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芯片可靠性测试要求及标准解析

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    [LV.1]初来乍到

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    发表于 2021-7-16 09:56 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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    本帖最后由 mutougeda 于 2021-7-16 09:57 编辑
    ; _* s+ Y3 B# N. }, ]; f% n
    % J& ]# D* Y' V- E: W1 w芯片可靠性测试要求都有哪些?华碧实验室通过本文,将为大家简要解析芯片可靠性测试的要求及标准。* Q7 h$ L) N7 S- a+ M, i
    9 M1 i8 X0 ?, p# y4 J2 O9 i' F
    大多数半导体器件的寿命在正常使用下可超过很多年。但我们不能等到若干年后再研究器件;我们必须增加施加的应力。施加的应力可增强或加快潜在的故障机制,帮助找出根本原因,并帮助 TI 采取措施防止故障模式。
    1 U3 [1 V6 D7 q% ]. K: D+ q
    + D( b! `; e) H) f) V在半导体器件中,常见的一些加速因子为温度、湿度、电压和电流。在大多数情况下,加速测试不改变故障的物理特性,但会改变观察时间。加速条件和正常使用条件之间的变化称为“降额”。
    0 s5 Q$ O4 v( I# ?1 A
    2 H( N! n, x/ u; ~' I9 H! h7 f9 k 3 Q" J7 B# ]* P
      F- u! E" S: ?# A0 v; O
    高加速测试是基于 JEDEC 的资质认证测试的关键部分。以下测试反映了基于 JEDEC 规范 JEP47 的高加速条件。如果产品通过这些测试,则表示器件能用于大多数使用情况。
    * ^$ }( Q% \$ |% h7 L0 z
    + q  O) S7 _$ D7 u( Z
    % g3 z2 ~7 T: e
      l, S) N8 U( Z# N温度循环/ u4 A* g( b0 }" A# b4 `

    . U" d. C' y' R& Y6 h# k3 W根据 JED22-A104 标准,温度循环 (TC) 让部件经受极端高温和低温之间的转换。进行该测试时,将部件反复暴露于这些条件下经过预定的循环次数。1 V0 _- s& X; e0 t

    ) q' X  g# f! j; p, u2 o7 l高温工作寿命(HTOL)3 d9 r* N" e0 _* S7 \# P
    3 n, @3 d  Y/ \/ E8 C
    HTOL 用于确定高温工作条件下的器件可靠性。该测试通常根据 JESD22-A108 标准长时间进行。
    5 I" \( O6 P/ x  c* J, F8 R2 b* H) m2 `; d* _1 S1 k/ _8 j/ Y2 }
    温湿度偏压高加速应力测试(BHAST)+ n6 M8 s6 E6 Y/ b
    # P1 c8 Z1 V8 e1 Q: A! z
    根据 JESD22-A110 标准,THB 和 BHAST 让器件经受高温高湿条件,同时处于偏压之下,其目标是让器件加速腐蚀。THB 和 BHAST 用途相同,但 BHAST 条件和测试过程让可靠性团队的测试速度比 THB 快得多。
    7 e1 b; X- R! F; B' @7 z7 o, S* Y* y/ L2 x/ c! q2 g; i
    热压器/无偏压HAST7 V7 u0 g. v9 i; y

    4 ~" {$ w+ T4 K$ a4 q" Z3 E( O热压器和无偏压 HAST 用于确定高温高湿条件下的器件可靠性。与 THB 和 BHAST 一样,它用于加速腐蚀。不过,与这些测试不同,不会对部件施加偏压。1 d& V2 ~& D9 a$ {2 M

      L  W2 p9 Z: S0 T' P高温贮存
    * Z6 Q6 N/ t0 {* B/ ~, [  h  \& G2 O! D4 Y2 s& R
    HTS(也称为“烘烤”或 HTSL)用于确定器件在高温下的长期可靠性。与 HTOL 不同,器件在测试期间不处于运行条件下。/ u/ O5 \/ C. d- G+ s
    / f1 s. {" l' q! m$ d" K  D
    静电放电(ESD)
    / i( ?1 j' S: S$ v. y2 V* |$ W* K$ n: g; R9 `3 n% f
    静电荷是静置时的非平衡电荷。通常情况下,它是由绝缘体表面相互摩擦或分离产生;一个表面获得电子,而另一个表面失去电子。其结果是称为静电荷的不平衡的电气状况。- R- P. H$ m$ z2 T  h, ^( Y' U* f
    9 J1 V- o+ H6 S: t
    当静电荷从一个表面移到另一个表面时,它便成为静电放电 (ESD),并以微型闪电的形式在两个表面之间移动。
    6 D- m4 U& B# W# D* [8 q$ l0 _9 q; F  k$ m9 B
    当静电荷移动时,就形成了电流,因此可以损害或破坏栅极氧化层、金属层和结。
    5 d4 g! G8 E* H' ^: ]$ f
    2 R/ Y" ?& N4 }JEDEC 通过两种方式测试 ESD:; o3 y7 g; {/ y! ]
    2 K- p$ ^5 N) C) C" K# ?% y
    1.人体放电模型 (HBM)9 k# v7 C+ x) n, e& [: X

    8 m9 j& J) p2 {% g一种组件级应力,用于模拟人体通过器件将累积的静电荷释放到地面的行为。
    , _3 c2 k& b  s8 U
    + t+ }, [! @3 m) F 7 X1 A3 w7 Y1 n, u; y, D
    / q7 s0 \4 r- p3 z5 x1 z' J
    2.带电器件模型 (CDM)0 T/ d* A+ {9 c% m+ ^1 O4 Y

    9 E$ s- S1 q6 o/ b一种组件级应力,根据 JEDEC JESD22-C101 规范,模拟生产设备和过程中的充电和放电事件。
    1 m  ?5 ^9 {  x. S7 n # T) e1 C$ P% e3 ?4 d: D7 i

    % ?* i2 f$ Z! w4 u: I5 ^1 M2 p
    2 {; X0 d/ }$ R! j' `, H
    * @7 M+ q/ Z$ f9 V3 G, s% i% L! x% }5 P: U1 T

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    发表于 2021-7-16 13:30 | 只看该作者
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    [LV.10]以坛为家III

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    发表于 2021-7-16 14:18 | 只看该作者
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