|
|
EDA365欢迎您登录!
您需要 登录 才可以下载或查看,没有帐号?注册
x
做断面分析抛光后的样品表面非常平整均匀,使用光学显微镜的明场照明,多数情况下反差不明显,需要通过刻蚀来加强。暗场照明对一些精细特征如空洞,裂缝和分层进行检查时比较有效。0 P# o) j6 p& ]2 n& X- j
SEM可以提供微观结构的形貌图,但是由于抛光态的样品表面平整度高,也要进行刻蚀以增大反差。BSE成像在研究抛光样品中的界面反应时很有效。5 t. O- n5 d8 T9 l: L
对抛光后的样品表面进行刻蚀处理,增强了样品表面的反差,能够在显微镜中观察样品反射率的变化或在SEM下清晰地观察样品表面外形特征的变化,另外还可以去除由于抛光而产生的金属变形层,以及抛光过程中嵌入的异物,比如缝隙,空洞等被填充等,所以刻蚀的根本目的是提高对微观结构的诊断可靠性。常用的刻蚀方法有化学刻蚀和离子刻蚀。
% m$ N; q9 `" b( U2 X" E0 `4 q: X c. \) k- j
化学刻蚀
( d0 Z7 _; ~; \0 h% ~9 I9 S电化学刻蚀是常用方法,它的基本原理是利用了原电池反应,在金相样品中的微结构之间形成一次电池,在阳极区和阴极区产生电势差的变化,阳极区受到刻蚀而阴极区受到保护。阳极与阴极可能在晶粒与晶粒边界,晶粒与杂质,以及不同的微观结构之间建立。
0 L9 Z/ \) i6 [4 B! C% N$ _# [2 v刻蚀剂一般由腐蚀剂(酸),调节剂(酒精或甘油)和氧化剂(过氧化氢)组成,电化学腐蚀在室温下进行,操作比较简单,一般是将样品浸入刻蚀液并轻轻搅动,时间一般在几秒到几分钟之间,电化学腐蚀不是适合所有微电子元件,因为各种材料之间通常存在很大的电位差,因此会产生如局部腐蚀,阳极金属完全腐蚀等现象,因此要通过尝试掌握正确的方法和参数。化学刻蚀剂常通过试验验证得到,刻蚀时间要控制好,以免破坏样品表面信息,有时需要选择折中的方案。列举几种常用的刻蚀剂:
7 m `! M1 \" E! f" K' W8 @6 N' @铝的刻蚀:& `4 v% T# |7 L2 n$ }5 D
85%KOH 饱和溶液,用于刻蚀钝铝,擦抹2~10S
1 a7 ~. H6 @" Z$ `& `3 F) F, w凯勒试剂,用于AL和铝合金的通用试剂( 2.5ml HNO3,1.5mlHCL,1.0ml HF,9.5ml: G1 \: W; N1 K. F' f9 c6 r
DI water). g4 u5 B1 {; c' g9 w8 y0 Y
) o: t$ u: X+ H0 U
铜的刻蚀:# C* A0 Q9 J6 @$ F
10ml HN4OH, 20ml H2O2,Cu 及其合金的刻蚀,用于印刷电路板,擦抹几秒钟
; b; L. d: q! T7 q d. }) v, L: j1 X/ s0 F. t" s$ ^
金的刻蚀:% e! l" V! U u M0 d+ D
1~5G CrO3,100ml HCL,用于纯金及其合金,擦抹或浸渍60s
9 \6 s! ^$ W( g$ R1 T; H1 Z
6 W. f, f# X3 s* |, d1 {锡的刻蚀:! o& K! H8 ~: B$ H; ?: \
2~10 ml HCL,90~98ml 乙醇,用于锡及其合金,擦抹几秒
# l9 J) c! c% F9 V; g" H9 W3 O1 p' j+ e, x9 @, v, C9 C* A& L" }
硅的刻蚀:7 l7 S' S+ i( M3 G2 E$ m
10ml HNO3,10ml 醋酸, 1mlHF,提供氧化物之间的纹理并勾画出参杂结,擦抹2~10s
! o' ^0 i8 @& {% r5 o7 z4 M% s2 ? J' V% R; x
二氧化硅的刻蚀:
' l; _5 y4 J4 j/ O# |NH4F:HF 7:1,氧化物腐蚀, 浸没几秒% K9 B" T1 f5 k2 ?
; y9 o1 U" N& ^9 q& e4 c( z6 }2. 离子抛光(Ion milling)0 U/ X" W W& f P
把样品放入真空室内,特定气体离子被加速到高能态,与样品表面碰撞,电离的气体从样品中剥离出表面原子,从而达到抛光效果。样品中不同材料的剥离速率不同而产生反差,剥离速率取决于气体类型,碰撞角度。和化学抛光相比,离子抛光设备较贵,抛光时间较长。
5 u3 g2 k0 j2 q/ [) Y3 {5 a( n! c# w) X3 j! L
|
|