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《基于SiP技术的微系统》目 录 0 t+ V$ X/ r4 K# N0 c9 c& Y
1 _8 ?' p3 p& S6 E/ ~( a; [. w
第1部分 概念和技术
3 y" }3 D/ Q$ U4 o( o: }第1章 从摩尔定律到功能密度定律 3) ^$ {/ G3 A9 K
1.1 摩尔定律 3! [1 G; ?( i# S
1.2 摩尔定律面临的两个问题 4
! P% {; }. ~! [/ U1.2.1 微观尺度的缩小 4
8 _5 F0 A7 E2 D1.2.2 宏观资源的消耗 6
% c" H# s. u( ]; s- h0 S1.3 功能密度定律 10
: W7 U: \9 v% L/ s. ?6 Y8 J1.3.1 功能密度定律的描述 104 j2 L' F' L# V# k7 a
1.3.2 电子系统6级分类法 117 m5 ?, h1 E& ?* m2 T( w- E
1.3.3 摩尔定律和功能密度定律的比较 13
9 y' t9 H6 |, p8 l( G# j. |1.3.4 功能密度定律的应用 14( O" W/ {6 X6 Z4 ^- M
1.3.5 功能密度定律的扩展 17
1 F, q3 R: K, z+ v! Y- ~$ v+ E, B8 ?1.4 广义功能密度定律 17+ h! y3 Z% ^6 j4 g
1.4.1 系统空间定义 18
; F3 v# H) w: H! P( I1.4.2 地球空间和人类宇宙空间 18" Q9 z" D$ w* J5 H) G- K
1.4.3 广义功能密度定律 20
- t, H4 I r [! k3 m- \) k& L第2章 从SiP到Si3P 218 g# @1 ?- ]5 ~* N
2.1 概念深入:从SiP到Si3P 21
5 v! \: V! I) O' q( \. c9 w, B9 L2.2 Si3P之integration 23
' y% w4 @( `9 o2 l7 S2.2.1 IC层面集成 23
$ S5 M3 ]# S9 N# u; N2.2.2 PCB层面集成 26
; [) x% ~* ], ]% \2.2.3 封装层面集成 28( i, Z+ d, ~- u% R# F1 F
2.2.4 集成(Integration)小结 309 L8 T7 X5 n% U
2.3 Si3P之interconnection 31
4 f7 K z% ^+ x" W; ^2.3.1 电磁互联 31 n0 h- A5 R( j. ~ z
2.3.2 热互联 36
* _( n7 e) ~: F* X1 w( P& I# H% J2.3.3 力互联 37
- u. [0 F! R) C8 [7 i* I7 E2.3.4 互联(interconnection)小结 39
1 f- P/ K# {' @" d: W2.4 Si3P之intelligence 39" A# Q y! {& h' w9 _1 F9 G0 _; H( a
2.4.1 系统功能定义 40+ ]- o# O7 n! {" v' n# H
2.4.2 产品应用场景 419 ]- V8 I3 s# l& c' N- _3 d2 d
2.4.3 测试和调试 41
; v- k9 k5 B& v2.4.4 软件和算法 42
' ]/ n1 \) f. L1 N2.4.5 智能(intelligence)小结 44( R" @" y/ U) M$ W
2.5 Si3P总结 44
* D3 |; y2 l# T8 }2.5.1 历史回顾 44! p" Z. v1 g# P
2.5.2 联想比喻 45
9 m8 b, t. [7 X6 q2.5.3 前景预测 46: V0 x% k f h2 f1 H
第3章 SiP技术与微系统 47' e2 d7 m5 S3 N" d5 }: N" m% c( K2 I
3.1 SiP技术 47- U9 S6 c+ V0 G; R
3.1.1 SiP技术的定义 47. h, U$ |; G1 O+ j
3.1.2 SiP及其相关技术 48
8 \1 g2 D1 O4 x+ [+ C; w6 @4 J5 X3.1.3 SiP还是SOP 50
4 j6 x( ~3 Y$ { j- K3.1.4 SiP技术的应用领域 516 |) D. q4 j% b( _( j& z7 h
3.1.5 SiP工艺和材料的选择 55+ ?# j4 M& Y. T8 Z: A8 _9 y
3.2 微系统 57
- f( R, v3 }: s. ~3.2.1 自然系统和人造系统 57
0 e* D) J9 |1 H X+ ?3.2.2 系统的定义和特征 58; u7 I/ Q% T8 X7 \2 O) D2 `
3.2.3 微系统的新定义 592 s0 |8 b1 a# ?6 U7 q
第4章 从2D到4D集成技术 61
8 M2 H/ L- \) ?! t4.1 集成技术的发展 61( Y" A; H- Y/ [8 Q# Z; i, I
4.1.1 集成的尺度 61
! N& }( P$ I8 D- |4.1.2 一步集成和两步集成 62
3 O/ B! e) x' \: V4.1.3 封装内集成的分类命名 63
0 m. m5 h+ X6 I8 Q' q4 a4.2 2D集成技术 64
5 y+ O7 Y9 _* z2 S/ J; g0 n4.2.1 2D集成的定义 64" H% `! ~! s$ _0 P; L/ r
4.2.2 2D集成的应用 64
/ B5 t& H+ i. `( S, N4.3 2D+集成技术 65
& r2 y1 N% r( C5 l$ v% b: h. `; v4.3.1 2D+集成的定义 65 z8 e' C, [, Z, \ Y
4.3.2 2D+集成的应用 66
9 p6 {+ N, L. T( Z+ j4.4 2.5D集成技术 670 }& n1 X( \5 I, v9 B
4.4.1 2.5D集成的定义 67
" o" F9 ?; s4 s7 K3 _4.4.2 2.5D集成的应用 67
* m7 b, `' G/ L7 p) P& _+ {1 y2 r4.5 3D集成技术 68+ e: Z0 f# k: y' t4 j4 _( r7 B
4.5.1 3D集成的定义 681 b9 k8 M) w& i/ n0 L: g: K9 ~
4.5.2 3D集成的应用 69
- A; J3 u) g6 a% |5 L. T$ n4 I4.6 4D集成技术 70
0 }; g* L# f- J/ K: n0 ]% E4.6.1 4D集成的定义 70
# e/ X- W7 N% F" O4 \4.6.2 4D集成的应用 71
4 G0 {& G0 V* M; a4.6.3 4D集成的意义 73# |$ x: V6 y' |8 |0 E" X/ \
4.7 腔体集成技术 735 A3 P1 o' ], n
4.7.1 腔体集成的定义 73! d5 z* i% O/ i2 ?
4.7.2 腔体集成的应用 74. x; h2 I) T( |! w
4.8 平面集成技术 76
+ x. B9 G, o5 ^2 Y \+ @4.8.1 平面集成技术的定义 76
- e% [2 b0 L7 s0 A, e4.8.2 平面集成技术的应用 76
|, s; h3 l( K" a; N. j4.9 集成技术总结 78
' Q8 J+ D% c" S$ D2 K& k第5章 SiP与先进封装技术 80
3 F4 f5 g# V& `2 ^, G) u1 u9 Z5.1 SiP基板与封装 80' s5 R6 Y$ |) p4 @) u, `
5.1.1 有机基板 80
& @' {; ^) O& l' R! L5.1.2 陶瓷基板 828 N' V# t, a, q' @3 c6 P5 Z* d
5.1.3 硅基板 85! P1 g( z" A# M4 A. ]
5.2 与先进封装相关的技术 85* u6 G7 {6 q- t& }# K
5.2.1 TSV技术 86+ R: c8 e4 a; O8 x# o1 u" C+ g
5.2.2 RDL技术 87/ ~4 G0 s6 b+ ]
5.2.3 IPD技术 88
5 C% D4 |/ d2 J0 U* ^5.2.4 Chiplet技术 89
' u" ]& Y0 u8 \$ }8 I# a2 x5.3 先进封装技术 92
2 o/ ^% y1 a3 ^' U* [" c2 p, R5.3.1 基于XY平面延伸的先进封装技术 93 f6 n0 y# a) }+ s
5.3.2 基于Z轴延伸的先进封装技术 96
- }0 i0 D, Q4 v' ]1 b5.3.3 先进封装技术总结 103& X* G' t( h! \ p/ K5 z
5.3.4 先进封装的四要素:RDL、TSV、Bump和Wafer 104
2 Q* \1 ^! V0 d5.4 先进封装的特点和SiP设计需求 105- ^! q( x- k: L/ P1 d6 e Y+ t1 s7 b
5.4.1 先进封装的特点 105: S' Z8 O. A/ S9 ~; _
5.4.2 先进封装与SiP的关系 1067 @2 C8 Y* _! _, ~: }0 @
5.4.3 先进封装和SiP设计需求 107
$ B1 w3 P) U5 J* E; m第1部分参考资料及说明 1089 {* ?5 ]9 ]1 q) N# ?; g
2 B! a& q6 k5 A( v
第2部分 设计和仿真7 W) b. Y& P! o8 f1 y2 w, `. Y! v
第6章 SiP设计仿真验证平台 1113 B) k% N! c3 ~
6.1 SiP设计技术的发展 1117 u; d4 z9 f- |; S0 ~9 x" a
6.2 SiP设计的两套流程 112
5 o) k! v1 ?* b) [) g: H6 H' m6.3 通用SiP设计流程 1125 f# o" ]. D; d6 L9 ~5 R
6.3.1 原理图设计输入 112- g3 G! n# p$ w, I" Z' j
6.3.2 多版图协同设计 112
. L9 M3 @& G- `7 B: u, A3 b- t6.3.3 SiP版图设计9大功能 113
/ y$ M6 ]0 a8 S( N/ w6.4 基于先进封装HDAP的SiP设计流程 1183 v5 P5 m' r1 H& O
6.4.1 设计整合及网络优化工具XSI 1198 ~) d5 O9 Q% `$ d+ W ~
6.4.2 先进封装版图设计工具XPD 120
3 \6 N4 l( @- n6.5 设计师如何选择设计流程 121: @+ ~- j" a7 I
6.6 SiP仿真验证流程 122$ b7 W- l+ s) W: L8 R# L
6.6.1 电磁仿真 122; A ?3 H/ R! P N
6.6.2 热学仿真 124. O% W2 _( z5 N
6.6.3 力学仿真 125+ ?; p- e" B+ D' f
6.6.4 设计验证 125
! }' K9 I% q# r6.7 SiP设计仿真验证平台的先进性 127! j0 h7 X- b) j8 z. j" o
第7章 中心库的建立和管理 129
@( h9 @! A# s& C8 k. g# [* ^7.1 中心库的结构 129
# b8 {7 N1 x0 C7.2 Dashboard介绍 130
& b" D6 }% i" H, Y4 \' O6 n7.3 原理图符号(Symbol)库的建立 1316 K2 {/ a4 f. U, \, g/ D) x2 }2 o
7.4 版图单元(Cell)库的建立 136
2 y5 D5 o4 }( N2 E7.4.1 裸芯片Cell库的建立 136
' ^+ Q6 i7 T! W7.4.2 SiP封装Cell库的建立 141
0 c8 I# A% z7 _7 t; j1 k7.5 Part库的建立和应用 1451 l# S7 f- N- {, t( Z$ V
7.5.1 映射Part库 145
- d0 R+ f) p: H9 e/ v7.5.2 通过Part创建Cell库 147( z/ X0 u T, V8 ?+ w8 y) Q3 i
7.6 中心库的维护和管理 148
# x4 g# u, X$ ~' Y3 k/ Y7.6.1 中心库常用设置项 149( S4 U( R. P6 C
7.6.2 中心库数据导入导出 149
% ~2 w% {6 U& z4 s* O第8章 SiP原理图设计输入 152! b6 F; d7 v3 M" P
8.1 网表输入 152
% t$ S$ C- g, E+ q& F! K/ v, I# K7 i/ A8.2 原理图设计输入 154
8 I: T% u+ E( q9 Q5 q- Y1 l8.2.1 原理图工具介绍 154
- o# k' s, f) X4 I/ L; d8 N# E4 h8.2.2 创建原理图项目 162. K; h& |8 U- P9 b( F$ q _' d
8.2.3 原理图基本操作 163
" G, s; Z/ M! h8.2.4 原理图设计检查 167
1 p- c" M- o# k2 ^ W/ N$ E8 ]8.2.5 设计打包Package 1690 Y1 T9 r5 F& r; i
8.2.6 输出元器件列表Partlist 1725 E% D# Y* ]9 V) v! `; {2 [2 |
8.2.7 原理图中文菜单和中文输入 173
4 {; n' w- k, N6 n3 ]2 b8.3 基于DataBook的原理图输入 175
/ v6 e# b' n* e N0 u- U8.3.1 DataBook介绍 175
4 X7 a" _! P. f# H( b' X$ u2 Y. }8.3.2 DataBook使用方法 176
; ^* s8 Z" k- G. `3 F* Z8.3.3 元器件属性的校验和更新 1789 E& w; y/ _7 u) ~* n+ B0 C
8.4 文件输入/输出 179
6 x% g3 C3 _5 y% I0 T) K8.4.1 通用输入/输出 179
r. b! S8 K# ]/ l8.4.2 输出到仿真工具 181
* O8 ?2 H% c9 s# k4 G5 ~3 ~第9章 版图的创建与设置 183
* m' F v f+ L# a9.1 创建版图模板 183! T2 I0 l0 H4 o8 F" ]. C Z+ T8 V
9.1.1 版图模板定义 1837 k$ ?7 }+ X+ R( q3 P' k4 l7 L
9.1.2 创建SiP版图模板 184
3 c+ e3 O; Q+ P2 f+ p" r7 c6 f7 D9.2 创建版图项目 194% E T* p( }6 T7 t
9.2.1 创建新的SiP项目 194/ l8 \1 J7 }: ^. m3 X
9.2.2 进入版图设计环境 195$ i) [8 B8 J5 l+ p" f# W+ I
9.3 版图相关设置与操作 196
6 O6 u. t" n, ]+ {; j9.3.1 版图License控制介绍 196
0 K, m" w! ~) p9.3.2 鼠标操作方法 197
# N8 F2 ~" S3 @8 z# @5 v5 L9.3.3 四种常用操作模式 199" S$ W! o) u# V3 t# P4 H8 m0 ]
9.3.4 显示控制(Display Control) 2029 L/ E$ K/ h3 R
9.3.5 编辑控制(Editor Control) 207
/ S# _* ~$ P% p9.3.6 智能光标提示 213
: x% d1 K+ ^) C$ k4 s5 X# R2 [9.4 版图布局 213
) z8 B- o" _) r9 S0 q9.4.1 元器件布局 213
6 P5 P# b! c3 z: ]0 T& G8 b9.4.2 查看原理图 217; [1 L$ `/ k9 m5 @
9.5 封装引脚定义优化 218
, M) N7 t. y Z, [, v- s2 b9.6 版图中文输入 218& e! W- {6 y/ u4 T; u
第10章 约束规则管理 2217 F" G- q4 K' H: I
10.1 约束管理器(Constraint Manager) 221) a& y2 q9 l% f2 {3 t! r1 q
10.2 方案(Scheme) 222) E8 \ l0 U* e. n) f
10.2.1 创建方案 223/ ?* y4 M" P9 H
10.2.2 在版图设计中应用Scheme 223
/ w& O4 s0 m7 H- _# j# w8 g0 o10.3 网络类规则(Net Class) 2245 R. Y+ b1 W3 z! j
10.3.1 创建网络类并指定网络到网络类 224/ y5 T; @( y) ~3 w# N
10.3.2 定义网络类规则 225
6 W5 ] d; k- u/ {- f' u& ]- |1 E10.4 间距规则(Clearance) 226
* {' j( w1 F) q8 N) I/ M1 b10.4.1 间距规则的创建与设置 2269 H( N9 ^' {2 ]+ _
10.4.2 通用间距规则 227
: x' y/ x n, z( W, _' V6 O10.4.3 网络类到网络类间距规则 228
3 F0 y9 _0 n# p3 n2 H: {10.5 约束类(Constraint Class) 229
, p: M$ y2 g$ n) y4 g3 H! s10.5.1 新建约束类并指定网络到约束类 2296 i G& U% M# ]% D
10.5.2 电气约束分类 2306 k+ {( U0 n$ Y* ^
10.5.3 编辑约束组 231 N% I+ D* e' d
10.6 Constraint Manager和版图数据交互 232
) h/ y0 w0 ] |8 ]! E+ @, z" o10.6.1 更新版图数据 232- A' J( c7 d* p) `
10.6.2 与版图数据交互 2332 t1 D6 D g5 I
10.7 规则设置实例 233
) M8 J" K; ?8 _( _, h; X; x10.7.1 等长约束设置 233
( G) E. A5 S+ i I# d0 y10.7.2 差分约束设置 236
# ?) z6 d v% U) s8 ^7 i/ v10.7.3 Z轴间距设置 2371 b' j0 i+ g# ~ d& j
第11章 Wire Bonding设计详解 239
' P: }, [* h' ]9 t! m' c11.1 Wire Bonding概述 239! J8 n6 h. b/ j. o* X
11.2 Bond Wire 模型 240
0 t1 p/ g9 E1 i/ |11.2.1 Bond Wire模型定义 241
6 C- Y! A6 \# C5 c7 ]& n8 H11.2.2 Bond Wire模型参数 245
- ?, e0 D1 ]% y. ~, g0 o. Q5 {" E# @11.3 Wire Bonding工具栏及其应用 246
) D( e8 \' l: x5 H4 n' d11.3.1 手动添加Bond Wire 246
" e6 b, w' w$ L' x' o4 [2 d8 a5 |4 ^11.3.2 移动、推挤及旋转Bond Finger 247) _2 z7 x+ @& x5 I/ Y# l. d
11.3.3 自动生成Bond Wire 2484 P) q5 [6 J6 S' T0 u" X1 k, G
11.3.4 通过导引线添加Bond Wire 249. k. x6 d: \9 }* C. G0 b
11.3.5 添加Power Ring 2515 i0 f3 W8 j6 F0 e
11.4 Bond Wire规则设置 252
2 X' U5 c: p: S11.4.1 针对Component的设置 253, T o6 |/ Z5 l
11.4.2 针对Die Pin的设置 256; L& [2 R- S4 M
11.4.3 在Die Pin和Bond Finger之间添加多根Bond Wire 258, C/ N( J! T( U3 y5 O' Y
11.4.4 从单个Die Pin扇出多根Bond Wire到多个Bond Finger 2582 n7 n$ }8 B, V7 R, L5 }
11.4.5 多个Die Pin同时键合到一个Bond Finger上 2595 y+ [, T+ h! a5 G5 o. U& X2 e
11.4.6 Die to Die Bonding 259
6 l6 G( I% h% f! Z) \8 N1 N) r11.5 Wire Model Editor和Wire Instance Editor 261
! X5 d( ~2 a% y第12章 腔体、芯片堆叠及TSV设计 265
1 a6 u& y* y& r12.1 腔体设计 265: _. Q! a% @: I g6 R2 O
12.1.1 腔体的定义 265/ r Q& j* _5 }# r1 ? g& U
12.1.2 腔体的创建 2671 @1 R5 e/ h5 }9 a. Y3 V4 W$ w7 B
12.1.3 将芯片放置到腔体中 269, O5 u+ ]7 E2 `- T8 Q# P
12.1.4 在腔体中键合 2707 ^9 R7 i# K3 b) N
12.1.5 通过腔体将分立式元器件埋入基板 271( h$ V* C9 ` N' j! [" X* v) g
12.1.6 在Die Cell中添加腔体实现元器件埋入 273
5 n- X7 m) B& r8 V/ h12.2 芯片堆叠设计 275
6 Q8 N5 u+ r3 o. V7 l8 y7 }& T' B12.2.1 芯片堆叠的概念 275. L& D8 `! H) O# P4 E- c) ^; U( n
12.2.2 芯片堆叠的创建 276
. P# C8 _! B( O$ d( \5 ~0 K: N* _6 N12.2.3 并排堆叠芯片 277
3 |: W ?' K! n- ^, z12.2.4 芯片堆叠的调整及键合 278( s. ]% b% X% H; s" d: v
12.2.5 芯片和腔体组合设计 279
( a- U5 L- e4 O: ^. \: X7 m" Z5 s12.3 2.5D TSV的概念和设计 281
* m$ ], c+ V- ~# W12.4 3D TSV的概念和设计 281
; d7 ?8 h% p E5 ^; \12.4.1 3D TSV的概念 281; v% q8 Z4 |" T9 r
12.4.2 3D TSV Cell创建 283) Z+ M! j- o( b: v; V3 }9 s; g
12.4.3 芯片堆叠间引脚对齐原则 284
% s/ r) L$ q' R/ ]! K12.4.4 3D TSV堆叠并互联 284
' w$ H. Y" Z! B, Z# C8 j12.4.5 3D 引脚模型的设置 286/ d0 X$ z" [9 D7 ?9 T0 P$ H
12.4.6 网络优化并布线 287
5 N# O. V; R2 ^ e# b12.4.7 DRC检查并完成3D TSV设计 289
5 Y6 Z' D, b0 s, [第13章 RDL及Flip Chip设计 291
/ B" m7 m6 o: p2 U2 B9 i4 Y* h13.1 RDL的概念和应用 291" b7 b; Q! q+ ?9 l3 f! r# _- ~1 o
13.1.1 Fan-In型RDL 292
* G2 B, o2 i+ o( M- ?" @) u) j13.1.2 Fan-Out型RDL 2939 |. ^' R- E5 y/ n+ j
13.2 Flip Chip的概念及特点 294) C4 J% G5 Z6 M# M* d
13.3 RDL设计 295
2 B$ @* B2 Z: ~& ^7 b+ [13.3.1 Bare Die及RDL库的建立 295) R! W" m8 Q( A" v5 r3 I- n& Q
13.3.2 RDL原理图设计 297
f0 a$ f! I4 D0 u8 `1 O13.3.3 RDL版图设计 297
) H) m Z, j; }6 ~' n$ \4 k1 j13.4 Flip Chip设计 301
& ]6 R3 v1 l, U: m9 u" L2 L13.4.1 Flip Chip原理图设计 301
0 b O) y3 o" [, i13.4.2 Flip Chip版图设计 302
5 p+ m- Q, w0 g* g. ~" s- M" D第14章 版图布线与敷铜 307* H% W6 J% Y7 _; ]" V; h6 i
14.1 版图布线 307: m7 b+ C: K$ _0 z
14.1.1 布线综述 307
5 v1 R& a- \% @5 ]5 R+ o. s' F14.1.2 手工布线 307
- D" m& D9 P: w6 a" n14.1.3 半自动布线 3123 D. F5 D1 s& G {; Q7 B
14.1.4 自动布线 315
, U" C" P! ?' w" ]) G: H- z14.1.5 差分对布线 316
6 N* c: C- A |# T4 i' G7 R14.1.6 长度控制布线 319$ X! S' Y$ I5 l5 H& D, f9 Z
14.1.7 电路复制 323
1 p; T% k; g ~& f: b' ?! k H14.2 版图敷铜 325
% A0 L" p/ W: R- m& R! s14.2.1 敷铜定义 325; x4 u0 Y9 ?# g! O6 p) [1 P
14.2.2 敷铜设置 3259 k n( ^* @- ^7 Y' K6 F1 j! X0 S
14.2.3 绘制并生成敷铜数据 328$ c: A7 L* @& [/ \) V
14.2.4 生成敷铜排气孔 331: I! y! U, `6 n }
14.2.5 检查敷铜数据 333
2 O; @. Z7 b+ m% s. W第15章 埋入式无源器件设计 334
7 Z+ L/ y7 C$ B5 H, j; t15.1 埋入式元器件技术的发展 334
- I* P' D. z; R, v9 t, i0 e0 ]15.1.1 分立式埋入技术 3348 S ~6 G: F v* X
15.1.2 平面埋入式技术 336
?# j# c' O9 l7 ^15.2 埋入式无源器件的工艺和材料 3364 g6 X# L1 U- _2 H: S# s, t
15.2.1 埋入工艺Processes 337* V) u$ p% T; y* j; g5 q O
15.2.2 埋入材料Materials 342- a; N& ^& G( Y' K
15.2.3 电阻材料的非线性特征 346
+ g1 k2 U" H1 C9 E# g15.3 无源器件自动综合 347
+ _2 b# ?; I7 ^9 B' F5 B15.3.1 自动综合前的准备 347
0 u" z0 y% |9 h* x' m% C$ v15.3.2 电阻自动综合 349# _+ h! {9 o4 k3 V- l
15.3.3 电容自动综合 353, m, D( K! E8 y+ ^% ?: e6 G5 V2 w1 Y
15.3.4 自动综合后版图原理图同步 357. e" f8 [! F; E. _- ? o
第16章 RF电路设计 359
# K W3 b9 J+ ]6 [* n9 }- s16.1 RF SiP技术 359+ z5 @' I/ Z! x, o6 G
16.2 RF设计流程 360' f/ S. f; o8 u
16.3 RF元器件库的配置 360 y' x" h- X& f9 R
16.3.1 导入RF符号到设计中心库 360
* d# H3 _4 U* \: q1 {9 f8 z16.3.2 中心库分区搜索路径设置 361+ X: B+ M0 K0 i: w- @- l
16.4 RF原理图设计 362
1 @+ X" _7 S7 {7 K& l# ?, r/ ]16.4.1 RF原理图工具栏 362
9 ~! M1 m" d1 Q! ]* ^16.4.2 RF原理图输入 364
0 |3 |) m) n) Z/ r: @8 v16.5 原理图与版图RF参数的相互传递 365$ U9 e$ w+ ]$ Q! m
16.6 RF版图设计 368
% b, H. k4 G6 {- ]16.6.1 RF版图工具箱 368
- e9 u4 y9 b, z T; q+ f16.6.2 RF单元的3种类型 369
7 s/ [6 ^+ I. ~5 G; N- A5 u16.6.3 Meander的绘制及编辑 370
8 M. c' |, M8 w- M- [: h: s. Z16.6.4 创建用户自定义的RF单元 372
) U" `* c! h2 U: Y16.6.5 Via添加功能 3743 k* i. L5 {, X( c* F# G5 v
16.6.6 RF Group介绍 3760 F2 A: A, h0 D5 D2 ?6 d
16.6.7 Auto Arrange功能 377! J z; f) H% p, W- m$ K
16.6.8 通过键合线连接RF单元 377
: U! L y0 V4 o3 l9 Q) v2 Y16.7 与RF仿真工具连接并传递数据 3786 ?; A; ^7 ]' N, v7 w
16.7.1 连接RF仿真工具 378
. o/ F4 n& T) w% j1 x16.7.2 原理图RF数据传递 380
$ a! |% [" I: ?# B% q# u16.7.3 版图RF数据传递 381
$ p% u% c6 Y h) j6 x( o第17章 刚柔电路和4D SiP设计 383+ w2 ]3 p) w8 u' d
17.1 刚柔电路介绍 3839 D7 |4 s1 k2 ^ d
17.2 刚柔电路设计 384* b1 j! T3 [% d7 V! T* i
17.2.1 刚柔电路设计流程 384
' k/ R( F+ D9 d1 S17.2.2 刚柔电路特有的层类型 384+ @) K3 i- j- G3 }
17.2.3 刚柔电路设计步骤 385
& A0 G8 I- F& l! y0 H A17.3 复杂基板技术 394
6 `, j2 f3 X- S" ]" E! M17.3.1 复杂基板的定义 394
0 p5 T# V C/ J. g' @17.3.2 复杂基板的应用 394
' ]$ Y( F& m! L3 _4 M17.4 基于4D集成的SiP设计 395
9 @0 E; _7 n/ ?, X/ S- _8 }4 s, t) ]17.4.1 4D集成SiP基板定义 395
7 ]0 }, d9 C! O) l3 S3 h2 m17.4.2 4D集成SiP设计流程 396
+ W( T( x h; V9 [. e' c4 e17.5 4D SiP设计的意义 4005 J) {$ O( A% r1 c3 ]. [* V. h
第18章 多版图项目与多人协同设计 401/ s. q2 T6 e* s9 N1 U1 D% K2 M
18.1 多版图项目 401
* ^8 a" r' k8 g! G: S9 a0 T% \18.1.1 多版图项目设计需求 401. ?* k# ]# Q" |; _( p
18.1.2 多版图项目设计流程 402( h7 j Z. W7 t9 q: o7 P
18.2 原理图多人协同设计 405
/ o b G( M' _- e9 _18.2.1 原理图协同设计的思路 405
8 P$ H1 i D2 k) D) u18.2.2 原理图协同设计的操作方法 406, |; j2 Y5 @3 k- q4 m
18.3 版图多人实时协同设计 409
; V7 H# z3 m2 {18.3.1 版图实时协同软件的配置 411& w0 d$ `/ J) b9 R& J( o- P6 ~: P
18.3.2 启动并应用版图实时协同设计 412- w, V5 i8 c' L) r* d
第19章 基于先进封装(HDAP)的SiP设计流程 415* l+ S" c( g+ c5 ?: P0 F" i6 B+ e
19.1 先进封装设计流程介绍 415
5 n4 ?! V/ ?' S* T19.1.1 HDAP设计环境需要的技术指标 415
- `9 Z/ n2 p7 S. {- U$ F, P19.1.2 HDAP设计流程 416
/ s* T- T1 [- x- l5 N! \19.1.3 设计任务HBM(3D+2.5D) 417
& k `( \9 y& q% ]$ }19.2 XSI设计环境 4181 D; W. W) b& a9 H: [9 t" y
19.2.1 设计数据准备 418
" N6 S2 f) L) P* u- l. e% ^5 k19.2.2 XSI常用工作窗口介绍 419; b0 d7 j B; n
19.2.3 创建项目和设计并添加元器件 420
n3 |2 f5 \% w. f% R19.2.4 通过XSI优化网络连接 428
9 G, ` X1 j1 C$ C19.2.5 版图模板选择 429: u6 W7 E! [ M
19.2.6 设计传递 431
5 a0 V g5 r5 {0 _. W4 l# H# x19.3 XPD设计环境 432
( D+ T% F8 m! I& |( D$ [/ q19.3.1 Interposer数据同步检查 432
( `+ T' u/ l7 R4 Q+ C/ t19.3.2 Interposer布局布线 4332 V' B; c# q J, u
19.3.3 Substrate数据同步检查 434
/ ]& M$ F8 S( V) A2 H! s19.3.4 Substrate布局布线 435
8 b9 {: [- @' O8 x4 ~$ r; ]) O) _7 L19.4 3D数字化样机模拟 436
' ?5 e' C; v- I4 ~, x19.4.1 数字化样机的概念 436+ `3 L( O% J4 g8 v
19.4.2 3D View环境介绍 437" |5 j) Z9 ]6 T& P6 k
19.4.3 构建HDAP数字化样机模型 4388 g( G. Q/ h0 e1 `/ u7 d* t& `* a
第20章 设计检查和生产数据输出 444: q6 r% K# g4 T2 ?- v3 W
20.1 Online DRC 444
9 s1 b# |, K" v1 Q4 G% M20.2 Batch DRC 445
( l! T- @3 M: S* x3 m. b, y4 z$ P+ o20.2.1 DRC Settings选项卡 445
3 @! p9 C6 A; x20.2.2 Connectivity and Special Rules选项卡 447& B: m4 x1 ~) N; l3 a- ]8 ^# k
20.2.3 Batch DRC方案 448' ~4 D" z |1 x' l1 K0 N" b# P
20.3 Hazard Explorer介绍 449
8 R! t$ m( H2 p0 J20.4 设计库检查 453
" o5 J( Y8 D% s- S+ u20.5 生产数据输出类型 4538 r" E2 `) D9 i2 t- u) |1 H* r/ v
20.6 Gerber和钻孔数据输出 454/ h/ k7 n. z; X$ d0 @
20.6.1 输出钻孔数据 454* R! R. {. t: U% ~" f& W
20.6.2 设置Gerber文件格式 457
4 S1 N- A# \6 Z! ~ S4 N20.6.3 输出Gerber文件 458
+ l9 `8 P* R3 O20.6.4 导入并检查Gerber文件 460
: ^$ {( W5 ?0 C$ ?20.7 GDS文件和Color Map输出 461
) [6 U& Z8 \1 S/ {- |20.7.1 GDS文件输出 4614 S) i8 F* U( z$ i% j& `
20.7.2 Color Map输出 462
, T7 Z& X2 E, j- L20.8 其他生产数据输出 463" @% N% y2 T- z! q5 ^4 g6 D1 x
20.8.1 元器件及Bond Wire坐标文件输出 463
* N* ^5 ~1 m0 A" b$ y2 {20.8.2 DXF文件输出 4650 Z! b/ X$ v% k' B
20.8.3 版图设计状态输出 465
6 d9 n7 S+ z& u9 i$ h! U+ |. R20.8.4 BOM输出 466
7 p# A% y% M2 ?5 v第21章 SiP仿真验证技术 4689 H8 _1 i* S, O; I. @
21.1 SiP仿真验证技术概述 468
# n+ o6 x% c+ v; P) {21.2 信号完整性(SI)仿真 469
2 ~2 I' t- q8 f0 f21.2.1 HyperLynx SI 信号完整性仿真工具介绍 469
. k6 ~* H: b# M( i2 S/ }21.2.2 HyperLynx SI 信号完整性仿真实例分析 471/ b4 y) j- _' R6 H
21.3 电源完整性(PI)仿真 476
. I- ~( s( _: j+ Y1 f4 Z: W+ w' G! q21.3.1 HyperLynx PI 电源完整性仿真工具介绍 477) r/ @3 A& _$ f( F: {7 n0 D
21.3.2 HyperLynx PI 电源完整性仿真实例分析 478+ l& M' @$ d% `' x# o
21.4 热分析(Thermal)仿真 483
5 }. i/ n8 e! ]21.4.1 HyperLynx Thermal热分析软件介绍 484/ q$ H: b" o% E0 N0 |
21.4.2 HyperLynx Thermal热仿真实例分析 484
$ F3 A1 \" `) N0 [/ Q; y21.4.3 FloTHERM软件介绍 488
; W4 Y m9 O4 M" t% `4 z7 `21.4.4 T3Ster热测试设备介绍 489
9 |" f$ L4 o# t5 p b& `21.5 先进3D解算器 491
7 m( U" F" D% a. `$ G21.5.1 全波解算器(Full-Wave Solver)介绍 491$ i* z' L# B- s8 K, c! u
21.5.2 快速3D解算器(Fast 3D Solver)介绍 491
0 t5 c) K+ S5 {1 w$ N! M21.6 数/模混合电路仿真 492
: {7 S) z9 J, S$ O7 M6 c1 D" T) x21.7 电气规则验证 4932 K- a9 L' ^& a4 f8 ]
21.7.1 HyperLynx DRC工具介绍 493 `$ L7 m- ]; P7 ~& j
21.7.2 电气规则验证实例 494" s) F+ }) {1 b& y6 S/ i8 ~
21.8 HDAP物理验证 499
% m. k& p; J, X8 s1 [+ {0 q# Q2 g21.8.1 Calibre 3DSTACK工具介绍 499) `; w: l a$ E: @0 ^7 I1 |: ]
21.8.2 HDAP物理验证实例 5003 P. H% H$ ]2 f$ R" `$ z; X: y
第2部分参考资料及说明 5064 I' K) F9 T; _( d) t! {
/ l }$ a8 L- v% \( P% f' Y0 d9 K
第3部分 项目和案例7 v- ]. h$ I( i0 ]
第22章 基于SiP技术的大容量存储芯片设计案例 509
" N- W0 n/ D3 l; r22.1 大容量存储器在航天产品中的应用现状 509
9 ]4 k3 Z( d+ \: Q4 C( R22.2 SiP技术应用的可行性分析 510
) N8 v4 p, S3 g( a. L4 j4 l! j9 I22.2.1 裸芯片选型 510
( f6 }) b1 f# @ p- I22.2.2 设计仿真工具选型 512
/ y3 x0 y4 A; ]22.2.3 生产测试厂家选择 5125 F! P0 V4 n# |4 Q- d; X
22.3 基于SiP技术的大容量存储芯片设计 513& Y; e( R& u$ }$ H1 j- _
22.3.1 方案设计 5137 e/ A! V, r. V9 ?) B" l
22.3.2 详细设计 514
6 {7 Y- p% B) |; T' M0 f3 G& @1 e5 C22.4 大容量存储芯片封装和测试 519
7 h; z. C0 H6 L: _1 [8 B+ [22.4.1 芯片封装 519
, A7 w$ o% b/ |; G6 O22.4.2 机台测试 522
9 U8 E5 M" E; c22.4.3 系统测试 523
- C3 F1 G: l( ]: Q- z22.4.4 后续测试及成本比例 523
+ S3 X0 p' E$ @- ^22.5 新旧产品技术参数比较 525( s% N- ]" e4 z4 }
第23章 SiP项目规划及设计案例 526) c0 c8 m% S3 R2 `9 W* s
23.1 SiP项目规划 526
& U4 e& |9 _8 n23.1.1 SiP的特点和适用性 526
- e! d2 r, C. o, x23.1.2 SiP项目需要明确的因素 529; o8 G) G8 t. k; G4 h4 \
23.2 设计规则导入 530: A J. P N0 I0 _
23.2.1 项目要求及方案分析 530
0 l n( g. U* G0 u23.2.2 SiP实现方案 532
& s a# H) [( I23.3 SiP产品设计 534) h% g1 O L1 |, L8 @' Z
23.3.1 符号及单元库设计 5348 g! M6 X- v% f0 p3 z
23.3.2 原理设计 535
?% _8 U @2 @( Q1 B23.3.3 版图设计 535
% n& s( H! W* \: m4 {: U+ I23.3.4 产品封装测试 5388 N/ h9 `4 E8 u( b, |0 s* G
第24章 2.5D TSV技术及设计案例 539
$ Z7 c& ^- q0 O% ~( g1 ^! p24.1 2.5D集成的需求 539
; O' f6 D9 i1 k o: ]24.2 传统封装工艺与2.5D集成的对比 5390 T! g6 j1 e' A" ]8 F
24.2.1 倒装焊(Flip Chip)工艺 539) V- i: A% v( z- Q( M6 ^7 |: N& z2 A# G+ C
24.2.2 引线键合(Wire Bonding)工艺 540' g& P, G0 B* k" E! D
24.2.3 传统工艺与2.5D集成的优劣势分析 5414 f, u' N* z& @
24.3 2.5D TSV转接板设计 5423 v8 X& c# a: r b. j) x% W
24.3.1 2.5D TSV转接板封装结构 5424 L4 G) Y. M- A7 }
24.3.2 2.5D转接板封装设计实现 543# l5 n5 o3 }* q& f: F/ U9 r# H
24.4 转接板、有机基板工艺流程比较 544. }! C+ c0 P( t& \2 I
24.4.1 硅基转接板 544
" X: E2 ]$ K9 I+ v8 p24.4.2 玻璃基转接板 545
% Z6 d) ~) x# ?* r# [24.4.3 有机材料基板 546
7 f/ l4 U0 p7 q. X24.4.4 两种转接板及有机基板工艺能力比较 546
6 w% x0 L8 _) [ U! @, r24.5 掩模版工艺流程简介 546
: l( Q9 V; s& N24.6 2.5D硅转接板设计、仿真、制造案例 547- Q+ b: d; J) B8 x+ l' _9 w, y
24.6.1 封装结构设计 547) {4 F0 F; t. @) _( w0 q& c
24.6.2 封装布线、信号及结构仿真 5497 J- P! y6 l8 Z, ]
24.6.3 生产数据Tape Out及掩模版准备 552
$ S1 K+ M1 f9 z6 p* h- b" {24.6.4 转接板的加工及整体组装 553( L/ f. d4 v" j1 i9 e
第25章 数字T/R组件SiP设计案例 5547 w, \) K1 ?; t* ]4 h, E
25.1 雷达系统简介 554% w2 _ u) B+ \4 P
25.2 SiP技术的采用 555
6 e% Y6 r" v( o0 z. i# x25.3 数字T/R组件电路设计 556
; v2 B$ {8 L& k# e6 d8 s25.3.1 数字T/R组件的功能简介 5566 m2 Y+ K# y* `; L J
25.3.2 数字T/R组件的结构及原理设计 557
- |. w6 m+ ]. P5 I: W, C0 z25.3.3 数字T/R组件的SiP版图设计 559, D( [% Y _. @* k1 ]
25.4 金属壳体及一体化封装设计 560
% w" A! {1 z. w' q- C8 D3 w第26章 MEMS验证SiP设计案例 563
4 s( E2 n1 g+ q& t ~26.1 项目介绍 563
' ~7 l8 e. |. L# m26.2 SiP方案设计 563
8 M o# e O G- b0 t2 v+ \: `26.3 SiP电路设计 564+ f9 Q4 V% }9 r- z/ b
26.3.1 建库及原理图设计 565
7 j2 c. b$ v% g+ J26.3.2 SiP版图设计 566
2 |- v: q" a& O. G- v3 P26.4 产品组装及测试 571! t0 d/ R5 l8 r; _
第27章 基于刚柔基板的SiP设计案例 572" \! s, }. D! ?/ e1 Z, U
27.1 刚柔基板技术概述 5727 G+ t% Y8 Z; P2 }
27.2 射频前端系统架构和RF SiP方案 5732 f( X7 x$ n- a* b+ U$ V/ e/ O' P
27.2.1 微基站系统射频前端架构 5732 M* f- {% x% x
27.2.2 RF SiP封装选型 574- R2 A/ M7 y; b: Q' v/ Y
27.2.3 RF SiP基板层叠设计 5751 e7 H$ O0 S* A# v4 H5 I( S" L2 K
27.3 基于刚柔基板RF SiP电学设计仿真 576& U6 h5 n) P( I" z' w! I" q# R
27.3.1 信号完整性设计和仿真 576
* a, x7 N: V, h% l& i6 I27.3.2 电源完整性设计与仿真 5790 a& S* C: J9 I- }0 I) E8 Z
27.4 基于刚柔基板RF SiP的热设计仿真 581
5 V5 S& `! v7 P27.4.1 封装结构的热阻网络分析 581
w8 O* f! P2 `* W# [% \27.4.2 RF SiP的热性能仿真研究 5832 o2 ?1 V+ E2 F& y; W! A$ c0 Y/ r
27.5 基于刚柔基板RF SiP的工艺组装实现 587
' e& J# L3 v. U第28章 射频系统集成SiP设计案例 589
1 l i* P. m" C- ^& U28.1 射频系统集成技术 589* a/ o( m2 q. \
28.1.1 射频系统简介 589
8 I- n- V( B- ^7 h( L9 W28.1.2 射频系统集成的小型化趋势 590; D' o& V6 @" x' u
28.1.3 RF SiP和RF SoC 592% P3 ?' {/ e: M7 U k% x
28.2 射频系统集成SiP的设计与仿真 5941 y$ M% V1 e& O+ j
28.2.1 RF SiP封装结构设计 594 Q' U" a6 W/ A8 r5 ^. ]
28.2.2 RF SiP电学互连设计与仿真 595
0 v/ t3 L2 k1 p" ~; K28.2.3 RF SiP的散热管理与仿真 5973 z# d; B+ ?" }4 H% D0 \
28.4 射频系统集成SiP的组装与测试 598
; T d k8 W9 I! B5 N8 w' V$ b28.4.1 RF SiP的组装 598
+ z6 u g/ T/ ]9 | D28.4.2 RF SiP的测试 5991 d. A3 P. ]- I, Y: R* o$ P
第29章 基于PoP的RF SiP设计案例 602& D D9 |! U/ }) t; M5 B
29.1 PoP技术简介 602) t ~$ k$ Q7 D) ~" W/ @
29.2 射频系统架构与指标 603- @/ P0 N9 a) r& R+ R
29.3 RF SiP结构与基板设计 606: L- f1 E7 F4 T+ O9 F
29.3.1 结构设计 606& x, J6 ^1 M' f8 ~/ z3 X# i7 P7 B
29.3.2 基板设计 607" U2 V) p% X0 \; r! T% a: o
29.4 RF SiP信号完整性与电源完整性仿真 6104 ^+ j& J9 T- w& R, Y& U# L+ q
29.4.1 信号完整性(SI)仿真 610' ^3 T& d0 F6 q, X
29.4.2 电源完整性(PI)仿真 610
2 v4 H7 B" k: w2 [) ]- t8 M; Y29.5 RF SiP热设计仿真 612
0 @ T( p5 z; u3 K1 s29.6 RF SiP组装与测试 613
7 N# ?+ e, r7 v6 b第30章 SiP基板生产数据处理案例 616
* Y4 C+ W- T3 X# _30.1 LTCC、厚膜及异质异构集成技术介绍 616
" ]: _7 k5 R- y$ j% L" A: t4 x30.1.1 LTCC技术 616
% k% N* X5 Q" m _30.1.2 厚膜技术 617
/ r2 X! B% D, ~* F3 X6 r30.1.3 异质异构集成技术 617
( v- ?& v0 Z) |30.2 Gerber数据和钻孔数据 618
5 R5 ]% G: \6 f, Z' W2 \, X30.2.1 Gerber数据的生成及检查 6186 ?3 \# j2 \8 M& N. P; k9 Y7 B# }
30.2.2 钻孔数据的生成及比较 621
2 x6 Y4 f, A+ Y5 ?" ]30.3 版图拼版 622
- b$ c' ^7 s! z( _, M30.4 多种掩模生成 624) k- ^* ~ k, l+ q" d& o Q7 `! f
30.4.1 掩模生成器 624
) K% c4 M @5 n. p. J30.4.2 掩模生成实例 626- J& |+ z) A! Y2 y
第3部分参考资料 6303 a& k9 v8 i# `, p
后记和致谢 632
4 X0 v% t) Q9 }6 }1 I |
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