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新书《基于SiP技术的微系统》介绍及技术答疑帖!

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发表于 2021-5-20 17:05 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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本帖最后由 li_suny 于 2021-6-21 22:34 编辑
* Z# f9 |2 L+ w/ c
3 D" w: I( a; L5 A8 `近期,我出版了一本新书《基于SiP技术的微系统》。
# [8 }2 m% R, J+ l3 [发这个帖子的目的是为了宣传一下这本书,另外,也通过这个机会和对SiP与先进封装技术感兴趣的工程师进行技术交流。
* [/ f0 k7 n0 L0 A" D- i( E8 z( M( V2 A
这本书共分为三大部分:概念和技术,设计和仿真,项目和案例,共30章内容。
, m: @# o0 _; R. Y. p9 [0 ?2 o3 K0 x
第一部分针对SiP及先进封装技术的发展,以及作者多年经验积累和深入思考,提出了功能密度定律、Si3P和4D集成等原创概念,介绍了SiP和先进封装的最新技术,包含5章内容。  W6 Z* c( R9 j8 _: w7 H- V1 X) z3 ]
第二部分依据最新EDA软件平台,阐述了SiP及HDAP的设计仿真验证方法,涵盖了Wire Bonding、Cavity、Chip Stack、2.5D TSV、3D TSV、RDL、Fan-In、Fan-Out、Flip Chip、分立式埋置、平面埋置、RF、Rigid-Flex、4D SiP设计,多版图项目及多人协同设计等热点技术,以及SiP和HDAP的各种仿真,电气验证和物理验证,包含16章内容。; o/ E/ n9 ^4 k6 n, f
第三部分介绍了不同类型SiP实际项目案例的设计仿真和实现方法,包含9章内容。5 R$ t7 R3 x  `$ h2 |0 p) E& F
本书通过原创概念、热点技术、实际案例的结合,讲述了SiP从构思到实现的整个流程,并使读者从中获益。
: Q3 Y; A7 p- f# `" q: o' Z本书适合SiP用户、先进封装用户,PCB高级用户,对SiP和先进封装感兴趣的设计者和课题领导者,以及寻求系统小型化、低功耗、高性能、高可靠的科技工作者。
' ?# ^/ c8 ^+ A; ?
( W6 k+ y( S" ?5 U新书详细介绍文章
: J3 U' a7 i/ g6 y0 k
8 A! A- W4 q6 T) H. k  y. Z* k " U3 E4 S! E6 o( x
& i6 G; |) ^$ ?$ F7 K
无论是对本书中的内容,还是对SiP和先进封装设计过程中有疑问,都可以跟帖提问,我也会尽可能及时给予回复!! d. v; L" M1 A+ k, Y' d
. o5 w6 G/ B' |
6 x. a) C$ ]9 l

: O0 a: {& U6 d  ?) z4 X" O

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 楼主| 发表于 2021-5-21 20:26 | 只看该作者
本帖最后由 li_suny 于 2021-6-21 22:25 编辑
6 H& P9 B, e& L* U- W# s
0 H$ _- C% a2 R+ Y今天参加SiP大会(上海站),会议现场600+人,在线观众6000+,真是一场行业盛会!' Q" x; @6 i; f4 t. l1 _, r$ K
: E) D  a9 i  M! w
6 g& U7 i  G) B& T  ]- z3 s
) c1 }, J: ]) g/ ^* E9 q! K

  P% Q% y& _- M9 x+ g+ D$ X% W9 o4 Y( l0 U+ E  q

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 楼主| 发表于 2021-5-21 20:34 | 只看该作者
本帖最后由 li_suny 于 2021-6-21 17:39 编辑 ; p; ^0 |. [8 H6 Y+ k) a3 ?
/ `6 N# J& a0 l+ T* Y
大会主办方专门从电子工业出版社订购了一批新书,作为送给嘉宾的礼品!
! K% @, V; b; Q+ ?, o' E  ~5 R8 g6 D) I$ t* f& `
0 [( g; [5 c$ ~7 Z  c
  o+ B- z0 }0 o" x0 C

% v" d, F9 l' v; {; m! F
& t) M& E* {; l% D. R# E" @
# q) e& e& q! N' ?8 _

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4#
 楼主| 发表于 2021-6-21 22:34 | 只看该作者
《基于SiP技术的微系统》目 录  9 ]5 _/ Z1 Y' a7 I% r) S) E
- z- u8 @& d6 ]# S- F, Y+ Q; C
第1部分 概念和技术2 Q# ]  Z( V2 _; N' y0 [- G
第1章 从摩尔定律到功能密度定律 3: P7 Y, V: K' h; U' n* K; u: ?
1.1 摩尔定律 3+ [8 c, u: J3 l9 \' t) g$ `: G
1.2 摩尔定律面临的两个问题 4
; M% P, T0 q2 Z7 w1.2.1 微观尺度的缩小 4
  i' v/ x; A/ M4 O' C' w1.2.2 宏观资源的消耗 6
, }) p, I0 P' c3 O. V9 H1.3 功能密度定律 10; d5 Z, Y9 ]$ `3 a( k7 d4 P, \
1.3.1 功能密度定律的描述 10- H+ J+ y8 ]' e' F% E
1.3.2 电子系统6级分类法 11
+ O: I2 C4 X- K* Q% G* M3 m1.3.3 摩尔定律和功能密度定律的比较 136 E1 J/ \6 Y) ]4 v! t: G
1.3.4 功能密度定律的应用 14
6 d; {% h4 O; k. L! q5 z2 l3 A1.3.5 功能密度定律的扩展 17: m4 Y9 G" b7 C' D) [: p. v
1.4 广义功能密度定律 17
5 Q. L9 d. [- L# i( U, G1.4.1 系统空间定义 18
5 ?$ ~; d/ N' k6 y6 M, B1.4.2 地球空间和人类宇宙空间 180 e* s$ a4 U+ u- e" c) }9 w( y; `
1.4.3 广义功能密度定律 20; [' E, [4 Q& X4 Y0 u
第2章 从SiP到Si3P 216 V+ I0 Q5 f" g! m3 k
2.1 概念深入:从SiP到Si3P 21
2 ^& x" w3 s6 D. l2.2 Si3P之integration 23
2 N, l+ o: \# X- I% C, T) B2.2.1 IC层面集成 23% V! W/ D4 T7 ~6 n3 h: @) x( e
2.2.2 PCB层面集成 267 v8 m5 e6 v" T. q4 o
2.2.3 封装层面集成 28
2 Q3 \, J. A: N. Y- }2.2.4 集成(Integration)小结 30# q5 Q) P3 K1 G: A, N9 c
2.3 Si3P之interconnection 31. n. ]% J* f5 k0 A
2.3.1 电磁互联 31$ F; z* B& P4 u% X
2.3.2 热互联 36
1 F) I# f+ B- t* E2.3.3 力互联 37) w- y/ a4 |) `- ?* j1 o# d
2.3.4 互联(interconnection)小结 393 N7 f1 [) r8 j5 f
2.4 Si3P之intelligence 39
- p. H1 P4 y1 Y2 C# w2.4.1 系统功能定义 40
* q& @' ~+ a! y/ I. J% I4 l2.4.2 产品应用场景 41
% D8 Z: W* V, p' v2.4.3 测试和调试 41
6 P& X# I( g5 P' T* B2.4.4 软件和算法 42
; o' J9 I0 X2 T" Q8 y3 g5 y. \5 k2.4.5 智能(intelligence)小结 442 f/ G4 ?# {4 J5 {! {8 y) l
2.5 Si3P总结 44: {% V, _( u2 P' m
2.5.1 历史回顾 447 q3 Y6 v: o  g, e/ Q1 y; t
2.5.2 联想比喻 45
- O0 l# ~1 v) z) [7 @2.5.3 前景预测 46
9 {  N5 S5 w& S) `1 _第3章 SiP技术与微系统 47. `2 F* S& r0 ?/ z" S
3.1 SiP技术 47. p& y7 w: u9 u/ |5 P0 V
3.1.1 SiP技术的定义 474 }7 d/ t* ?0 O: Q8 q, A
3.1.2 SiP及其相关技术 48
, G& z4 f- ]6 _* I$ K, u  J5 a! G# B3.1.3 SiP还是SOP 50- s: j4 h( Q( [" p
3.1.4 SiP技术的应用领域 51- r! i' ~8 r: e% c  C$ p
3.1.5 SiP工艺和材料的选择 55
6 Z, E, Q3 }- F$ E1 {3.2 微系统 57
$ \. |* Y8 {; I3.2.1 自然系统和人造系统 57% ]3 T) A" m  E3 ?' b7 A
3.2.2 系统的定义和特征 58/ D; \1 h- ?8 K. S5 z9 k
3.2.3 微系统的新定义 596 n& {- n2 p; E' G; K% ^% h
第4章 从2D到4D集成技术 61( y- m8 s$ A, O' h  y  H( b
4.1 集成技术的发展 615 p6 N  F. R! y! a9 O4 L( }
4.1.1 集成的尺度 61, }5 ^0 D' E  y9 P1 x+ K% f
4.1.2 一步集成和两步集成 62& h7 R! d+ v  j8 J1 W- t+ K. E
4.1.3 封装内集成的分类命名 63
2 G! J: K* s# i4.2 2D集成技术 64
; J: q6 P% x& l* X: \, e' `) r4.2.1 2D集成的定义 64
5 g% k3 u, u4 M  ~7 E4.2.2 2D集成的应用 64
8 {8 }* H: ^; t5 V# N7 l4.3 2D+集成技术 65
6 O1 \. g. |0 y4.3.1 2D+集成的定义 65
3 ^1 I8 W0 M; w  E) G7 [  n4.3.2 2D+集成的应用 661 l: R. t7 \- M; t
4.4 2.5D集成技术 67
+ ?& ^7 w# P+ ~' @+ k* ~0 c4.4.1 2.5D集成的定义 67% ^" q4 S# O9 u4 W/ o0 m
4.4.2 2.5D集成的应用 67( U& ?- ^5 q6 V: M* U& X5 h% S! H/ ^
4.5 3D集成技术 683 v& W+ q& n; }# K
4.5.1 3D集成的定义 682 h5 |1 p( k) F
4.5.2 3D集成的应用 69
2 E0 `4 r6 ^" G) k/ t4.6 4D集成技术 70
# k4 T. H! i( B' S5 }$ q  A& P4.6.1 4D集成的定义 70
7 A8 `" E4 P# Z, k, B# T4.6.2 4D集成的应用 71
) a3 T# R" U3 @: _. p. ?8 M4.6.3 4D集成的意义 73
7 i8 R; V. w0 t: ^: V* L2 P4 i! `4.7 腔体集成技术 736 a/ O* R$ ?0 g/ e
4.7.1 腔体集成的定义 73
9 C9 J7 @( u7 _* ?, i" Q3 w# U4.7.2 腔体集成的应用 745 f0 h! M: |! z
4.8 平面集成技术 76- s& [+ {" a. m# [9 B* Y9 V
4.8.1 平面集成技术的定义 76
' V, ^( x, Z: y$ s% P/ q6 V6 F! W4.8.2 平面集成技术的应用 76  d/ ^( b# f6 k1 ]3 i- k
4.9 集成技术总结 78
9 i' M6 L* X, E5 t- V4 g第5章 SiP与先进封装技术 80* _  }; S" {& D' O1 I, F3 n
5.1 SiP基板与封装 80* h" }" _& T+ L! ]
5.1.1 有机基板 80
' ^8 F, L0 N" L2 u9 L0 s# }* f+ \5.1.2 陶瓷基板 82
) G& @* G$ b4 S  H5.1.3 硅基板 85
  W. a+ g- d( z9 {. ]/ l. P5.2 与先进封装相关的技术 85
9 J0 ^- F6 J0 x  ^5.2.1 TSV技术 868 L1 B( V! n) a8 P& X4 |8 E
5.2.2 RDL技术 87
- H9 p/ O! B4 G3 |+ C9 H) w5.2.3 IPD技术 88) S7 K; R7 @7 f( O8 D
5.2.4 Chiplet技术 89' g( ^( \4 M  A- |
5.3 先进封装技术 92
5 T1 I8 i  P/ L" {, Y5.3.1 基于XY平面延伸的先进封装技术 93
+ f+ M, C: R# K; D3 _5.3.2 基于Z轴延伸的先进封装技术 968 W; I0 p5 i# a' M' C% X* j0 k: K
5.3.3 先进封装技术总结 103! `9 d" C  k. X' r) a
5.3.4 先进封装的四要素:RDL、TSV、Bump和Wafer 1042 ^! v' J& \/ |) c# T
5.4 先进封装的特点和SiP设计需求 105
- j0 n3 z; r" B; |1 A) q5.4.1 先进封装的特点 105* O, b' X4 g# b' n/ v
5.4.2 先进封装与SiP的关系 1060 P* W! c- J5 R
5.4.3 先进封装和SiP设计需求 107
# c# O! s+ D; T$ v6 j% B第1部分参考资料及说明 108
+ Y% i! t, j4 P, _5 j1 D) C0 s1 J4 `
/ ^( X4 O7 _) l# K* I  `& z6 ^
第2部分 设计和仿真
0 m; t1 W# @3 i: j/ s+ U6 \- F
第6章 SiP设计仿真验证平台 111+ A6 f- v4 D0 a& h! O2 M. k
6.1 SiP设计技术的发展 111  _: R9 j3 ?! {3 n
6.2 SiP设计的两套流程 112( n, u6 }1 o+ i! \
6.3 通用SiP设计流程 112
* p  R: D; t. h& g) ~8 I: D6.3.1 原理图设计输入 1124 Y4 G- _& m' d8 A% O
6.3.2 多版图协同设计 112
6 d# O/ O' G, h( {7 E+ [7 z! ]0 f& L0 S6.3.3 SiP版图设计9大功能 113" C0 _1 L# k: o
6.4 基于先进封装HDAP的SiP设计流程 118
6 g" c6 z9 V. i6.4.1 设计整合及网络优化工具XSI 119- J1 l4 C& q, e  j0 w
6.4.2 先进封装版图设计工具XPD 120/ H: m: `3 K+ F( H3 l
6.5 设计师如何选择设计流程 1210 a4 w0 |5 }. V* D+ N
6.6 SiP仿真验证流程 122( G" }( l1 C2 s
6.6.1 电磁仿真 122# r/ h% l9 S  [% e. w4 @% f' y" k
6.6.2 热学仿真 124! B4 O1 m( n1 f4 O6 r
6.6.3 力学仿真 1255 ]+ i" x+ h6 s
6.6.4 设计验证 125
0 o/ U5 {5 N+ Z- `( Y9 ^6.7 SiP设计仿真验证平台的先进性 127
0 t0 R1 ~+ C" c. Y1 C& s; o$ j5 L第7章 中心库的建立和管理 129- P1 A* S3 C2 h1 S. b$ S( \
7.1 中心库的结构 129& g7 |8 z+ s& t% H
7.2 Dashboard介绍 130. r/ {# e" j" R, i
7.3 原理图符号(Symbol)库的建立 131* u$ \4 e7 s5 E% D0 I
7.4 版图单元(Cell)库的建立 136: H8 ~) i8 j7 {
7.4.1 裸芯片Cell库的建立 136
- \6 ]6 {5 K  U$ \  y* _7.4.2 SiP封装Cell库的建立 141
* F8 |, ]6 J9 Z7.5 Part库的建立和应用 145# D! ]+ m0 r. J" G
7.5.1 映射Part库 145
: S8 N9 L* v, x4 q. R9 m7.5.2 通过Part创建Cell库 147
! g' w7 s8 _; Q5 Z  w7.6 中心库的维护和管理 148
! X; E; p; c' G1 B7.6.1 中心库常用设置项 149
) N) V' `, |3 T3 i! n$ }' M( p7 v7.6.2 中心库数据导入导出 149$ ]- {! w  Q  e  E
第8章 SiP原理图设计输入 1526 L' w5 Y$ g; y
8.1 网表输入 1520 G; p! f7 Y  Z1 e9 ~/ [  }
8.2 原理图设计输入 154! E) o: ~2 _8 }% j4 T
8.2.1 原理图工具介绍 154
; u7 T" |  T. S- d2 F& D  g  _8.2.2 创建原理图项目 1627 U4 y3 H& C1 J. t" J8 Z
8.2.3 原理图基本操作 163: O: P3 R  j* M1 n+ K, ]6 [
8.2.4 原理图设计检查 167
7 ]1 M  L5 o& l+ x8.2.5 设计打包Package 169  N, L5 |$ ^& w4 j0 \$ u
8.2.6 输出元器件列表Partlist 1724 v+ v9 `; d% C3 P2 C
8.2.7 原理图中文菜单和中文输入 173* w( \- J9 G8 E
8.3 基于DataBook的原理图输入 1751 w2 f* t  R% K. L" x4 Y" J
8.3.1 DataBook介绍 175, H8 Z! K( Q) p5 Q3 R+ l
8.3.2 DataBook使用方法 176! O4 ?/ s: |1 _# \! T
8.3.3 元器件属性的校验和更新 178
/ s9 S2 R$ F( n0 Z9 y6 h8.4 文件输入/输出 1796 {# G& {: @/ X2 Z+ `
8.4.1 通用输入/输出 179
% C* Z$ J( v( O2 N8.4.2 输出到仿真工具 181& o9 F8 i' Q9 {; h* p2 _1 \; \9 g
第9章 版图的创建与设置 183
( \: |: M/ f  k- h2 ~9.1 创建版图模板 183
0 Z( A" B! O) n7 C9.1.1 版图模板定义 183! E5 f* @1 ]0 U1 f% Y
9.1.2 创建SiP版图模板 184
( m+ Q5 g3 E5 h3 V& b: L9.2 创建版图项目 194
8 \" |8 S) h% p2 D9.2.1 创建新的SiP项目 194
/ w. L6 M8 h% r9.2.2 进入版图设计环境 195
2 h4 D; C% T& E( c, G7 k9.3 版图相关设置与操作 1969 e! Y! [: x4 F1 G3 h, `0 p
9.3.1 版图License控制介绍 196
; S6 r5 M2 m0 K- u9.3.2 鼠标操作方法 197
9 q" b9 C" j( N+ c# r0 E2 Z9.3.3 四种常用操作模式 199
: }, U6 {6 d7 e% Z9.3.4 显示控制(Display Control) 202; w) l9 E* _' B1 A' y: W
9.3.5 编辑控制(Editor Control) 207
# n# L5 H/ @7 p, i# r9 t9.3.6 智能光标提示 2139 a$ }0 C" D+ g6 z( J5 H9 S
9.4 版图布局 213
/ t+ d/ \- @2 |/ |8 |+ l+ L0 {" C$ S9.4.1 元器件布局 213
2 K( J  _! q7 u: ~7 N, Q9.4.2 查看原理图 217
3 j  S! Z/ f* Y% I9.5 封装引脚定义优化 218
' q$ r: U0 J+ h7 D) O- ^0 O9.6 版图中文输入 218
5 V- V8 {3 T$ L6 O' u第10章 约束规则管理 221# m, W9 U; E: @# g( a/ P; m
10.1 约束管理器(Constraint Manager) 221! Z. x& N3 @; x, O% p
10.2 方案(Scheme) 222* S8 k  e0 y1 `: T
10.2.1 创建方案 223
7 p8 O3 Y5 b- _5 l+ {, v10.2.2 在版图设计中应用Scheme 223
6 a6 E9 x, C" B0 w+ O) G10.3 网络类规则(Net Class) 224
/ V: Q8 p# W! X10.3.1 创建网络类并指定网络到网络类 224; ~# W8 ^' V7 y& S
10.3.2 定义网络类规则 225/ n! N. L' Z  P$ S9 u
10.4 间距规则(Clearance) 226( Y& H" P5 H2 H2 \% U
10.4.1 间距规则的创建与设置 226
/ l+ y; B+ ~: y! ?10.4.2 通用间距规则 227, ^% m( L" L1 I8 H/ f
10.4.3 网络类到网络类间距规则 228
8 d( T1 g1 P4 W: `: v  M8 T10.5 约束类(Constraint Class) 229$ u0 `3 h* j6 _( k
10.5.1 新建约束类并指定网络到约束类 229
/ }, F1 q7 i. j( A: V4 k3 O$ N10.5.2 电气约束分类 230
3 ^/ i! ~, S" R% p5 y* v10.5.3 编辑约束组 231
. [2 m  f& Y$ b% W# v8 T& P$ @10.6 Constraint Manager和版图数据交互 2329 k4 K: ?7 l$ g# k  d
10.6.1 更新版图数据 232
( z2 z; t& g7 w5 y10.6.2 与版图数据交互 233
2 V/ j$ I, O0 F7 {5 h10.7 规则设置实例 233
& t  t, m! K7 a! Q! F! q" n9 A4 y10.7.1 等长约束设置 233
* T. M9 c1 }: Z+ B. A0 T10.7.2 差分约束设置 2369 H# j/ l9 k! a6 a
10.7.3 Z轴间距设置 237
( C* |7 }! ^: {2 ], u0 u第11章 Wire Bonding设计详解 239
- P* P$ a3 F1 O/ u1 a11.1 Wire Bonding概述 239$ b& w9 S" v: n( b8 {
11.2 Bond Wire 模型 240
* E, T3 H# v* X+ N( N+ f0 N11.2.1 Bond Wire模型定义 241
8 Z% J- {4 z4 n  [# j* e& C0 J' b11.2.2 Bond Wire模型参数 245
3 V3 s$ X& n5 Q0 O8 u) m( o11.3 Wire Bonding工具栏及其应用 246# l) @0 e3 B0 `" \( b5 p
11.3.1 手动添加Bond Wire 246- n6 d0 X7 F7 g( z6 `: i/ z/ U
11.3.2 移动、推挤及旋转Bond Finger 247" {$ G1 t, _5 l8 {5 q
11.3.3 自动生成Bond Wire 248
% F( I& H+ f( J5 @6 |: C: c11.3.4 通过导引线添加Bond Wire 2498 f" r! t5 I8 F1 G
11.3.5 添加Power Ring 251
# ]8 _, G: ~1 v0 Y3 U. ?* G9 P* i11.4 Bond Wire规则设置 252& Q3 K$ b1 l$ x# z5 [0 N1 F: q, b
11.4.1 针对Component的设置 2538 |: R% z* }; X% m. o
11.4.2 针对Die Pin的设置 256( V3 J! g" K9 M' I7 ]5 F5 G
11.4.3 在Die Pin和Bond Finger之间添加多根Bond Wire 258
$ T1 L& U4 v2 b/ C" v; y11.4.4 从单个Die Pin扇出多根Bond Wire到多个Bond Finger 258
4 n0 {: V- L; v" e11.4.5 多个Die Pin同时键合到一个Bond Finger上 259
9 f! a1 \) [" ^11.4.6 Die to Die Bonding 259
# O8 ?& l1 {- s1 e( N11.5 Wire Model Editor和Wire Instance Editor 261
* u3 I: A, ]1 |8 Z# Z* m第12章 腔体、芯片堆叠及TSV设计 265$ M3 P. J. [* N/ p: _: j8 p2 m
12.1 腔体设计 265, A% V% ^  W0 D% B
12.1.1 腔体的定义 265
+ R4 l# m6 t2 ]0 r7 }/ g12.1.2 腔体的创建 267& v# u1 d+ l5 }
12.1.3 将芯片放置到腔体中 2694 V6 w( g' ?5 e* @
12.1.4 在腔体中键合 270
% T  g; [3 V% p9 X; g* M12.1.5 通过腔体将分立式元器件埋入基板 271* |5 ~5 T( f4 R" x& F2 ~
12.1.6 在Die Cell中添加腔体实现元器件埋入 273! ~& g5 }) S1 [2 B, @$ A
12.2 芯片堆叠设计 275
9 ^8 `4 C6 s" `3 ^* i12.2.1 芯片堆叠的概念 275( l' V7 E! B5 Q
12.2.2 芯片堆叠的创建 2760 b, {0 P  i& t2 S, X& j/ a
12.2.3 并排堆叠芯片 277
* c' E) B8 S( i5 q12.2.4 芯片堆叠的调整及键合 278! S0 I7 M1 I8 |4 I  n
12.2.5 芯片和腔体组合设计 279
/ B4 d# s0 C; k/ I% I. k12.3 2.5D TSV的概念和设计 2817 l% P* }  P3 W, b- j: U. ~1 x( E
12.4 3D TSV的概念和设计 281# M5 Y% U7 w5 J, g6 @! u
12.4.1 3D TSV的概念 281+ |- ^  l4 G( s  {8 G
12.4.2 3D TSV Cell创建 283
- f8 R( g$ E0 _# g$ [( ]12.4.3 芯片堆叠间引脚对齐原则 284
+ ]% e! k7 [8 {3 w, F4 |12.4.4 3D TSV堆叠并互联 284# Z- C7 `" y! `, B; D' n0 c
12.4.5 3D 引脚模型的设置 286. v0 p/ g4 o6 x7 t
12.4.6 网络优化并布线 287
4 K" n( z7 j; _% l6 y7 Q8 S* H: B12.4.7 DRC检查并完成3D TSV设计 289
  s# O$ h( ?3 v: T第13章 RDL及Flip Chip设计 291
4 C; N) C9 X$ }+ `  Y" A6 v" ]13.1 RDL的概念和应用 291; n5 a: f# Z9 s: Z0 S
13.1.1 Fan-In型RDL 292# S% ^( p8 p% K$ X4 L1 _
13.1.2 Fan-Out型RDL 293
8 u% N. i) m2 }13.2 Flip Chip的概念及特点 2942 U  }- O7 I4 P0 p4 i
13.3 RDL设计 295+ S7 n! U% y3 |1 W" D0 q$ `
13.3.1 Bare Die及RDL库的建立 295$ }! Z+ M. R# p5 S- ~
13.3.2 RDL原理图设计 2970 u7 |: E8 H* {$ G( e9 A
13.3.3 RDL版图设计 297
/ d  _6 H7 ]4 s3 O- ?( a9 r( O13.4 Flip Chip设计 301  F" O0 P+ ?8 p$ Y/ u
13.4.1 Flip Chip原理图设计 301
2 }1 Y8 R! Q  }13.4.2 Flip Chip版图设计 302
8 `$ V, i9 `8 _第14章 版图布线与敷铜 3077 Q' U1 C: G0 J% |
14.1 版图布线 307! A$ e' M' d7 Q2 l7 T1 T% s
14.1.1 布线综述 307. A# v8 V1 `- }6 m# E9 Y# f
14.1.2 手工布线 307% H  D! y5 U3 C- \
14.1.3 半自动布线 312
* N8 i# u% j& O9 o14.1.4 自动布线 3159 d7 i, t3 a& i& j, a. @% n" {4 Q+ F
14.1.5 差分对布线 316! n8 i6 F. H2 Y/ r6 O  ?% Y0 d
14.1.6 长度控制布线 319
$ T8 s3 J5 n% }# B7 A) k: @* V; L14.1.7 电路复制 323
/ }- x( V' f* @6 Z" e, c" s, w7 a14.2 版图敷铜 3254 [6 @+ w( @& v! y
14.2.1 敷铜定义 325" m2 @1 }) k7 K. _3 f" _8 u7 i
14.2.2 敷铜设置 325
% S$ p/ D7 @& M! p14.2.3 绘制并生成敷铜数据 328
3 F% U. p* @' h7 N2 a/ U7 y14.2.4 生成敷铜排气孔 331' o% ^* R, z8 z5 l+ v5 M2 F6 [. k
14.2.5 检查敷铜数据 333' t% i# n+ C% m. L( U1 T  x9 U4 U5 j) a
第15章 埋入式无源器件设计 334, }* a- ^8 \1 S8 Y
15.1 埋入式元器件技术的发展 334
% x( Z: {% M; T/ {# B: a15.1.1 分立式埋入技术 334% Y! @# t4 l0 ?
15.1.2 平面埋入式技术 336& d4 v" d; D& l0 z1 b. D- |
15.2 埋入式无源器件的工艺和材料 336
  q9 k2 A4 `$ @9 r, `2 f15.2.1 埋入工艺Processes 337- L% n& L" A3 R+ E8 j
15.2.2 埋入材料Materials 3427 Y$ x. z9 ~- p5 p! p# a/ e1 C
15.2.3 电阻材料的非线性特征 346$ d( C% a# ]+ h
15.3 无源器件自动综合 347
; y; h# P% k2 ?/ Y4 j- g15.3.1 自动综合前的准备 347
3 s3 y4 `' c+ c! T) v15.3.2 电阻自动综合 349
9 u# Q* [9 r- W( n2 _6 l15.3.3 电容自动综合 3539 {  R3 j& g, m* A
15.3.4 自动综合后版图原理图同步 357
6 ^$ G+ }2 \! b, t8 X# _) e第16章 RF电路设计 359
; N7 n2 G: y  G" t$ Y& |16.1 RF SiP技术 359
* G4 O$ Z; ~% @; I9 z16.2 RF设计流程 360
& P9 ^5 i; \; H% z16.3 RF元器件库的配置 360
$ B, D  O2 y9 S16.3.1 导入RF符号到设计中心库 360
2 `$ I+ K0 k, N& _) l6 B16.3.2 中心库分区搜索路径设置 361# s7 ^# h, B  f# \: B) u6 H5 y; l
16.4 RF原理图设计 362/ z6 J" Z* i! Q
16.4.1 RF原理图工具栏 362: Z; C1 a% w% D: h& f
16.4.2 RF原理图输入 364
& R2 ], w2 y/ Y' t! a. E) v8 K8 I" G. {16.5 原理图与版图RF参数的相互传递 365
' w  M7 Z1 }* C" w+ c. I( r16.6 RF版图设计 3681 v( p) _/ `: v+ k2 U
16.6.1 RF版图工具箱 368
9 i6 V1 P7 b5 t0 \2 B16.6.2 RF单元的3种类型 3691 e+ Z$ `  h" Z$ z% v! a2 s
16.6.3 Meander的绘制及编辑 370
, q% ~5 }1 H! G3 D: u16.6.4 创建用户自定义的RF单元 372* N6 U2 p2 ^( G  v7 i( r& R
16.6.5 Via添加功能 3740 ~# i6 d- |- R# a0 ]  C
16.6.6 RF Group介绍 376
$ P5 N4 O- t& H# x7 u16.6.7 Auto Arrange功能 377
' n9 F8 _. M/ n* n; G16.6.8 通过键合线连接RF单元 3771 b, y/ O+ o! b1 x  L3 m5 L. T
16.7 与RF仿真工具连接并传递数据 3786 ~) K& `$ `* U2 E( G+ z4 C- P
16.7.1 连接RF仿真工具 378
& a3 J. _3 m5 e! j# v" R8 B16.7.2 原理图RF数据传递 380% E* Q% \: N' n* h
16.7.3 版图RF数据传递 381
7 {; c( r4 W/ d+ Q) C第17章 刚柔电路和4D SiP设计 383
! n3 t" E5 e# {0 d1 X: x17.1 刚柔电路介绍 383  s. [- M2 z; n4 J' U+ Y
17.2 刚柔电路设计 384& h$ }0 [; H2 {+ o
17.2.1 刚柔电路设计流程 384
* i0 I. s' h& N17.2.2 刚柔电路特有的层类型 3846 q$ r: r' S) U# _8 i+ I
17.2.3 刚柔电路设计步骤 385
. p; C0 w0 x$ |& {17.3 复杂基板技术 3945 S/ k8 t7 b" F: v4 j+ {
17.3.1 复杂基板的定义 394
+ \: F5 F8 f; M- T. T17.3.2 复杂基板的应用 394  c) q& e* D& ^
17.4 基于4D集成的SiP设计 395, E+ b* l  ^: v; n& K4 ~8 s
17.4.1 4D集成SiP基板定义 3955 r+ r6 o* x7 U4 [  C# m
17.4.2 4D集成SiP设计流程 396. |* Y5 Z( D$ e, ~1 c
17.5 4D SiP设计的意义 400
8 R. Q0 I  B2 p* o1 U' J8 f9 b* N9 n第18章 多版图项目与多人协同设计 4016 U1 G+ `3 e" c
18.1 多版图项目 401: \7 @. x) m  K+ \5 R
18.1.1 多版图项目设计需求 401
3 W$ J  B+ D" n! I; ?+ u18.1.2 多版图项目设计流程 402& N/ z. e6 I% [, p; H0 b* R
18.2 原理图多人协同设计 405
$ s$ t4 e$ T( h$ `  M/ J# s5 h1 f18.2.1 原理图协同设计的思路 405/ y& Q9 V( F- u
18.2.2 原理图协同设计的操作方法 406! u- p7 y) w4 h* D* X3 t: Y8 d
18.3 版图多人实时协同设计 409
  Y! h" }  n; ?' }, T* l3 ~18.3.1 版图实时协同软件的配置 411
9 Y, I7 g+ c' R7 W/ p$ N18.3.2 启动并应用版图实时协同设计 412! r4 ~4 Y1 d  O& `7 X4 f, x
第19章 基于先进封装(HDAP)的SiP设计流程 415
+ G* f8 |, d$ E: F- L  J19.1 先进封装设计流程介绍 415: s; q. @* E4 ~! R! T
19.1.1 HDAP设计环境需要的技术指标 415- d4 r8 v" Y' [8 R4 \
19.1.2 HDAP设计流程 4162 L' f5 r; Q0 \9 C4 V+ _% g8 ^
19.1.3 设计任务HBM(3D+2.5D) 417
- _# ]: m6 I% T1 m$ o19.2 XSI设计环境 418
+ T+ |  c+ E1 C  Z6 m! t/ i; g* m. c19.2.1 设计数据准备 418
$ `$ N7 H6 J9 v2 b) k3 ~9 y19.2.2 XSI常用工作窗口介绍 4197 R2 I: \! [) C8 ~( c, ~+ L$ E
19.2.3 创建项目和设计并添加元器件 420# m. a0 d7 {$ I9 J: k
19.2.4 通过XSI优化网络连接 428
/ m- y& `) g$ v* |6 b19.2.5 版图模板选择 429
* b* b3 z! M8 R  p8 s1 z19.2.6 设计传递 431
5 \: m5 M" N7 R) g8 P& s: c19.3 XPD设计环境 432
, K3 I4 S! G8 N! q2 B19.3.1 Interposer数据同步检查 4322 e% V( }  c& f  R3 @) B
19.3.2 Interposer布局布线 4339 l: L& E% \: `9 I  r/ X- R
19.3.3 Substrate数据同步检查 434
, Z: n3 _) L: Q& g5 n19.3.4 Substrate布局布线 4350 U/ L2 f+ P' S1 r" u( r1 X) T
19.4 3D数字化样机模拟 436
1 U+ ]6 z; a: @" g: }+ \19.4.1 数字化样机的概念 4365 {, V# @& A' t) S1 `
19.4.2 3D View环境介绍 437# x) W  q5 I* i3 H: J) q3 f
19.4.3 构建HDAP数字化样机模型 438
+ U1 `& C6 `+ I3 e0 q第20章 设计检查和生产数据输出 4445 f) }  R/ e* \1 L; L; u* |3 o
20.1 Online DRC 444( u( [1 N7 A& q: [
20.2 Batch DRC 445
1 \! m/ |+ D) g3 ?20.2.1 DRC Settings选项卡 445
0 r" w5 v0 X  i  {1 n20.2.2 Connectivity and Special Rules选项卡 447% x. G4 B! R7 T) s
20.2.3 Batch DRC方案 448
0 H) f( G0 }& L20.3 Hazard Explorer介绍 449
1 B; E& n; X. s0 `20.4 设计库检查 453
3 }) S7 H1 c8 B& u& d9 ?20.5 生产数据输出类型 453
, m4 N' u% n7 W, E3 W6 b20.6 Gerber和钻孔数据输出 454  s6 N6 S% J3 q" l$ F
20.6.1 输出钻孔数据 454( ]( ]! ^2 W& \, s0 C; ]
20.6.2 设置Gerber文件格式 457
( A* n6 M9 `4 ^20.6.3 输出Gerber文件 4581 c. Y. b! T5 d& A* H7 W$ F+ w
20.6.4 导入并检查Gerber文件 460
7 f% C( G2 A9 H7 N- s20.7 GDS文件和Color Map输出 4612 d; I) X: i! {! S* b/ A
20.7.1 GDS文件输出 461, P2 Y* Y2 _3 G+ d
20.7.2 Color Map输出 4629 ?% J. A* {4 o/ Z1 p2 C
20.8 其他生产数据输出 4633 Y/ ~* u) H  |$ M$ Z5 O5 A
20.8.1 元器件及Bond Wire坐标文件输出 463( g( f7 M+ T) E4 f& f
20.8.2 DXF文件输出 465
7 C; F, S. n: B$ f0 z* x20.8.3 版图设计状态输出 465/ |9 f- C$ X- B4 }( |! ~3 t
20.8.4 BOM输出 466
" I$ S5 |/ l0 g, @- h) q; \第21章 SiP仿真验证技术 468
0 u; o2 V4 Y- H( H; T( n# F4 K7 k7 \21.1 SiP仿真验证技术概述 4688 T8 R5 f0 M# V- L6 U, O# d' a
21.2 信号完整性(SI)仿真 469
$ l% j- d, z, b1 {, L21.2.1 HyperLynx SI 信号完整性仿真工具介绍 4695 l  T/ B! b, [" B: r1 f
21.2.2 HyperLynx SI 信号完整性仿真实例分析 471# r0 ~+ T9 E/ y. m4 Q( H3 ~
21.3 电源完整性(PI)仿真 476
& [% E/ G8 v0 o; ^, p, a0 ?21.3.1 HyperLynx PI 电源完整性仿真工具介绍 477% r9 b( d* |1 y% j9 S6 k1 u
21.3.2 HyperLynx PI 电源完整性仿真实例分析 478
9 I' y% R0 q9 B7 P# R% [21.4 热分析(Thermal)仿真 483+ \1 d3 ^& j, g+ T& `# f9 m- ~! Z( ?
21.4.1 HyperLynx Thermal热分析软件介绍 484
5 ^9 z6 J6 x4 n, X21.4.2 HyperLynx Thermal热仿真实例分析 484
& J2 _6 w; H+ w5 s1 V# Q, T2 a21.4.3 FloTHERM软件介绍 4881 w7 h* d: `: F
21.4.4 T3Ster热测试设备介绍 489
, E) L3 N& @$ x) H9 w$ z" C  A! f21.5 先进3D解算器 491& Y- X+ l3 m: p' x- O' e( F
21.5.1 全波解算器(Full-Wave Solver)介绍 491
& w! s) s1 a7 x  v7 n21.5.2 快速3D解算器(Fast 3D Solver)介绍 491
4 @1 [7 T* ]% A2 `! Y7 G8 K2 J21.6 数/模混合电路仿真 492# q0 C4 e  J* X. W9 E
21.7 电气规则验证 493
/ y# o; y% ?, m9 N6 `2 Y$ M& L21.7.1 HyperLynx DRC工具介绍 493% K" G) v- I" U% W, Z' b
21.7.2 电气规则验证实例 494, P' _( Z& K& i) T& j
21.8 HDAP物理验证 499
/ J" Q1 C& O* |2 W% ?21.8.1 Calibre 3DSTACK工具介绍 499
# j( u5 u, ^2 o- @" N5 `21.8.2 HDAP物理验证实例 500
* A( w  u/ B$ j9 ~/ h3 |第2部分参考资料及说明 5068 z( ~: x2 Z# a
. E0 s- ]% m; e+ R5 v& b
第3部分 项目和案例
0 C, S( L7 I, ?( {8 T
第22章 基于SiP技术的大容量存储芯片设计案例 509
: m8 t$ G5 |- s6 L5 d% v2 A: F* Z5 t22.1 大容量存储器在航天产品中的应用现状 509
( S8 n2 C3 y. M& F, }6 P% p22.2 SiP技术应用的可行性分析 5100 o, \8 W! m4 a$ t  @9 U
22.2.1 裸芯片选型 5106 C  W2 w8 C" h( s1 u0 }
22.2.2 设计仿真工具选型 512
  j( W! V* S- k8 K2 K22.2.3 生产测试厂家选择 512
$ p/ S# k$ H& ?+ v( ^9 s22.3 基于SiP技术的大容量存储芯片设计 513: [0 @5 Q  o/ p( k4 X
22.3.1 方案设计 513
& M+ j# u% N! f+ I22.3.2 详细设计 5149 a4 G! c+ e) m) K7 }
22.4 大容量存储芯片封装和测试 5196 \7 g" k3 ]8 p! A& @1 z
22.4.1 芯片封装 5193 ]* W  R  W; z2 S5 c% L0 R- v
22.4.2 机台测试 522
. \9 M2 A0 B. E9 }$ K4 J; G22.4.3 系统测试 523, Y  I. O+ A- E9 g  k; n! p
22.4.4 后续测试及成本比例 523' h( z% }$ u* b8 B
22.5 新旧产品技术参数比较 525% o/ ?, p, i  d" @* `! x
第23章 SiP项目规划及设计案例 526. R- `8 ~4 M' y0 P
23.1 SiP项目规划 526
: L% h9 W, B- D& @23.1.1 SiP的特点和适用性 526, U4 Y% [  D+ x
23.1.2 SiP项目需要明确的因素 529
$ s  b8 Z0 t& \6 N- A3 e23.2 设计规则导入 5307 e0 Z: }: ], [1 O* p2 @
23.2.1 项目要求及方案分析 530
* b, Y. y% f/ l& ]1 N7 ]% ^. R8 m. @23.2.2 SiP实现方案 532: ?3 e4 a' ^1 F9 w8 e! E
23.3 SiP产品设计 534' O$ \/ I' d* t% v1 L3 a* I: m
23.3.1 符号及单元库设计 534
; F3 z0 A! l* b5 {6 f$ {23.3.2 原理设计 535
$ L" i, @8 B& D4 o9 Z6 z) s: p9 s23.3.3 版图设计 535
4 l. C; \" J9 ]1 K9 y23.3.4 产品封装测试 538% V& w! e7 J% ]/ A% F% A& Z
第24章 2.5D TSV技术及设计案例 539
9 g$ Y4 X2 j) D3 t* G$ ^24.1 2.5D集成的需求 5393 A* S, K8 Y5 `6 \
24.2 传统封装工艺与2.5D集成的对比 539
3 X1 `+ v; W4 g24.2.1 倒装焊(Flip Chip)工艺 539. F+ w! y* B( \7 e) X
24.2.2 引线键合(Wire Bonding)工艺 540
% Y: R- A7 E$ ~4 u; k) V) t24.2.3 传统工艺与2.5D集成的优劣势分析 5414 M. b9 j  e, i
24.3 2.5D TSV转接板设计 542/ Q: G% A3 h. H1 `) g8 g
24.3.1 2.5D TSV转接板封装结构 542: a  t3 o6 Q( f# G# y& m. w) o
24.3.2 2.5D转接板封装设计实现 543, C  U% B. s. W# D# p" a
24.4 转接板、有机基板工艺流程比较 544
5 o' I, U3 W& i* t( I5 s  j) O1 Y24.4.1 硅基转接板 5447 Q% E, c6 k+ a( q! N8 k5 Z% }
24.4.2 玻璃基转接板 545
. N$ Z; K& d' \7 J24.4.3 有机材料基板 546
/ X( P, k. n; |1 v1 r8 p% R24.4.4 两种转接板及有机基板工艺能力比较 546
* w% Z3 |# Y* X% z) b9 @3 Y, d! h24.5 掩模版工艺流程简介 546, ~  o/ r2 x: N$ j+ Q4 U1 x
24.6 2.5D硅转接板设计、仿真、制造案例 547' I! r+ j" {0 M+ o' y; i
24.6.1 封装结构设计 5476 J. M4 _* ^# C3 E  L- \
24.6.2 封装布线、信号及结构仿真 549
% G+ O  U* t6 Q5 s& T& O; E* |24.6.3 生产数据Tape Out及掩模版准备 552" A9 x- X( H# u1 t8 F4 W9 ]
24.6.4 转接板的加工及整体组装 553
* s( Y; U9 w  ~, p6 Q6 b第25章 数字T/R组件SiP设计案例 554+ G% _8 y0 H4 l6 T. f' f& S' ?
25.1 雷达系统简介 554
0 S9 h: v; I' I& m. j! y! r25.2 SiP技术的采用 555
6 V4 D2 w# T* J5 J3 r25.3 数字T/R组件电路设计 5566 F9 p& u6 R& _' C2 y" S
25.3.1 数字T/R组件的功能简介 556
  c7 y3 p9 m$ v25.3.2 数字T/R组件的结构及原理设计 557
# A, l' I) u6 p1 A) L7 r25.3.3 数字T/R组件的SiP版图设计 559  s0 ]9 Q+ e2 p4 F, D$ ?) a  w
25.4 金属壳体及一体化封装设计 560
  |. M! g: |# q2 F+ x  M9 r9 D第26章 MEMS验证SiP设计案例 563% [$ r) h' ]$ {# L: j
26.1 项目介绍 563
& H7 {1 P* x; U5 p26.2 SiP方案设计 563
6 ~: u, ~0 m* O5 O8 Q* N" Y26.3 SiP电路设计 564+ f2 {# t% L4 B1 T5 F( j4 p) ~% Y
26.3.1 建库及原理图设计 565; ]. H, T- i4 y+ B4 R" F% ~* l
26.3.2 SiP版图设计 566
+ A2 [* V  Q3 K8 o; J! Z26.4 产品组装及测试 571
9 p2 S& ?3 M3 {第27章 基于刚柔基板的SiP设计案例 572
8 J8 `$ F3 L' o7 n4 }  ?, B27.1 刚柔基板技术概述 5725 T. o: I! p0 j8 w# D
27.2 射频前端系统架构和RF SiP方案 573
. r! n' w8 y5 B+ {5 q- \7 }27.2.1 微基站系统射频前端架构 573; o8 A/ y+ R/ e, w& p  U0 K: U
27.2.2 RF SiP封装选型 574; y& p# z$ g; N9 R! Q) _
27.2.3 RF SiP基板层叠设计 575
6 {+ ?  X( _/ q; |  q* Q! a5 m27.3 基于刚柔基板RF SiP电学设计仿真 576
4 c' {4 N# o3 j  u, c% @27.3.1 信号完整性设计和仿真 576
, V: c) {% ~4 e$ a+ J27.3.2 电源完整性设计与仿真 579
" o8 P( [; b& J" T2 F8 W  S  T% |27.4 基于刚柔基板RF SiP的热设计仿真 581
) c! y9 v( @4 ^. z8 c- b27.4.1 封装结构的热阻网络分析 581+ `6 |! g5 G5 y: f4 t5 @
27.4.2 RF SiP的热性能仿真研究 583
2 d/ Y- k% |7 V! b27.5 基于刚柔基板RF SiP的工艺组装实现 587( m' u# M% }' Y) y: S
第28章 射频系统集成SiP设计案例 589
, s: k7 U" W: J" u! @3 P! ^28.1 射频系统集成技术 5899 i& R* L( m# {% S1 f
28.1.1 射频系统简介 589
* z  h; s, P; `: H+ O6 E4 w, w' f28.1.2 射频系统集成的小型化趋势 590
) Q1 F8 Z  i1 u. i7 ?5 A28.1.3 RF SiP和RF SoC 592" v" D3 H$ Q6 ^* @# y- O
28.2 射频系统集成SiP的设计与仿真 594
7 v. H3 A- t0 _" `7 K28.2.1 RF SiP封装结构设计 5946 q$ H" g2 n- p2 M
28.2.2 RF SiP电学互连设计与仿真 595
- e, p6 X( A- u28.2.3 RF SiP的散热管理与仿真 5974 v/ s' u' \" Q3 O( }. n, |( n
28.4 射频系统集成SiP的组装与测试 598
" H; P8 ~! |) t' Z28.4.1 RF SiP的组装 598
7 F7 z( r* ^. M) \+ o* ?28.4.2 RF SiP的测试 599: a4 U* `# {4 r- \- l
第29章 基于PoP的RF SiP设计案例 602: [3 G/ u; E  K; s8 J  }6 c
29.1 PoP技术简介 6026 X% Q3 Y; ~- G* g
29.2 射频系统架构与指标 603
6 |2 Q2 S+ {# [4 a# w29.3 RF SiP结构与基板设计 6062 I! r" E6 V0 M0 z
29.3.1 结构设计 606
4 S% K/ T- k3 @  A* c29.3.2 基板设计 6073 i; A* }! m# d
29.4 RF SiP信号完整性与电源完整性仿真 610
1 V$ c5 {( `# y+ j. g* e# z29.4.1 信号完整性(SI)仿真 610% o" U5 J9 I. @( V2 y: x4 b/ G2 h
29.4.2 电源完整性(PI)仿真 610
4 @$ t; `# y% {' w29.5 RF SiP热设计仿真 6128 l  ^$ P+ [' {* @
29.6 RF SiP组装与测试 613
9 m5 ], E$ {4 P第30章 SiP基板生产数据处理案例 616
2 Q8 Y, {- U, Z; b9 f  Z4 l30.1 LTCC、厚膜及异质异构集成技术介绍 616
7 |( @% @1 h: h, ]9 K- l30.1.1 LTCC技术 616
7 q) y; F# y# h; X% V! O30.1.2 厚膜技术 617
5 F* r- K& y" v3 f30.1.3 异质异构集成技术 6173 y* f% W- S3 X9 h1 o5 P: z# q- r
30.2 Gerber数据和钻孔数据 618
) ~9 y1 @7 O) r+ z0 z& v30.2.1 Gerber数据的生成及检查 618
; R4 O$ N* `6 W) g30.2.2 钻孔数据的生成及比较 621
; Y+ y  p* I4 N2 u8 A, ]30.3 版图拼版 622! |( a+ s" _5 i4 y2 x0 p! K
30.4 多种掩模生成 624
, {. p* w; r5 |+ K) ]4 [30.4.1 掩模生成器 624& D. g/ R0 g$ w
30.4.2 掩模生成实例 626
3 R) F0 D: _( ]; x0 G; G: }第3部分参考资料 630
' Q6 a+ L/ v0 U3 p8 T- I
后记和致谢 632# ~6 o' R3 a' G5 h) O# ^( C

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5#
发表于 2021-7-2 14:22 | 只看该作者
李总应该把书上的例子放上来让大家练习

点评

谢谢建议,我找一个合适的例子!  详情 回复 发表于 2021-7-3 08:56

该用户从未签到

6#
 楼主| 发表于 2021-7-3 08:56 | 只看该作者
APP_338522 发表于 2021-7-2 14:22
7 x3 S! L4 D. w9 f李总应该把书上的例子放上来让大家练习
3 ^  r2 l' X( P3 s' P2 j
谢谢建议,我找一个合适的例子!

该用户从未签到

7#
发表于 2021-7-7 21:49 | 只看该作者
书看了,非常不错

点评

谢谢评价!  详情 回复 发表于 2021-7-29 11:05
  • TA的每日心情
    开心
    2020-7-21 15:33
  • 签到天数: 1 天

    [LV.1]初来乍到

    8#
    发表于 2021-7-28 10:00 | 只看该作者
    你好 这本书使用的设计软件是metor还是cadence?

    点评

    第一部分概念和技术,第三部分项目和案例均和软件无关;第二部分设计和仿真,用的是Mentor,现在称为Siemens EDA。  详情 回复 发表于 2021-7-29 11:07

    该用户从未签到

    9#
     楼主| 发表于 2021-7-29 11:05 | 只看该作者
    ytmgadw 发表于 2021-7-7 21:49
    6 D1 Q  U' z5 f4 p) F书看了,非常不错
      v! j! W4 A9 C% ^* P/ G* {* e
    谢谢评价!
    5 u/ C1 ^# {: u

    该用户从未签到

    10#
     楼主| 发表于 2021-7-29 11:07 | 只看该作者
    wenspig 发表于 2021-7-28 10:00  `/ a% s# L! k/ m) V7 \
    你好 这本书使用的设计软件是metor还是cadence?

    ' e0 k- x6 I' h  t% J0 H第一部分概念和技术,第三部分项目和案例均和软件无关;第二部分设计和仿真,用的是Mentor,现在称为Siemens EDA。  h2 C" O4 C9 ~7 H7 _! K7 I  y
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