DDR Flash 布线处理

静音 · 发表于 2012-6-4 17:45

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大家好，请教一下，DDR flash里面的DQS线必须包地处理吗？
空间实在有限，请大家支招。。

wwddss_1976 · 发表于 2012-6-4 21:12

本帖最后由 wwddss_1976 于 2012-6-4 21:22 编辑

不需要，不知道你用几层板，最好地址和数据分组分层布线，并加大各分组间间距就行,参考

DDR2_Layout指导手册.pdf (782.95 KB, 下载次数: 194)

eeicciee · 发表于 2012-6-4 22:40

wwddss_1976 发表于 2012-6-4 21:12
6 b) v$ F7 p* p) H不需要，不知道你用几层板，最好地址和数据分组分层布线，并加大各分组间间距就行,参考

好东西呀

静音 · 发表于 2012-6-5 09:00

wwddss_1976 发表于 2012-6-4 21:12 ) R# {/ u) l/ A; @( i+ K6 h
不需要，不知道你用几层板，最好地址和数据分组分层布线，并加大各分组间间距就行,参考

DDR Flash 8位的，只有8根IO，其他就是控制线啊。
我用的是四层板。

lilinyf · 发表于 2012-6-5 09:04

应该用到不止一颗，至少两颗吧，然后才有分组的概念。

rx_78gp02a · 发表于 2012-6-5 09:52

多层板不用包地，双面板因为参考层很远所以使用包地进行阻抗控制

静音 · 发表于 2012-6-5 15:39

rx_78gp02a 发表于 2012-6-5 09:52
( b% y: v% Y) W7 \, v1 _多层板不用包地，双面板因为参考层很远所以使用包地进行阻抗控制

DDR FLASH的DQS线要进行阻抗控制？是50ohm吗？
另外我的IO，做到间距5mil，有没有问题呢？
谢谢

静音 · 发表于 2012-6-5 15:40

lilinyf 发表于 2012-6-5 09:04
" N( u5 U Q! Z# C) E) K9 E应该用到不止一颗，至少两颗吧，然后才有分组的概念。

恩，我走的星性拓扑，打孔，分别连接到了两片Falsh。

wwddss_1976 · 发表于 2012-6-5 22:11

Flash可以，DDR2最好是用菊花链或是飞线拓扑结构

wwddss_1976 · 发表于 2012-6-5 22:14

静音发表于 2012-6-5 15:39
; g8 ^$ V! W4 I* X0 UDDR FLASH的DQS线要进行阻抗控制？是50ohm吗？
5 L( W Y8 l, Y3 x! B另外我的IO，做到间距5mil，有没有问题呢？
3 [% V) u2 w! z4 e谢谢

FLASH好像没有阻抗要求，DDR2是50ohm；间距5mil一般是没有什么问题的，不过铜厚好像只有0.5OZ，咨询你的PCB制作技术人员。

xiaoxiaoya · 发表于 2019-4-29 16:21

看看

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