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SDRAM的工作频率是可以编程吗?

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1#
发表于 2009-7-6 10:21 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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x
本帖最后由 hanicesnow 于 2009-7-7 16:29 编辑
) U  a1 w- n% s7 ~
1 M3 H8 G6 \1 H/ H一个标称是166MHZ的SDRAM,如果控制器对SDRAM的时钟是可以编程的,
; r" o% F( }( P* I: n那这颗SDRAM是不是可以跑在0-166MHZ之间的任何一个频率(不考虑系统性能),请各位高手指点。  h  ?% D8 B  s4 @
附件中是DRAM控制器的描述。

未命名.JPG (35.19 KB, 下载次数: 17)

未命名.JPG

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2#
发表于 2009-7-6 11:15 | 只看该作者
可以
- }* }8 w5 c) }* P4 K不过这个通常是需要看MCU的手册的,按照MCU手册上面的关于MEM CLOCK这部分1 X3 [7 B- y5 n1 }
! C8 I& n6 |  j: X  k+ ^$ r
通常在系统启动的时候进行寄存器部分的设置拿三星的2410来说3 H- D# d3 K7 B
   AREA    Init,CODE,READONLY
- Y" D& X& }3 n' M* Z; X% D    ENTRY # k  C+ l2 L5 N7 r' B/ b9 t
    b   HandlerUndef    ;handler for Undefined mode
1 i' J  D6 t6 \* r' E    b   HandlerSWI      ;handler for SWI interrupt4 I" U$ ^- B+ v- @5 t: t7 X2 O& h7 O
    b   HandlerPabort   ;handler for PAbort
7 ?4 l6 \; b& q+ l8 g) z- x( b    b   HandlerDabort   ;handler for DAbort2 T2 \( _/ h: d# e' _
    b   .               ;reserved6 e  z3 X; q2 t. J6 Q
    b   HandlerIRQ      ;handler for IRQ interrupt * o, J, v% G, R9 z! ?+ Y0 m3 C, m: l
    b   HandlerFIQ      ;handler for FIQ interrupt
+ ~9 e, N' E' Q8 D2 V4 n/ P4 h5 {初始化中断向量表。。。。
( C; c2 X, z6 b4 x0 I7 w8 b在初始化堆栈前必须做外部SDRAM内存的硬件初始化,这个时候就会根据硬件手册设置好相应的- A/ \9 e* ~% G* W
....................( R( I5 D5 a1 C7 c
    ;Set memory control registers
8 ~' H+ F% n2 q" @    ldr r0,=SMRDATA2 X2 ]! G2 m" y
    ldr r1,=BWSCON      ;BWSCON Address
/ o+ ^  a( q# Y    add r2, r0, #52     ;End address of SMRDATA
! I. X; i2 c1 Q9 j4 }% h.................
& d8 @. q: s* d! w;@0x20$ O, o" Q, K+ C4 s
    b   EnterPWDN
& T, y% k/ m% y( N) gSMRDATA DATA
% Z; u0 W; ^( R8 @' d+ ?" W1 x0 a) x; Memory configuration should be optimized for best performance
9 Z. z3 M& s$ ~; The following parameter is not optimized.                     
  h- ~0 M* T5 g1 t9 [$ `; Memory access cycle parameter strategy  _5 F. y, [# l' q$ A3 E
; 1) The memory settings is  safe parameters even at HCLK=75Mhz.
% `" x' d9 Z3 t+ z" V3 c2 w6 b; 2) SDRAM refresh period is for HCLK=75Mhz.
: V4 s  u) i1 u* s8 j4 Y( B( j# I7 E
    DCD (0+(B1_BWSCON<<4)+(B2_BWSCON<<8)+(B3_BWSCON<<12)+(B4_BWSCON<<16)+(B5_BWSCON<<20)+(B6_BWSCON<<24)+(B7_BWSCON<<28))
# Y7 X& o3 K7 y5 G  M8 n& ?    DCD ((B0_Tacs<<13)+(B0_Tcos<<11)+(B0_Tacc<<8)+(B0_Tcoh<<6)+(B0_Tah<<4)+(B0_Tacp<<2)+(B0_PMC))   ;GCS07 N: ^2 l: |. E) j9 R0 q
    DCD ((B1_Tacs<<13)+(B1_Tcos<<11)+(B1_Tacc<<8)+(B1_Tcoh<<6)+(B1_Tah<<4)+(B1_Tacp<<2)+(B1_PMC))   ;GCS1
- F9 z. H& e. N% S4 P    DCD ((B2_Tacs<<13)+(B2_Tcos<<11)+(B2_Tacc<<8)+(B2_Tcoh<<6)+(B2_Tah<<4)+(B2_Tacp<<2)+(B2_PMC))   ;GCS2
$ m" ?- ?& {+ J; z    DCD ((B3_Tacs<<13)+(B3_Tcos<<11)+(B3_Tacc<<8)+(B3_Tcoh<<6)+(B3_Tah<<4)+(B3_Tacp<<2)+(B3_PMC))   ;GCS3) d$ D/ p7 _: P# T( {8 H
    DCD ((B4_Tacs<<13)+(B4_Tcos<<11)+(B4_Tacc<<8)+(B4_Tcoh<<6)+(B4_Tah<<4)+(B4_Tacp<<2)+(B4_PMC))   ;GCS4
+ Q$ Z$ F. t1 u5 V    DCD ((B5_Tacs<<13)+(B5_Tcos<<11)+(B5_Tacc<<8)+(B5_Tcoh<<6)+(B5_Tah<<4)+(B5_Tacp<<2)+(B5_PMC))   ;GCS5
4 }0 |8 j, T  l* {6 s( P5 Y  g" x    DCD ((B6_MT<<15)+(B6_Trcd<<2)+(B6_SCAN))    ;GCS6. J4 C: {- `0 x) l5 L
    DCD ((B7_MT<<15)+(B7_Trcd<<2)+(B7_SCAN))    ;GCS7* ^/ r( L  S  g) m  `" Z( M8 \( ?
;   DCD ((REFEN<<23)+(TREFMD<<22)+(Trp<<20)+(Trc<<18)+(Tchr<<16)+REFCNT)    ;Tchr not used bit
2 b: L6 g( ~6 S4 [0 x    DCD ((REFEN<<23)+(TREFMD<<22)+(Trp<<20)+(Trc<<18)+REFCNT)       2 D, p" v3 L* @
$ `+ {. \4 N9 ?- T: C" z
  G( w6 @( j8 P% W) J' |* [& f4 C
9 l6 w% ^: S5 V: U3 I
;   DCD 0x32            ;SCLK power saving mode, ARM core burst disable, BANKSIZE 128M/128M% F7 h; E: K$ l- Q5 K* c* p
    DCD 0xb2            ;SCLK power saving mode, ARM core burst enable , BANKSIZE 128M/128M - 11/29/2002
  v0 T! p4 K4 b4 Y' P4 u
* G- b5 \) @8 x  z8 R; }4 J: r    DCD 0x30            ;MRSR6 CL=3clk
- f! E! i8 _: }0 \2 ?    DCD 0x30            ;MRSR7, f) }1 M! Y! u, Q( a
;   DCD 0x20            ;MRSR6 CL=2clk1 o+ B8 n3 l  ^$ W1 k3 e
;   DCD 0x20            ;MRSR7

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3#
发表于 2009-7-6 11:23 | 只看该作者
: l- l8 y* p" h, P
6 p$ F* {0 \5 f3 K' \1 Q9 N
看一下这个吧呵呵,不同的MCU设置SDRAM寄存器的方式也不一样,(MCU的架构MCU的厂家不同都会有区别)
( q1 n7 E8 X  L6 I! {& x0 @  K之所以给你举2410的例子是应为有中文的文档!易于理解^_^4 ^# X) ~, p! j5 Q6 U- c5 q' }
# E/ o. \0 j" ?6 y) i, y* T
你自己看一下理解一下吧,我怕说多了有些乱。

s3c2410-5.rar

288.89 KB, 下载次数: 37, 下载积分: 威望 -5

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4#
发表于 2009-7-6 12:45 | 只看该作者
最低频率通常有限制的,你看一下颗粒的datasheet,能查到的,一般不推荐低于多少。

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5#
 楼主| 发表于 2009-7-7 14:44 | 只看该作者
多谢两位,兄弟受益匪浅啊。我仔细看了下SDRAM的规格书,在时钟周期一栏,定义了最小时间,但是时钟的最大时间没有定义,也就是我没有找到最低频率。找了几个规格书都没有。8 ]! U- r, e# {& ~& B
请问高手,这个最低频率一般由什么决定的,2 S0 {0 l% ?( [5 `
是系统性能吗?要求数据处理的快,那么SDRAM就工作频率就高。
, {1 ]2 ]% p/ D$ v4 J还是有其它的东西限制着这个最低频率?

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6#
发表于 2009-7-8 12:44 | 只看该作者
物理限制当然有一些的,如果你跑几K的速录,用个电容设计就可以,何必用MOS+电容的结构呢。4 R1 I1 Q- v9 t: w9 O
* I* {, q1 B3 Q. S* Z. G) X6 D
选RAM还不主要因为你软件的需求,要跑多快,多大带宽吗?如果DDR2 667能搞定,就不要用DDR2 800的颗粒。

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7#
发表于 2009-7-8 13:13 | 只看该作者
物理限制当然有一些的,如果你跑几K的速录,用个电容设计就可以,何必用MOS+电容的结构呢。
% t. a$ Q3 ]. W9 r+ M8 Y) K9 u7 t* W4 Z( o# \
选RAM还不主要因为你软件的需求,要跑多快,多大带宽吗?如果DDR2 667能搞定,就不要用DDR2 800的颗粒。, h) f+ A6 j7 q1 M1 r# X2 S9 w
liqiangln 发表于 2009-7-8 12:44
9 _# y# H3 {# `- M" W

8 m% N# l. g' I2 A7 a1 [hehe翻译一下,SDRAM都看最快能跑多少,没有人看最慢的呵呵,设计的时候如果用低速率的SDRAM还便宜能够满足系统设计的要求。为什么还要用速率高的。。。。。。

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8#
 楼主| 发表于 2009-7-8 13:53 | 只看该作者
本帖最后由 hanicesnow 于 2009-7-8 15:18 编辑
; r2 D% h+ [1 H; C, v" X& _8 x: ~$ t2 P2 d! A
多谢两位,学习了。

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9#
发表于 2009-7-8 16:01 | 只看该作者
设计的时信号控制线上面加22欧的电阻试试。

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10#
发表于 2009-7-14 18:16 | 只看该作者
楼上的,貌似加电阻不会改变频率的哦。

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11#
发表于 2009-7-15 08:33 | 只看该作者
楼上的你没有看到他编辑了一次么?5 l3 t* J; K5 y% |! O' c( q
他的问题最终是EMC问题,在内存旁边总有一个频场,我认为加电阻能够解决这个问题。

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12#
发表于 2009-9-17 11:21 | 只看该作者
学习!

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13#
发表于 2009-9-24 11:36 | 只看该作者
一般的SDRAM的时钟DDR1 有133 266 400
1 T0 B- C' `/ t: z8 n% eDDR2 533 667 800
6 y% |# S1 ?7 i1 S  a你要使用合适的频率就要更主频有很大关系的 + r1 S6 f8 N$ a* W/ [+ `  }
如ARM中就必须是MPLL :HPLL 就要1:3 或这个1:2
1 S" M% l7 K" _+ {( K! \# p& z8 U这个要根据你的芯片的寄存器设置 不是想怎样改 就能改的

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14#
发表于 2011-3-29 23:38 | 只看该作者
:):):):)

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15#
发表于 2011-3-31 21:32 | 只看该作者
不错,学习了
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