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有奖讨论《为什么IBIS model仅适用于相对低频段》

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1#
发表于 2008-11-5 20:50 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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x
RT # p9 X. _! _8 H2 @4 j9 I
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2#
发表于 2008-11-6 10:42 | 只看该作者
论点就错了,还讨论什么啊

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forevercgh + 10 tianya讲的极是

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3#
发表于 2008-11-6 20:48 | 只看该作者
哪错了??

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4#
 楼主| 发表于 2008-11-6 21:51 | 只看该作者
原帖由 tianya 于 2008-11-6 10:42 发表 + m7 {2 m5 l; ?2 D; N# w
论点就错了,还讨论什么啊
$ y. ~8 @: J) T5 X% V
7 x- j: U* A6 f6 U; f/ D$ S. @
tianya说的太对了,论点就有问题。 2 A5 _/ P& n" w$ X6 p: S1 W0 W9 V: b9 O9 q
并不存在ibis model适用频段的问题,只是看manufacturer愿不愿意花精力搞ibis model了

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5#
发表于 2008-11-6 22:22 | 只看该作者
对常见并行接口,如DDR2/3,做到精确,也不是很难,像Micron的ibis模型,都很准确;+ ?2 b6 `! k. D0 S
对serdes,之前ibis4.2的AMS,现在ibis5.0的AMI,都可以做到很精确,SiSoft做过AMI和SPICE的对比,可以看一下。

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6#
 楼主| 发表于 2008-11-7 09:36 | 只看该作者
micron在model supply和quality方面做得的确超好。5 [8 q+ T8 _- b. N
好久没关注IBIS forum了
3 Z- ^6 Q, _0 v* f看来得过去学习下了
  I2 }! f$ Q. c0 x感谢tianya

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7#
发表于 2008-11-7 13:17 | 只看该作者
崇拜!!!

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8#
发表于 2008-11-9 13:58 | 只看该作者
我觉得一般的Flytime仿真,IBIS 还是挺好的。
5 k* N  b7 K! J6 K但是Overshoot就不好了。
. k$ E8 o3 z' l/ AIBIS对于数字电路的一般就够了。3 T5 o- P4 c% |, x- m
不用太去关心 适用频段。0 `) k6 K0 A' p  l
呵呵

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9#
发表于 2008-11-13 01:11 | 只看该作者
IBIS 是可以仿真高频的, 但这要看多高频率,3GHz一下还是可以的,但要想更准确,还是要用Hspice.

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10#
发表于 2008-11-14 11:36 | 只看该作者
模型都有带宽的,IBIS模型仿真带宽比较小,毕竟是表格格式的

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11#
 楼主| 发表于 2008-12-2 09:23 | 只看该作者
原帖由 leixiaoyu 于 2008-11-14 11:36 发表 # K& I. m0 d' A3 T! S
模型都有带宽的,IBIS模型仿真带宽比较小,毕竟是表格格式的
, {; f; H: `9 B) m" T

' ?- {2 t+ M# _* B* _. R+ c烦劳详细解释
. ^0 v) z; O0 d6 _8 Y. x+ V+ t
1 `/ o: T3 M- l9 I0 P& K表格形式和带宽应该没有直接关系吧- o. z, b  ^4 j4 s. i) N
6 o( N7 J. J& t  A* w
倒是netlist会牵涉到带宽的问题

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12#
发表于 2008-12-2 21:43 | 只看该作者
当器件工作在晶体管的饱和与截止区时,IBIS模型缺乏足够详细的信息来描述,在瞬态响应的非线性区域,用IBIS模型仿真的结果不能像晶体管级模型那样产生精确的响应信息。然而,对于ECL类型器件,可以得到和晶体管级模型仿真结果很吻合的IBIS模型,原因很简单,ECL驱动器工作在晶体管的线性区域,输出波形更接近于理想的波形,按IBIS标准可以得到较为精确的IBIS模型。
# q" ~* v+ ~! X9 D7 y
" @% u, K; s4 ?! E; Z由于IBIS模型不适用于描述有源电路,对于许多有预加重电路进行损耗补偿的Gbps器件,IBIS模型并不合适。因此,在千兆位系统设计中,IBIS模型只有在下列情况下才可以有效工作: ' C( g1 p6 C4 b' t" ]: \
  1.差分器件工作在放大区(线性V-I曲线)
) m  u- t" r5 S6 l! ^6 e  2.器件没有有源预加重电路
" B3 S/ ?  W+ r( s0 w  3.器件有预加重电路但是没有启动(短的互联系统下启动预加重功能可能导致更差的结果)
! F. B) d) o. p' L  ?# s  4.器件有无源预加重电路,但是电路可以从器件的裸片上分离。 4 o8 k+ N2 G  ]% T3 k: w
  数据速率在10Gbps或以上时,输出的波形更像正弦波,这时Spice模型就更适用。

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13#
发表于 2008-12-3 21:56 | 只看该作者
IBIS 模型描述的是电路的行为特性而并不是它们的电路特性,有限的数据与精度决定了他不能在很高速情况下保证精确度,通常用于仿真1G内的数字电路。

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14#
 楼主| 发表于 2008-12-5 09:12 | 只看该作者
原帖由 xooo 于 2008-12-3 21:56 发表 - H7 W- A/ e3 h/ T0 P* x$ S
IBIS 模型描述的是电路的行为特性而并不是它们的电路特性,有限的数据与精度决定了他不能在很高速情况下保证精确度,通常用于仿真1G内的数字电路。
: c9 ~0 T9 |- n* W* P

5 K4 u: c& F1 ~* }: ?1 E( wIBIS就是个TABLE,表格大小应该不是主要的限制,至于精度,参照IBIS cookbook都晓得,IBIS模型对照spice模型的验证与校正也是建立IBIS模型的关键步骤之一。

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15#
发表于 2008-12-14 14:27 | 只看该作者
个人觉得,对ibis仿真精度影响最大的VT曲线。; {$ ]4 r# I: K1 D' z& h* n4 A
所以对于接收端的modeling来讲,ibis在很高的频率段仍然能有很好的精度;
3 W0 N- Y! b' O. ]0 C& W而对于发送端模型,
! ^, I, _9 h; s3 @一个是VT曲线的时间长度(T)决定了仿真的最高频率,对于高频仿真,T要很短,很难精确建模。
6 U- m3 a  j6 y" V* J- z7 M. @3 u另一个就是ibis对真正差分端口的modeling能力有限(特别是PN不够对称得时候),而高速信号又一般是差分信号,并带有预加重和均衡,这些ibis都无能为力。
# ^- f. P. |0 E9 c5 T9 c  V$ x
, R9 ~0 W* L& I. O- ]  Q但是情况可能在ibis5.0以后会改观,因为AMI扩展使用时频域混合的方法来进行建模仿真,这大大增强了ibis的建模能力。: r6 i7 I) }3 X1 W) F& \

0 \2 u9 i: b% ~9 j+ d# G说句题外话,一个模型重要的是它的质量,而不是格式。ibis模型经过精心设计,同样可以跑很高频率~~

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