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ASEMI大功率MOS管60N10的检测方法

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发表于 2022-6-21 09:20 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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MOS场效应管60N10比较“娇气”。这是因为它的输入电阻很高,而栅极和源极之间的电容很小,很容易被外界电磁场或静电的感应充电,少量的电荷就可以形成一个比较高的电极间电容上的电压,会损坏管子。因此,60N10出厂时将所有引脚扭绞在一起,或装在金属箔内,使G极和S极等电位,以防止静电荷的积累。不使用管子时,所有引线也应短接。下面给大家介绍一下ASEMI大功率MOS管60N10的检测方法。测量时要格外小心,并采取相应的防静电措施。
% c7 ]- ~$ G/ v* U1 H, p2 c2 l9 |1 J" ]
* }5 _  x3 A" b! s1 D" f+ v& |60N10参数描述
, R% j9 Q! C2 k: {: `0 \0 ~型号:60N10/ X0 K: T7 V% _! u+ @. Z
封装:TO-263, q% E4 U( w0 }- v8 h3 L
特性:大功率MOS管
8 A  v+ K# l; b- n电性参数:60A 100V
( M0 {  e& b1 Z+ g, t栅极阈值电压VGS(TH):4V' {; K: I: J: D2 b/ D5 `* `
连续漏极电流(ID):60A5 z- v' `& g% M2 Y7 U$ C  G
功耗(PD):160W- |: n0 A: ]6 q2 p! G' }4 N
二极管正向电压(VSD):1.2V
) v: [# q# V. F3 R. q; E静态漏源导通电阻(RDS(ON)):17mΩ9 _' K3 _7 M9 J  l( `
零栅极电压漏极电流(IDSS):1uA" C  v% a0 x% @% t1 c$ Z+ @
反向恢复时间(trr):35nS
' e5 \+ L5 C- o6 |* [输出电容(Coss):182.5pF
  `# w6 X6 C0 {* Q! j6 c贮存温度:-55~+175℃4 m. e1 f5 p9 `1 R# d( {
引线数量:3
2 Z, U5 T: C2 F. r5 b4 H) c$ m # Y% E; d- V- Q
大功率MOS管60N10的检测方法:8 N( @. K1 C4 ~. d  q
1、准备
9 F7 z$ {) H( E7 ?. I% e测量前,在接触MOSFET管60N10的引脚之前将人体短接到地。最好在手腕上接一根电线与大地相连,使人体与大地保持等电位,再把管脚分开,然后拆掉导线。
( R* m# W4 d' l2 O# p( x& d) y; h6 ?4 W" o  W4 Y5 a
2、判断电极
) W, X3 d0 u8 ~2 i6 Q万用表置于R×100档,先确定栅极。如果一个管脚和其他管脚的电阻是无穷大的,证明这个管脚就是栅极G。交换表笔重测量,S-D之间的电阻值应该是几百欧到几千欧,电阻值较小时,黑色表笔接的为D极,红色表笔接S极。
* ~: K* r6 m7 F% F8 x2 `( T+ @0 L& H0 w# y7 K7 n
3、检查放大能力(跨导)
$ i  Q3 a2 O% G1 K+ Q; p将G极置于空中,将黑表笔接D极,红表笔接S极,然后用手指触摸G极,针头应有较大偏转。双栅MOS场效应晶体管有两个栅极G1和G2。为了区分它们,可以用手分别触摸G1和G2极,G2极是针向左偏斜较大的极。
6 d6 y' {# y7 g9 T" e1 y- r9 d目前的MOS管60N10在G-S极之间加了保护二极管,所以平时不用短接各个管脚。
* x6 n- [/ \& u; X4 i" a

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发表于 2022-6-21 10:25 | 只看该作者
看一看学习学习,

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3#
发表于 2022-6-21 13:18 | 只看该作者
就说有时候芯片的逻辑不对。
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