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FP35R12W2T4问题咨询

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月色
  • TA的每日心情
    开心
    2020-7-4 15:05

    • 签到天数: 2 天

    [LV.1]初来乍到
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    1#
    发表于 2021-10-8 17:46 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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    IGBT型号：FP35R12W2T4  Ic=15A左右，Tvj=25到125度。
    . Q5 Y* u5 Q3 i) J( R2 q9 V, C咨询下Vgeth和Tvj的对应曲线关系。
    1 ?$ m) R: h6 m5 S9 F  A9 Z
    ' T, m  N4 Q2 C! G7 G. r% d( B( S目前有一款产品，因为米勒效应，在下桥开通时，上桥Vge能达到6V左右。模块在Tvj≦115度时无问题，当Tvj＞115度，模块会炸机。
    8 w) l! _; ^8 m& D. r波形和原理图见附件，麻烦看下有什么地方需要调整的，谢谢！
    ; Z2 ^3 k  L+ _

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    2-VL 3-VH

    2-VL 3-VH

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    startostar
  • TA的每日心情
    开心
    2021-2-25 15:13

    • 签到天数: 22 天

    [LV.4]偶尔看看III
    2#
    发表于 2021-10-9 09:42 | 只看该作者
    死区时间控制好，IGBT过热过流等保护必须有效

    点评

    月色
    死区时间2.5uS没有问题。 IGBT过流峰值47A，过热保护120度。  详情 回复 发表于 2021-10-9 13:30

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    月色
  • TA的每日心情
    开心
    2020-7-4 15:05

    • 签到天数: 2 天

    [LV.1]初来乍到
    3#
     楼主| 发表于 2021-10-9 13:30 | 只看该作者
    startostar 发表于 2021-10-9 09:42# z3 e' \8 j6 f, f+ D- M
    死区时间控制好，IGBT过热过流等保护必须有效
    % ~. j# L. Q0 W! q  o2 o, D
    死区时间2.5uS没有问题。 IGBT过流峰值47A，过热保护120度。
      l$ Y/ H6 _6 P, M9 Y

    点评

    startostar
    设计没问题的话，要考虑IGBT使用功率，可以使用同封装大功率模块+加大散热，去尝试定位问题  详情 回复 发表于 2021-10-9 14:20

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    startostar
  • TA的每日心情
    开心
    2021-2-25 15:13

    • 签到天数: 22 天

    [LV.4]偶尔看看III
    4#
    发表于 2021-10-9 14:20 | 只看该作者
    月色 发表于 2021-10-9 13:30( o. ~% Q: T! _) S2 D  I9 y
    死区时间2.5uS没有问题。 IGBT过流峰值47A，过热保护120度。

    ( }% v. x$ c; c8 d" S& w设计没问题的话，要考虑IGBT使用功率，可以使用同封装大功率模块+加大散热，去尝试定位问题
    9 s' Q( X+ {/ R  m. J; F6 k

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