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2019-2025年中国电子元件制造行业市场分析及投资可行性研究报告

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发表于 2021-10-12 11:09 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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+ o  j% I& c; J: ~6 y  d4 O* D
, K" z5 b8 T! s! }. {
失效定义
! t1 J! p1 s( _& `4 K1特性剧烈或缓慢变化
/ P( A- v( w- M: d4 H4 Z2不能正常工作# i. M, b5 {! z. I' a
3不能自愈失效种类3 u# L" b9 ]" r# w
1致命性失效:如过电应力损伤2缓慢退化:如MESFET的IDSS下降7 H' E' m7 J5 M. A, |0 z
3间歇失效:如塑封器件随温度变化间歇失效
( v$ D" H( `! s9 e1 f6 ~% W4 T4 O' X, X* l% B+ I/ T
) d' c1 y4 l' q1 \6 K. E
2 @' ~" Q3 Y2 h8 l
) v5 H( K! Z* b3 k) `# o

7 S7 B# w, N" T" v. V6 g附件: IC电子元器件失效分析.zip (333.7 KB, 下载次数: 0) 8 ]: b/ @# K# ?: A

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2#
发表于 2021-10-12 11:27 | 只看该作者

: \% v. t9 K% o) k1 D) J* vz 应力-时间模型(反应论模型)3 E7 n- s  I3 L. \* Q/ n# Q* ^
失效原因:应力的时间累积效应,特性变化超
% b' Y# ?% u2 x, p, ^- e, J差。如金属电迁移、腐蚀、热疲劳
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