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Si24R2E集成NVM的超低功耗2.4GHz GFSK/FSK无线发射芯片1 o* m1 Z( ^( {. a0 ]3 z5 j
Si24R2E是一颗工作在2.4GHz ISM频段，专为低功耗有源RFID应用场合设计，集成嵌入式发射基带的无线发射芯片、128次可编程NVM存储器以及自动发射模块。工作频率范围为2400MHz-2525MHz，共有126个1MHz带宽的信道。
; s4 P" @) m& Q8 p W& c 当打开启自动发射功能，内部Watchdog与内部RCOSC工作时，芯片睡眠状态下待机电流仅为700nA。当内部timer定时到时，自动发射控制器自动完成数据从NVM的装载与发射，数据发射完成后，芯片立即进入睡眠状态，因此Si24R2E的平均功耗非常低，对于电池供电应用，可以非常容易实现五年以上的待机时间。/ a8 |2 Y" U; {& L4 q; C( W! x
! ~3 u; E' }8 ]0 j7 R Si24R2E操作方式非常方便，可以不需要外部mcu，可以自动完成数据装载与发射。NVM存储器可以存储寄存器配置与发射的数据内容，掉电后不会丢失，数据可保持10年以上。在3.3V供电电压下，无需外部高压，外部MCU可以通过芯片的四线SPI接口完成NVM的配置编程，芯片最大可编程次数为128次，芯片支持NMV加锁，防止NVM配置数据回读，保证用户数据安全。8 f' r- E1 L8 H- z) T9 r
& f. I0 E" u6 P% V Si24R2E也可以在外部MCU控制下工作，芯片不需要额外接口，外部微控制器（MCU）通过SPI接口对芯片少数几个寄存器配置即可以实现数据的发射，芯片完全兼容Si24R1发射功能，在不打开自动发射功能时，芯片功能与配置方法与Si24R2完全相同。
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8 M- Z7 s2 V7 c: v# w, I5 N5 P Si24R2E具有非常低的系统应用成本，可以不需要外部MCU，仅少量外围无源器件即可以组成一个无线数据发射系统。内部集成高PSRR的LDO电源，保证1.9-3.6V宽电源范围内稳定工作。" G* o: x1 M% p- z: J! v
主要特性) `9 }( A5 n: F" Y
: v. o- u; S H 内置128次可编程NVM存储器# k0 a# \/ B+ ~$ [9 l! V
# e% F# S# L& R& j# R9 H7 b
3.3V编程电压+ ~3 U9 S, W: T6 T7 @
/ s* h% e5 P. _5 p) l/ K- _' k! n4 F
& V3 @. g* h4 c$ N% Q 超低功耗自动发射功能
$ b: d3 U, U0 E+ v ?! m 8 _. `% a2 R9 Z* Q* X2 {& J
内置硬件Watchdog x; t$ G. [- H, g* ?- p/ v) f
. X8 j% c1 |) ] {* z( r
0 p, D2 Y# v- h' H g
内置3KHZ RCOSC
' D* i1 `" ]6 O% L( w) t
6 Y0 u* O& J/ ^& w 内置低电压自动报警功能
8 L& |: [. y* B4 ]1 X; c% R 7 ^; T( {3 V X/ [7 _
+ O @6 W" X6 v1 ?5 K, ?& u J
超低关断功耗：0.7uA
$ _8 e; W; T5 l( \ n ^# ]4 x, I) R
宽电源电压范围：1.9-3.6V, o( H8 B- J5 [
$ K5 \" U! A0 q3 _/ C" C & w2 C }) E, i8 y. ~; d
超低待机功耗：<15uA+ [4 R0 J& A- X" ~: ^/ T2 @$ a
# V5 h+ n, N0 h4 k7 p( n8 z 数字IO电压:3.3V/5V) ]. H w+ Z7 \- U
! P5 s% T/ {3 j8 L. { 1 J+ q o2 h& U2 h; P: ?
发射电流（2Mbps）:13.5mA（0dBm）' h1 C/ h2 C$ w; d+ d4 r) @
* ~ g7 [! ]% B) C) r# I 内部集成高PSRR LDO
: L) C, b$ n! T# L( N
" Z; f! e/ W$ ^ 2 [. P' @" u6 x1 W
最高发射功率：7dBm （23mA）) }# j7 p& z/ W6 b. ^ F6 B
' P0 j5 I8 q1 l/ \% l( N 10MHz四线SPI模块
, [+ O& q" [7 D1 @5 F5 W9 B1 h
; S0 E, @" O+ I
& _8 t/ e t# ` 调制方式：GFSK/FSK
. v$ {6 m! r% S; B * x& R* I/ p( D
收发数据硬件中断输出/ D$ _. l4 p* P( Z% g
/ Y0 _ R( L" s& \+ y
8 o- { T) e* W6 S& l# a 数据速率：2Mbps/1Mbps/250Kbps
4 [7 L$ H3 @% P) W
1 b- t5 Q- v' s7 i+ x$ c6 G3 | 完全兼容Si24R27 ~; I7 F& k+ J& e, k, c
; U: `# T' @0 e% m& Q: l& h
" k6 {$ \% }" T& x1 \" }6 L 快速启动时间：<130uS. M/ q0 D; K) _: s1 D
' Y4 g* l% ~( T, u. |2 M5 X
完全兼容Si24R1发射功能
' @# a8 c# I2 h3 a: s; l2 |& d# d h1 @ : |; C, a% G' _# w9 b' k
- i1 e! U1 Q; P. h( I
低成本晶振：16MHz±60ppm( Z0 p' G5 u& C! f4 [2 p4 \5 i
* y; ~6 D) @* B8 t- \( w QFN20封装或COB封装 目前这款对这款芯片有点小心得，项目也开始启动量产，我将这个芯片的数据手册以及案例发上来，给大家参考，同时欢迎各路大佬给建议或者交流。
7 q; P+ H2 G1 g8 v7 ~- ^. y1 O. { |
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发表于 2019-12-26 10:21
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