新书《基于SiP技术的微系统》介绍及技术答疑帖！

li_suny

2 C3 M! u' N; L; e# B& B4 n! g2 I近期，我出版了一本新书《基于SiP技术的微系统》。
发这个帖子的目的是为了宣传一下这本书，另外，也通过这个机会和对SiP与先进封装技术感兴趣的工程师进行技术交流。

这本书共分为三大部分：概念和技术，设计和仿真，项目和案例，共30章内容。
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3 `6 e+ n3 y* N* [" @第一部分针对SiP及先进封装技术的发展，以及作者多年经验积累和深入思考，提出了功能密度定律、Si3P和4D集成等原创概念，介绍了SiP和先进封装的最新技术，包含5章内容。
第二部分依据最新EDA软件平台，阐述了SiP及HDAP的设计仿真验证方法，涵盖了Wire Bonding、Cavity、Chip Stack、2.5D TSV、3D TSV、RDL、Fan-In、Fan-Out、Flip Chip、分立式埋置、平面埋置、RF、Rigid-Flex、4D SiP设计，多版图项目及多人协同设计等热点技术，以及SiP和HDAP的各种仿真，电气验证和物理验证，包含16章内容。
! _' a& a; X- c$ W3 V& Z4 r第三部分介绍了不同类型SiP实际项目案例的设计仿真和实现方法，包含9章内容。
' Q7 J9 g& W4 ~本书通过原创概念、热点技术、实际案例的结合，讲述了SiP从构思到实现的整个流程，并使读者从中获益。
$ u) E+ G1 R9 A) L/ a* f本书适合SiP用户、先进封装用户，PCB高级用户，对SiP和先进封装感兴趣的设计者和课题领导者，以及寻求系统小型化、低功耗、高性能、高可靠的科技工作者。
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新书详细介绍文章
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" i; P! t2 @5 O# l  d, b3 ~无论是对本书中的内容，还是对SiP和先进封装设计过程中有疑问，都可以跟帖提问，我也会尽可能及时给予回复！

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今天参加SiP大会（上海站），会议现场600+人，在线观众6000+，真是一场行业盛会！
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  L) _8 E& x: u! Q5 T& |/ j大会主办方专门从电子工业出版社订购了一批新书，作为送给嘉宾的礼品！
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li_suny

《基于SiP技术的微系统》目 录  
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第1部分　概念和技术
/ K+ t# M, s  r第1章 从摩尔定律到功能密度定律 3
  a( p' S/ A- U5 K! a  E3 E) n1．1 摩尔定律 3
1．2 摩尔定律面临的两个问题 4
1．2．1 微观尺度的缩小 4
1．2．2 宏观资源的消耗 6
  Y% [- t7 ^0 b( q1．3 功能密度定律 10
1．3．1 功能密度定律的描述 10
1．3．2 电子系统6级分类法 11
2 f$ y7 G9 }' f( r8 T1．3．3 摩尔定律和功能密度定律的比较 13
1．3．4 功能密度定律的应用 14
0 m+ {4 `' U$ v" I" j1．3．5 功能密度定律的扩展 17
0 R( d% f, q/ g+ F/ V4 m* E3 |9 `1．4 广义功能密度定律 17
1．4．1 系统空间定义 18
' _, q7 ]" |0 U1．4．2 地球空间和人类宇宙空间 18
+ ]7 @) I+ B* V( ~" z. q3 B3 Y1．4．3 广义功能密度定律 20
第2章 从SiP到Si3P 21
, p5 q* i6 U, n2 O% O5 K2．1 概念深入：从SiP到Si3P 21
3 I4 |) K$ M3 e4 N: y" V2 o2．2 Si3P之integration 23
2．2．1 IC层面集成 23
& s; R! `& w# T, s) }' X2．2．2 PCB层面集成 26
  i( s0 m  s# F- a* ?2．2．3 封装层面集成 28
" [' E* t! J$ V1 W( b1 k2．2．4 集成（Integration）小结 30
2 F, {  H/ S. J) u  N% K4 T: _2．3 Si3P之interconnection 31
2．3．1 电磁互联 31
2．3．2 热互联 36
4 C3 t7 G6 K5 x" l* q2．3．3 力互联 37
2．3．4 互联（interconnection）小结 39
, h: H+ w. \! L1 M2．4 Si3P之intelligence 39
- V8 R! w  x: d1 W+ u+ U2 ?2．4．1 系统功能定义 40
2．4．2 产品应用场景 41
2．4．3 测试和调试 41
2．4．4 软件和算法 42
2．4．5 智能（intelligence）小结 44
: k5 \/ F- Y7 M" m: h/ r2．5 Si3P总结 44
( |( P3 ?% D4 g" S) F2．5．1 历史回顾 44
2．5．2 联想比喻 45
$ s7 S, }: y- @: F2．5．3 前景预测 46
: W% _6 N; I% C第3章 SiP技术与微系统 47
8 s4 E0 m# [6 n& j; y0 u7 l# j3．1 SiP技术 47
3．1．1 SiP技术的定义 47
/ U; p3 I# T. u7 \3．1．2 SiP及其相关技术 48
3．1．3 SiP还是SOP 50
4 a. O+ {+ }8 c3．1．4 SiP技术的应用领域 51
( e9 V+ L) s! {3．1．5 SiP工艺和材料的选择 55
* N: }9 M7 s& W: x' U0 U4 X3．2 微系统 57
3．2．1 自然系统和人造系统 57
: N* c  A& U- ^* o7 Z3．2．2 系统的定义和特征 58
3．2．3 微系统的新定义 59
- d3 Y. n- s1 S9 f第4章 从2D到4D集成技术 61
4．1 集成技术的发展 61
4．1．1 集成的尺度 61
4．1．2 一步集成和两步集成 62
4．1．3 封装内集成的分类命名 63
4．2 2D集成技术 64
' H. m. @, F8 f) m$ `# g, Z4．2．1 2D集成的定义 64
8 L& P( E9 M* _$ Z4．2．2 2D集成的应用 64
/ R, b0 i8 V( P4．3 2D+集成技术 65
9 O3 S& @6 ^# u! Y+ ~4．3．1 2D+集成的定义 65
4．3．2 2D+集成的应用 66
4．4 2．5D集成技术 67
! k$ q0 T( k- o4 y5 y' d" b* Y4．4．1 2．5D集成的定义 67
4．4．2 2．5D集成的应用 67
4．5 3D集成技术 68
4．5．1 3D集成的定义 68
4．5．2 3D集成的应用 69
4．6 4D集成技术 70
; E9 b% J  M5 p1 A8 ?4．6．1 4D集成的定义 70
4．6．2 4D集成的应用 71
: G$ t% R( e3 c" R  J4．6．3 4D集成的意义 73
2 I/ {# {. {+ I: }' J" U8 j& {4．7 腔体集成技术 73
4．7．1 腔体集成的定义 73
4．7．2 腔体集成的应用 74
4．8 平面集成技术 76
6 p# y1 B" j0 n& s* l4．8．1 平面集成技术的定义 76
, `- a0 r! k/ x: h# b4．8．2 平面集成技术的应用 76
4．9 集成技术总结 78
第5章 SiP与先进封装技术 80
5．1 SiP基板与封装 80
5．1．1 有机基板 80
5．1．2 陶瓷基板 82
. O; A' W* G" b* `) P" e5．1．3 硅基板 85
# q# y! _) s) {! {5．2 与先进封装相关的技术 85
; b, t+ W- n; i7 _: X, t5．2．1 TSV技术 86
4 Y0 S  I2 B& b  @5．2．2 RDL技术 87
5．2．3 IPD技术 88
. ?( b) l+ e! O% r& x5．2．4 Chiplet技术 89
5．3 先进封装技术 92
5．3．1 基于XY平面延伸的先进封装技术 93
5．3．2 基于Z轴延伸的先进封装技术 96
5．3．3 先进封装技术总结 103
8 I7 m2 q' @4 B9 Q. x5 V: e+ M' V: I5．3．4 先进封装的四要素：RDL、TSV、Bump和Wafer 104
/ C4 H) q5 z* o0 u9 F5．4 先进封装的特点和SiP设计需求 105
5．4．1 先进封装的特点 105
5．4．2 先进封装与SiP的关系 106
5．4．3 先进封装和SiP设计需求 107
第1部分参考资料及说明 108
% u& U7 J' Y) `8 k: L1 C1 b
$ M4 a8 a4 r" Q3 f第2部分 设计和仿真
第6章 SiP设计仿真验证平台 111
8 D* w% `: c5 H( ^) [  h6．1 SiP设计技术的发展 111
  z  J% y8 S1 F- |6．2 SiP设计的两套流程 112
6．3 通用SiP设计流程 112
4 N& A3 f7 s- z* _* A2 P6．3．1 原理图设计输入 112
6．3．2 多版图协同设计 112
6．3．3 SiP版图设计9大功能 113
" P% F( p- s4 A" ~% u9 N" A& C6．4 基于先进封装HDAP的SiP设计流程 118
/ t1 \9 T* W  f0 L6．4．1 设计整合及网络优化工具XSI 119
6．4．2 先进封装版图设计工具XPD 120
6．5 设计师如何选择设计流程 121
6．6 SiP仿真验证流程 122
9 U( ]/ h6 U4 y. a6．6．1 电磁仿真 122
6．6．2 热学仿真 124
1 u) y3 ~' z, C- V8 ?6．6．3 力学仿真 125
' [9 ~$ h1 [7 U6．6．4 设计验证 125
6．7 SiP设计仿真验证平台的先进性 127
第7章 中心库的建立和管理 129
7．1 中心库的结构 129
7．2 Dashboard介绍 130
7．3 原理图符号（Symbol）库的建立 131
7．4 版图单元（Cell）库的建立 136
7．4．1 裸芯片Cell库的建立 136
. d8 O9 C7 k! n7．4．2 SiP封装Cell库的建立 141
7．5 Part库的建立和应用 145
! m6 @" r" x, D) a7 D9 D7．5．1 映射Part库 145
7．5．2 通过Part创建Cell库 147
- l+ b! a2 r" {: }# n' @1 w7．6 中心库的维护和管理 148
- b+ f& g! i. b! P' @& D0 x7．6．1 中心库常用设置项 149
3 ~+ J" d( B( j7．6．2 中心库数据导入导出 149
第8章 SiP原理图设计输入 152
8．1 网表输入 152
  b( X) j, C) {8 j% S) e8．2 原理图设计输入 154
: t. ~4 \* P1 C5 k& M  _$ d+ X8．2．1 原理图工具介绍 154
0 \" A' Y- z3 B" y8．2．2 创建原理图项目 162
8．2．3 原理图基本操作 163
9 h& n) J$ z0 f+ H1 u; Z8．2．4 原理图设计检查 167
8．2．5 设计打包Package 169
/ i" G/ W4 b, b9 K0 N* x8．2．6 输出元器件列表Partlist 172
! R$ W. j7 [" Z7 M( c& t8．2．7 原理图中文菜单和中文输入 173
* G2 O! e6 C! A# U3 Y  o8．3 基于DataBook的原理图输入 175
8．3．1 DataBook介绍 175
5 s7 Y0 U% J1 S& o6 _8．3．2 DataBook使用方法 176
8．3．3 元器件属性的校验和更新 178
8．4 文件输入/输出 179
8．4．1 通用输入/输出 179
1 y# g( V4 u6 q8．4．2 输出到仿真工具 181
. r3 s7 w1 L% w" n. b第9章 版图的创建与设置 183
9．1 创建版图模板 183
' H9 |: `- J- r# w9．1．1 版图模板定义 183
2 o' D2 h9 `  U' D5 i, U/ c9．1．2 创建SiP版图模板 184
) C' j5 l* ^$ M6 Q$ r9．2 创建版图项目 194
9．2．1 创建新的SiP项目 194
% S$ y* A% r' ?6 H, D' S9．2．2 进入版图设计环境 195
  i  E3 Y. j# _, C/ ]9．3 版图相关设置与操作 196
9．3．1 版图License控制介绍 196
9．3．2 鼠标操作方法 197
; V( S$ `7 v& R* Z% o1 V0 t. N5 {" e9．3．3 四种常用操作模式 199
9．3．4 显示控制（Display Control） 202
& b3 L  |4 S- @5 y2 m+ x9．3．5 编辑控制（Editor Control） 207
9．3．6 智能光标提示 213
! E- z$ q1 ]; d* S! u9 G. l9．4 版图布局 213
9．4．1 元器件布局 213
' M1 Z4 h5 K. k6 [5 s1 Z: Y9．4．2 查看原理图 217
% a; K1 l; B( n# C/ a9．5 封装引脚定义优化 218
& `: s, t4 G1 p9 l) J# d6 `9．6 版图中文输入 218
/ v% o( z9 ^3 T. j8 b第10章 约束规则管理 221
9 O9 D& D7 R1 h2 i& O8 c- w10．1 约束管理器（Constraint Manager） 221
. b" Q9 x2 V) Q$ G2 C5 [( e10．2 方案（Scheme） 222
10．2．1 创建方案 223
6 M5 H! m1 V7 c& Z( \  ~10．2．2 在版图设计中应用Scheme 223
3 D$ D8 Q4 n2 F% L7 g10．3 网络类规则（Net Class） 224
10．3．1 创建网络类并指定网络到网络类 224
) ?2 y/ X' T/ {, p7 B5 H10．3．2 定义网络类规则 225
, P3 P* r: d# S. V( |1 A10．4 间距规则（Clearance） 226
" E' x: |9 ~6 ~' B& H6 R10．4．1 间距规则的创建与设置 226
10．4．2 通用间距规则 227
10．4．3 网络类到网络类间距规则 228
10．5 约束类（Constraint Class） 229
10．5．1 新建约束类并指定网络到约束类 229
10．5．2 电气约束分类 230
. w: P* b# M5 \7 k- Z4 K10．5．3 编辑约束组 231
& ~2 v8 Z' y. f2 j& E10．6 Constraint Manager和版图数据交互 232
10．6．1 更新版图数据 232
10．6．2 与版图数据交互 233
' d/ R/ ^, ]9 e3 R4 Z$ ]10．7 规则设置实例 233
5 i5 M( b; Z3 M" f( v. ]% _10．7．1 等长约束设置 233
( G7 q" F3 F6 Z5 v* a! O$ c& y10．7．2 差分约束设置 236
7 v! s$ p3 v3 c10．7．3 Z轴间距设置 237
第11章 Wire Bonding设计详解 239
11．1 Wire Bonding概述 239
11．2 Bond Wire 模型 240
3 x5 E. m8 f* d6 e2 ~$ t! h& ?11．2．1 Bond Wire模型定义 241
11．2．2 Bond Wire模型参数 245
* R# Y0 n% |) s$ q7 E/ n* x1 \11．3 Wire Bonding工具栏及其应用 246
11．3．1 手动添加Bond Wire 246
3 l: a0 z! K2 [11．3．2 移动、推挤及旋转Bond Finger 247
11．3．3 自动生成Bond Wire 248
0 e, Z" A) R1 M% O11．3．4 通过导引线添加Bond Wire 249
11．3．5 添加Power Ring 251
: i: a6 g% f- u! M3 n11．4 Bond Wire规则设置 252
11．4．1 针对Component的设置 253
11．4．2 针对Die Pin的设置 256
- k4 B3 J1 P1 @( ?, d7 R( K0 M11．4．3 在Die Pin和Bond Finger之间添加多根Bond Wire 258
11．4．4 从单个Die Pin扇出多根Bond Wire到多个Bond Finger 258
3 `7 Y( b) h3 y+ t. t2 y11．4．5 多个Die Pin同时键合到一个Bond Finger上 259
11．4．6 Die to Die Bonding 259
' j  r) M) Z8 V& o11．5 Wire Model Editor和Wire Instance Editor 261
第12章 腔体、芯片堆叠及TSV设计 265
12．1 腔体设计 265
12．1．1 腔体的定义 265
$ X  ]- o& w( L0 |  k- ]8 q12．1．2 腔体的创建 267
12．1．3 将芯片放置到腔体中 269
12．1．4 在腔体中键合 270
12．1．5 通过腔体将分立式元器件埋入基板 271
12．1．6 在Die Cell中添加腔体实现元器件埋入 273
% \/ w  j% u: m! T12．2 芯片堆叠设计 275
# K; J& s" {- ^+ N12．2．1 芯片堆叠的概念 275
12．2．2 芯片堆叠的创建 276
12．2．3 并排堆叠芯片 277
12．2．4 芯片堆叠的调整及键合 278
12．2．5 芯片和腔体组合设计 279
. T8 U/ w* g  E) V3 r12．3 2．5D TSV的概念和设计 281
12．4 3D TSV的概念和设计 281
12．4．1 3D TSV的概念 281
: O- k4 |% j2 w& m1 y) a- ?12．4．2 3D TSV Cell创建 283
* J( @, M  C: D& a* l- i( ]1 i3 _$ n12．4．3 芯片堆叠间引脚对齐原则 284
2 O  e5 o) S9 ]& c) ?% u4 V12．4．4 3D TSV堆叠并互联 284
/ k' P( Y- V2 R7 Y( J. w12．4．5 3D 引脚模型的设置 286
: y( Z5 B* u) M/ k12．4．6 网络优化并布线 287
12．4．7 DRC检查并完成3D TSV设计 289
! _5 a" A. H/ N# v) K% V, t( I5 U第13章 RDL及Flip Chip设计 291
13．1 RDL的概念和应用 291
, m( S( ?7 n! K2 T/ _$ V; ^13．1．1 Fan-In型RDL 292
13．1．2 Fan-Out型RDL 293
1 F: R  R/ E% E8 @( g- }+ Y# @13．2 Flip Chip的概念及特点 294
13．3 RDL设计 295
13．3．1 Bare Die及RDL库的建立 295
13．3．2 RDL原理图设计 297
* i2 C' G! m( d; e" ~+ m13．3．3 RDL版图设计 297
* C2 Z1 j5 x6 d9 L) O0 X7 e13．4 Flip Chip设计 301
/ t$ ]' E6 I: [13．4．1 Flip Chip原理图设计 301
- d, l5 w9 j3 L, Q% l% H" ~: F# w" h13．4．2 Flip Chip版图设计 302
3 s" P( w9 e& \7 W) `8 T第14章 版图布线与敷铜 307
: T% a: |: w' ?8 L6 t! ~14．1 版图布线 307
14．1．1 布线综述 307
14．1．2 手工布线 307
14．1．3 半自动布线 312
14．1．4 自动布线 315
. w$ b! I2 V* A& a$ L" X14．1．5 差分对布线 316
% N: |- O( V& J14．1．6 长度控制布线 319
14．1．7 电路复制 323
* V7 G+ o3 l  ]1 ^% e$ t14．2 版图敷铜 325
% C8 C0 }. j8 y+ O14．2．1 敷铜定义 325
14．2．2 敷铜设置 325
14．2．3 绘制并生成敷铜数据 328
1 z1 ^) @( z0 N) m14．2．4 生成敷铜排气孔 331
* |% z$ R- M9 E) y7 }2 [  l14．2．5 检查敷铜数据 333
第15章 埋入式无源器件设计 334
15．1 埋入式元器件技术的发展 334
: E2 O( ^, G$ y% D  B' Q+ O% y1 ~0 ^15．1．1 分立式埋入技术 334
15．1．2 平面埋入式技术 336
3 d$ d& H6 I4 F" a& L: Y  ~* c15．2 埋入式无源器件的工艺和材料 336
15．2．1 埋入工艺Processes 337
7 Y: u1 e8 r  U4 u) I/ p15．2．2 埋入材料Materials 342
; Z1 j% B  Z5 s15．2．3 电阻材料的非线性特征 346
, r) ?) ]: b5 `/ N7 T15．3 无源器件自动综合 347
15．3．1 自动综合前的准备 347
15．3．2 电阻自动综合 349
15．3．3 电容自动综合 353
& H& F; @1 D: }" N. M9 g" T15．3．4 自动综合后版图原理图同步 357
第16章 RF电路设计 359
16．1 RF SiP技术 359
16．2 RF设计流程 360
16．3 RF元器件库的配置 360
& P* g, n8 I& o* B: j16．3．1 导入RF符号到设计中心库 360
0 Q5 {3 q# Q, r/ |* G16．3．2 中心库分区搜索路径设置 361
7 ~# c! }: X6 p9 z5 k! o16．4 RF原理图设计 362
- O) t% `3 a3 @7 b  x. r2 u* b16．4．1 RF原理图工具栏 362
16．4．2 RF原理图输入 364
3 r( m& f$ V: K4 p0 Q+ {! D+ O16．5 原理图与版图RF参数的相互传递 365
16．6 RF版图设计 368
  _' \! K2 b; `; [/ V16．6．1 RF版图工具箱 368
16．6．2 RF单元的3种类型 369
2 T% F  T4 B' p16．6．3 Meander的绘制及编辑 370
16．6．4 创建用户自定义的RF单元 372
16．6．5 Via添加功能 374
16．6．6 RF Group介绍 376
. x* p2 g' {8 a16．6．7 Auto Arrange功能 377
16．6．8 通过键合线连接RF单元 377
/ ^3 q1 T$ E' k0 J5 l- u  ?16．7 与RF仿真工具连接并传递数据 378
+ h0 R' p  M1 \16．7．1 连接RF仿真工具 378
  c( }# ~- ?& l5 H5 z: n8 `16．7．2 原理图RF数据传递 380
16．7．3 版图RF数据传递 381
/ I! W# \( h+ j/ z. c. W+ n第17章 刚柔电路和4D SiP设计 383
* C4 q. P" K% [2 u0 l17．1 刚柔电路介绍 383
17．2 刚柔电路设计 384
- X# |% I0 B# l& e& l5 @, T$ p' M! g17．2．1 刚柔电路设计流程 384
17．2．2 刚柔电路特有的层类型 384
17．2．3 刚柔电路设计步骤 385
17．3 复杂基板技术 394
6 m' M9 J3 p& M3 E& a7 C9 {17．3．1 复杂基板的定义 394
17．3．2 复杂基板的应用 394
4 S) s! L- {/ @' t4 X17．4 基于4D集成的SiP设计 395
9 b. T$ W; w5 A5 z17．4．1 4D集成SiP基板定义 395
17．4．2 4D集成SiP设计流程 396
17．5 4D SiP设计的意义 400
/ K& c  U( R/ ?5 k1 S8 ~) H第18章 多版图项目与多人协同设计 401
18．1 多版图项目 401
  Z) B% @6 E) \3 A) a+ S6 I18．1．1 多版图项目设计需求 401
18．1．2 多版图项目设计流程 402
18．2 原理图多人协同设计 405
6 [0 p/ i" G/ O, U/ @/ L18．2．1 原理图协同设计的思路 405
18．2．2 原理图协同设计的操作方法 406
18．3 版图多人实时协同设计 409
18．3．1 版图实时协同软件的配置 411
18．3．2 启动并应用版图实时协同设计 412
第19章 基于先进封装（HDAP）的SiP设计流程 415
19．1 先进封装设计流程介绍 415
19．1．1 HDAP设计环境需要的技术指标 415
# G2 I* A9 r* D6 Q3 p/ K7 t19．1．2 HDAP设计流程 416
19．1．3 设计任务HBM（3D+2．5D） 417
19．2 XSI设计环境 418
19．2．1 设计数据准备 418
  p% H: H0 ^+ Y, J' q( f' T19．2．2 XSI常用工作窗口介绍 419
19．2．3 创建项目和设计并添加元器件 420
, Q* o1 Z9 o4 y& w* Z19．2．4 通过XSI优化网络连接 428
19．2．5 版图模板选择 429
+ r4 r( t9 d$ N6 A  y19．2．6 设计传递 431
; j8 w( Y5 J, x  I8 r' z& i19．3 XPD设计环境 432
19．3．1 Interposer数据同步检查 432
" e* C+ u. _! [# b19．3．2 Interposer布局布线 433
19．3．3 Substrate数据同步检查 434
19．3．4 Substrate布局布线 435
19．4 3D数字化样机模拟 436
19．4．1 数字化样机的概念 436
# l. X( d2 n+ \% G19．4．2 3D View环境介绍 437
) W: ~# @9 R) n; t! f3 T! z6 @19．4．3 构建HDAP数字化样机模型 438
第20章 设计检查和生产数据输出 444
, ~3 I# T& o0 q  v& E4 f8 Y20．1 Online DRC 444
0 A; t+ s, i; C- h20．2 Batch DRC 445
( w) Y8 H. j7 J  ~% A; |20．2．1 DRC Settings选项卡 445
20．2．2 Connectivity and Special Rules选项卡 447
. d7 t" ^, X5 J# G, D20．2．3 Batch DRC方案 448
$ W. \% e# X5 Y) U; L7 Y  s20．3 Hazard Explorer介绍 449
7 U  p. g/ ~' }5 K, J+ [20．4 设计库检查 453
, E& `; H; K6 H$ _2 \1 ~20．5 生产数据输出类型 453
20．6 Gerber和钻孔数据输出 454
20．6．1 输出钻孔数据 454
' `1 M$ G. ~4 Q. ?20．6．2 设置Gerber文件格式 457
8 |1 I: F3 K( B% O) s- ^20．6．3 输出Gerber文件 458
; v' g( p% A: U' @+ m& ]- c1 M4 I20．6．4 导入并检查Gerber文件 460
+ U# J+ E, e' B0 ~* O20．7 GDS文件和Color Map输出 461
20．7．1 GDS文件输出 461
$ T9 D* C( h0 n$ R( t2 Q/ b, ~" `& e$ F20．7．2 Color Map输出 462
) R. j. s8 z2 a- Y20．8 其他生产数据输出 463
$ g) u2 `8 A% s; K9 }7 i8 i20．8．1 元器件及Bond Wire坐标文件输出 463
20．8．2 DXF文件输出 465
& Z* n2 M1 _3 G+ ~+ Z2 p, M20．8．3 版图设计状态输出 465
20．8．4 BOM输出 466
4 A' r' q) y. a. w0 D  ?5 s第21章 SiP仿真验证技术 468
21．1 SiP仿真验证技术概述 468
21．2 信号完整性（SI）仿真 469
$ M) f6 i" }2 i21．2．1 HyperLynx SI 信号完整性仿真工具介绍 469
7 S( T- E5 X3 k1 B. H3 S# V21．2．2 HyperLynx SI 信号完整性仿真实例分析 471
! L1 Z$ q2 U% Z1 R21．3 电源完整性（PI）仿真 476
# k: F! u6 ~8 L: [" q, r21．3．1 HyperLynx PI 电源完整性仿真工具介绍 477
4 y! s! {8 }, m21．3．2 HyperLynx PI 电源完整性仿真实例分析 478
21．4 热分析（Thermal）仿真 483
21．4．1 HyperLynx Thermal热分析软件介绍 484
21．4．2 HyperLynx Thermal热仿真实例分析 484
21．4．3 FloTHERM软件介绍 488
21．4．4 T3Ster热测试设备介绍 489
21．5 先进3D解算器 491
' j7 l( X% ~& B3 N. g3 K2 V  n21．5．1 全波解算器（Full-Wave Solver）介绍 491
% ?* I9 Y/ i2 u- V6 K; i7 A9 _: N21．5．2 快速3D解算器（Fast 3D Solver）介绍 491
21．6 数/模混合电路仿真 492
21．7 电气规则验证 493
( f/ R6 B$ f& z21．7．1 HyperLynx DRC工具介绍 493
21．7．2 电气规则验证实例 494
21．8 HDAP物理验证 499
21．8．1 Calibre 3DSTACK工具介绍 499
* \. f6 t! ]  E7 h. [7 M! E21．8．2 HDAP物理验证实例 500
第2部分参考资料及说明 506
, k) X% l/ N, n+ {  Y
% c4 C: `. {. }  o! b/ n9 p第3部分 项目和案例
第22章 基于SiP技术的大容量存储芯片设计案例 509
22．1 大容量存储器在航天产品中的应用现状 509
) A1 Q) b$ S1 G6 S3 @22．2 SiP技术应用的可行性分析 510
22．2．1 裸芯片选型 510
9 g" [3 Y0 G1 a22．2．2 设计仿真工具选型 512
+ e, q' g- n& \' K22．2．3 生产测试厂家选择 512
22．3 基于SiP技术的大容量存储芯片设计 513
22．3．1 方案设计 513
22．3．2 详细设计 514
22．4 大容量存储芯片封装和测试 519
9 a5 `3 m- @- q7 |; O# X" {22．4．1 芯片封装 519
# s* J( Q; ]% }& b4 R9 v2 c22．4．2 机台测试 522
  Q6 g" R7 n, B! Z9 M4 V22．4．3 系统测试 523
: R- q9 G0 G1 u& a7 {' ?% G22．4．4 后续测试及成本比例 523
22．5 新旧产品技术参数比较 525
第23章 SiP项目规划及设计案例 526
23．1 SiP项目规划 526
: [& M9 y" Q6 ]. E* W# w+ v4 N, f' S23．1．1 SiP的特点和适用性 526
23．1．2 SiP项目需要明确的因素 529
( J5 X6 d: ]( N, V8 B; ~: z23．2 设计规则导入 530
0 I8 N2 u: Y" @% _1 E9 t! o23．2．1 项目要求及方案分析 530
4 g) p+ D. y6 m+ Y23．2．2 SiP实现方案 532
8 {6 j! I' [+ ?/ a: I23．3 SiP产品设计 534
5 V7 J( v; x/ o' K9 ?8 z23．3．1 符号及单元库设计 534
23．3．2 原理设计 535
; U/ M- s* e7 Y( N  D/ p23．3．3 版图设计 535
23．3．4 产品封装测试 538
第24章 2．5D TSV技术及设计案例 539
  J0 l& |, A3 l. |' S4 s/ s# g24．1 2．5D集成的需求 539
1 P" q% d0 _( B6 U% k* v7 d24．2 传统封装工艺与2．5D集成的对比 539
* b# G; I& }. r4 i+ q24．2．1 倒装焊（Flip Chip）工艺 539
24．2．2 引线键合（Wire Bonding）工艺 540
24．2．3 传统工艺与2．5D集成的优劣势分析 541
: F4 X2 n& U; u/ M! C24．3 2．5D TSV转接板设计 542
24．3．1 2．5D TSV转接板封装结构 542
24．3．2 2．5D转接板封装设计实现 543
; f5 X( j4 z! N0 E4 [24．4 转接板、有机基板工艺流程比较 544
1 V9 p% G2 i+ T0 ]24．4．1 硅基转接板 544
24．4．2 玻璃基转接板 545
24．4．3 有机材料基板 546
$ m) y: o6 ]( D% ~6 A' e$ Q24．4．4 两种转接板及有机基板工艺能力比较 546
# V% K, e1 u2 v4 E24．5 掩模版工艺流程简介 546
$ ]1 T7 p& D" _" Q9 o) n: @: _24．6 2．5D硅转接板设计、仿真、制造案例 547
: q# J: L% D& b6 Q! ]24．6．1 封装结构设计 547
# r1 z. d6 _1 F9 s. H24．6．2 封装布线、信号及结构仿真 549
24．6．3 生产数据Tape Out及掩模版准备 552
24．6．4 转接板的加工及整体组装 553
第25章 数字T/R组件SiP设计案例 554
25．1 雷达系统简介 554
25．2 SiP技术的采用 555
25．3 数字T/R组件电路设计 556
25．3．1 数字T/R组件的功能简介 556
3 G' F3 E) `' M25．3．2 数字T/R组件的结构及原理设计 557
& _7 W- c6 E6 ]: ]# z& Y25．3．3 数字T/R组件的SiP版图设计 559
+ \# }8 M- s* ~0 ~* a' [# Y# k# e25．4 金属壳体及一体化封装设计 560
" |2 P6 F2 Y" F4 z/ q第26章 MEMS验证SiP设计案例 563
26．1 项目介绍 563
26．2 SiP方案设计 563
26．3 SiP电路设计 564
3 B, I- p7 O' e0 |/ o0 \26．3．1 建库及原理图设计 565
26．3．2 SiP版图设计 566
- D8 ~' A( g5 V' ^4 l% M7 W+ g26．4 产品组装及测试 571
' k9 H! k7 n* l% B1 W3 q# `第27章 基于刚柔基板的SiP设计案例 572
- f0 l9 m& Z: m27．1 刚柔基板技术概述 572
27．2 射频前端系统架构和RF SiP方案 573
! W3 d( B: o; L) y( u( \8 ]27．2．1 微基站系统射频前端架构 573
27．2．2 RF SiP封装选型 574
27．2．3 RF SiP基板层叠设计 575
" n" U) |: C* e2 p. l27．3 基于刚柔基板RF SiP电学设计仿真 576
27．3．1 信号完整性设计和仿真 576
27．3．2 电源完整性设计与仿真 579
27．4 基于刚柔基板RF SiP的热设计仿真 581
# A" U% K0 n1 N3 W, {% [  O27．4．1 封装结构的热阻网络分析 581
' b5 k7 w$ Y" r$ f) L. }! ~27．4．2 RF SiP的热性能仿真研究 583
2 Q$ D4 U- A6 |' S* k7 C( g0 l& C27．5 基于刚柔基板RF SiP的工艺组装实现 587
0 d8 [! O+ @( R0 A1 W% E第28章 射频系统集成SiP设计案例 589
, v, d/ q3 U! c0 S0 `3 U: [, |28．1 射频系统集成技术 589
28．1．1 射频系统简介 589
28．1．2 射频系统集成的小型化趋势 590
28．1．3 RF SiP和RF SoC 592
8 }4 O  s; m) p6 ?28．2 射频系统集成SiP的设计与仿真 594
8 z  S5 R" L! B: q; J: N1 o28．2．1 RF SiP封装结构设计 594
1 h( \( m7 a$ D: G* i$ j0 D28．2．2 RF SiP电学互连设计与仿真 595
28．2．3 RF SiP的散热管理与仿真 597
28．4 射频系统集成SiP的组装与测试 598
9 x/ U1 P' l8 i* e  V28．4．1 RF SiP的组装 598
28．4．2 RF SiP的测试 599
8 H) ]" j0 s" q4 o. {7 Q/ B" e8 j第29章 基于PoP的RF SiP设计案例 602
29．1 PoP技术简介 602
& g9 e0 k9 t0 I29．2 射频系统架构与指标 603
29．3 RF SiP结构与基板设计 606
29．3．1 结构设计 606
$ F3 j5 S; [6 N. b/ _  u29．3．2 基板设计 607
8 N2 p, G& g% }$ `29．4 RF SiP信号完整性与电源完整性仿真 610
29．4．1 信号完整性（SI）仿真 610
29．4．2 电源完整性（PI）仿真 610
29．5 RF SiP热设计仿真 612
29．6 RF SiP组装与测试 613
2 M$ e8 G; B; ^7 x% l第30章 SiP基板生产数据处理案例 616
) ]. L, C- V% a/ F30．1 LTCC、厚膜及异质异构集成技术介绍 616
30．1．1 LTCC技术 616
6 B" ]5 w6 ?* }8 n, _8 o30．1．2 厚膜技术 617
% F% I0 s0 o; y; c30．1．3 异质异构集成技术 617
, k% P# C1 d+ o0 l( F  y! j30．2 Gerber数据和钻孔数据 618
30．2．1 Gerber数据的生成及检查 618
30．2．2 钻孔数据的生成及比较 621
/ {' H6 y  |5 t9 a- m+ N9 v0 l' m30．3 版图拼版 622
30．4 多种掩模生成 624
30．4．1 掩模生成器 624
  h0 W" T, m' f/ J30．4．2 掩模生成实例 626
; [! r9 I: q1 j8 Q( V& b' T+ d第3部分参考资料 630
9 a0 ^0 n$ {- o- X后记和致谢 632
1 t5 D+ G/ O9 S( s

APP_338522

李总应该把书上的例子放上来让大家练习

li_suny

APP_338522 发表于 2021-7-2 14:22
! L: i0 ^; o! _% Y3 E8 D2 u李总应该把书上的例子放上来让大家练习

谢谢建议，我找一个合适的例子！

ytmgadw

书看了，非常不错

wenspig

你好 这本书使用的设计软件是metor还是cadence？

li_suny

ytmgadw 发表于 2021-7-7 21:49
6 W6 j' H7 b9 P) ]书看了，非常不错

谢谢评价！
* M1 X8 U6 {* J% E" j

li_suny

wenspig 发表于 2021-7-28 10:00
你好 这本书使用的设计软件是metor还是cadence？

9 C4 a* b! X( ~( F, u3 s9 \  O第一部分概念和技术，第三部分项目和案例均和软件无关；第二部分设计和仿真，用的是Mentor，现在称为Siemens EDA。
1 d8 Z+ `0 r) {. w; L2 G