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[ADS仿真] 去耦半径:die-pack-pcb不同层级用什么量级电容来去耦

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1#
发表于 2023-6-8 17:05 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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去耦半径:包含die-pack-pcb不同层级用什么量级电容来去耦,怎么选择,选择依据是啥?
. o7 W  k7 S- A" }

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2#
发表于 2023-6-8 18:51 | 只看该作者
一、容量不同:+ n6 s# n% `- C; s8 z2 Y
: f( o  m+ T) R: Y+ X  p
1、小电容容量小到可以达到几P。: q$ G6 p( w- V! X& P- H! a: I% q
  ^' I3 S1 E( c. g, m, v
2、大电容容量大到可以达到1万μf。
9 h$ P& L! d1 x% J9 W7 Q& e6 `7 M7 I+ d7 G( W  I' j
二、用途不同:
# T) l5 c! S0 f/ a7 B/ L
+ o4 \7 c3 H- w. \+ q  `' g1、大容量的电容可以做电源滤波电容。% f. j! \- s* K: o

" i5 b& G- t& e2 M9 t" n2、小容量的电容可以做高频谐振电容。( i6 Z' a3 k( {( z# l/ _1 i

, T3 w. l, u) Z- l6 e$ }* z. r) I
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    3#
    发表于 2023-6-9 14:28 | 只看该作者
    die的就不用选了芯片晶体管设计的事,基板和PCB上的可以通过仿真优化电容参数得出符合要求的曲线。

    该用户从未签到

    4#
    发表于 2023-6-9 15:30 | 只看该作者
    die上是门电路的栅极电容,这个和芯片的面积有关系,pf-nf级别;pkg不增加poser的情况下,封装本身的寄生电容很小,设计封装的要点是减小L,根据增加poser的尺寸,封装电容可以到uf;pcb上就是体电容,中频电容等,从几百uf到pf不等,主要选择的依据是芯片要求的纹波,一切都是为了die,满足die的纹波要求
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