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1、 微分析法
. l( W. S5 p1 w; w3 t(1) 肉眼观察是微分析技术的第一步,对电子元器件进行形貌观察、线系及 & O* i. R1 U: A- D) O+ H
其定位失准等,必要时还可以借助仪器,例如:扫描电镜和透射电子显微镜等进
& H. T) }; g, [' k行观察;: q4 o u& E. I) X" {# U- I6 f
(2) 其次,我们需要了解电子元器件制作所用的材料、成分的深度分布等信
! w& H' b6 M; c4 r" v! e; @息。而 AES、SIMS 和 XPS 仪器都能帮助我们更好的了解以上信息。不过,在 * v& t& x9 P' e7 _9 _& V8 \
作 AES 测试时,电子束的焦斑要小,才能得到更高的横向分辨率; 4 H( i6 \. q) D" [3 f, @! V
(3) 最后,了解电子元器件衬底的晶体取向,探测薄膜是单晶还是多晶等对 : R$ `, n c; k1 j3 L
其结构进行分析是一个很重要的方面,这些信息主要由 XRD 结构探测仪来获取。
# T+ q. s) P/ q& [- m0 q4 Q2、 光学显微镜分析法
3 w; P% r6 d( y0 q, ?$ d% ~( S进行光辐射显微分析技术的仪器主要有立体显微镜和金相显微镜。将其两 1 N( v$ X, N( `0 k1 y; B
者的技术特点结合使用,便可观测到器件的外观、以及失效部位的表面形状、结 0 J( s0 m% E# M" q
构、组织、尺寸等。亦可用来检测芯片击穿和烧毁的现象。此外我们还可以借助
: I4 `8 b) D2 ]! c/ ?$ W1 H具有可提供明场、暗场、微干涉相衬和偏振等观察手段的显微镜辅助装置,以适 , G$ S, x# E: _% G5 @
应各种电子元器件失效分析的需要。
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附件:
典型电子元器件失效分析方法.pdf
(86.49 KB, 下载次数: 2)
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