好能降到500K以下。实在不行,也应 ...
/ T: B* B9 L$ Z2 [- z7 n* x
十分感谢你如此详细的解说

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7#
发表于 2012-6-20 21:43 | 只看该作者
gsywm 发表于 2012-6-20 15:40
* W! D' [& O% q2 E7 e6 {" ?十分感谢你如此详细的解说

6 j" l' }8 a, B  U6 h不客气。论坛精神,我为人人,人人为我,相互学习,共同提高。感谢EDA365.

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8#
发表于 2012-6-21 10:49 | 只看该作者
gsywm 发表于 2012-6-20 15:40
  D1 Y# O0 \3 O" @十分感谢你如此详细的解说
2 F) V1 y+ t3 D  L5 m) o
问题解决没?

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9#
发表于 2012-6-23 00:22 | 只看该作者
xhymsg 发表于 2012-6-21 10:49
! {4 I; v- d0 j6 H8 c问题解决没?

( e4 r* R5 z) Q/ Q* V* k7 j就是啊,问题决解了

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10#
发表于 2012-6-25 10:38 | 只看该作者
MOS极性接对了吗? 应该是个NMOS,图上画的却是个PMOS

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11#
发表于 2012-6-26 23:16 | 只看该作者
romantic878595 发表于 2012-6-20 12:31 4 x) ~* P1 l  }0 s9 N& E
1,把驱动频率降下来,现在工作是11多M,MOS管开关频率越高,损耗越大,最好能降到500K以下。实在不行,也应 ...

: f; d, E& H  G0 I7 T学习!
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