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1、BGA(ballgridarray)
/ q7 u$ L$ g/ q# X" n) q 球形触点陈列，表面贴装型封装之一。在印刷基板的背面按陈列方式制作出球形凸点用以代替引脚，在印刷基板的正面装配LSI芯片，然后用模压树脂或灌封方法进行密封。也称为凸点陈列载体(PAC)。引脚可超过200，是多引脚LSI用的一种封装。 G9 d8 P: x- O, N* u6 M Y
封装本体也可做得比QFP(四侧引脚扁平封装)小。例如，引脚中心距为1.5mm的360引脚BGA仅为31mm见方；而引脚中心距为0.5mm的304引脚QFP为40mm见方。而且BGA不用担心QFP那样的引脚变形问题。
) v; `' v5 j# q 该封装是美国Motorola公司开发的，首先在便携式电话等设备中被采用，今后在美国有可能在个人计算机中普及。最初，BGA的引脚(凸点)中心距为 1.5mm，引脚数为225。现在也有一些LSI厂家正在开发500引脚的BGA。BGA的问题是回流焊后的外观检查。现在尚不清楚是否有效的外观检查方法。有的认为，由于焊接的中心距较大，连接可以看作是稳定的，只能通过功能检查来处理。
/ R. @9 w' r( X9 l; \6 ~ 美国Motorola公司把用模压树脂密封的封装称为OMPAC，而把灌封方法密封的封装称为GPAC(见OMPAC和GPAC)。 1 I- \+ z% V4 X) j& C
$ \! | j1 ]" J) i. v" t
7 i7 q: ?( k- B
/ k7 q7 J8 e" t% ^1 t" f 2、BQFP(quadflatpackagewithbumper)9 ]% z& K1 c0 q; c0 {- k* }1 |
带缓冲垫的四侧引脚扁平封装。QFP封装之一，在封装本体的四个角设置突起(缓冲垫)以防止在运送过程中引脚发生弯曲变形。美国半导体厂家主要在微处理器和ASIC等电路中采用& o3 S7 f2 J- p+ X, v0 R
此封装。引脚中心距0.635mm，引脚数从84到196左右(见QFP)。
( F8 q' w6 Z/ t/ l3 z* H 3、碰焊PGA(buttjointpingridarray)
4 v% i, u% F# w" I$ i4 i c 表面贴装型PGA的别称(见表面贴装型PGA)。- t. \, F! E2 d% l. ^
4、C－(ceramic)' G- A1 @# e v; K8 e# [9 j
表示陶瓷封装的记号。例如，CDIP表示的是陶瓷DIP。是在实际中经常使用的记号。
, j d) o" ]! \6 z) h3 k# J 5、Cerdip% B. h8 k4 D* t) C c5 Q
用玻璃密封的陶瓷双列直插式封装，用于ECLRAM，DSP(数字信号处理器)等电路。带有玻璃窗口的Cerdip用于紫外线擦除型EPROM以及内部带有EPROM的微机电路等。引脚中心距2.54mm，引脚数从8到42。在日本，此封装表示为DIP－G(G即玻璃密封的意思)。" V. w3 C1 E, R6 P9 y3 l
6、Cerquad
- M; f/ A7 P& H8 F# ?7 o9 X 表面贴装型封装之一，即用下密封的陶瓷QFP，用于封装DSP等的逻辑LSI电路。带有窗口的Cerquad用于封装EPROM电路。散热性比塑料QFP 好，在自然空冷条件下可容许1.5～2W的功率。但封装成本比塑料QFP高3～5倍。引脚中心距有1.27mm、0.8mm、0.65mm、0.5mm、 0.4mm等多种规格。引脚数从32到368。
6 l+ ?' a+ N% [8 L 7、CLCC(ceramicleadedchipcarrier)
/ K) } I* A, M4 \: E 带引脚的陶瓷芯片载体，表面贴装型封装之一，引脚从封装的四个侧面引出，呈丁字形。
9 ~+ Z0 s2 S+ ~! H3 }, j( e 带有窗口的用于封装紫外线擦除型EPROM以及带有EPROM的微机电路等。此封装也称为QFJ、QFJ－G(见QFJ)。
) I# U; L2 G7 z7 [; M 8、COB(chiponboard)
0 V7 r* _3 t+ q 板上芯片封装，是裸芯片贴装技术之一，半导体芯片交接贴装在印刷线路板上，芯片与基板的电气连接用引线缝合方法实现，芯片与基板的电气连接用引线缝合方法实现，并用树脂覆盖以确保可靠性。虽然COB是最简单的裸芯片贴装技术，但它的封装密度远不如TAB和倒片焊技术。& Z4 a, t! ^' i0 D# Z
9、DFP(dualflatpackage)
8 C% Z$ u, c( S" I/ `4 O4 Q 双侧引脚扁平封装。是SOP的别称(见SOP)。以前曾有此称法，现在已基本上不用。
8 P8 M1 B6 w/ V& I" n% S0 F 10、DIC(dualin-lineceramicpackage) A6 w/ z" s( B" G: h2 X
陶瓷DIP(含玻璃密封)的别称(见DIP)./ V# E3 [4 J2 C! C! O/ N* T; ?$ d
11、DIL(dualin-line)
' A: E, v X$ a DIP的别称(见DIP)。欧洲半导体厂家多用此名称。9 r- f* Z& V# O- c5 k0 ~; B! y
12、DIP(dualin-linepackage)
8 W+ J( O1 T! T( j 双列直插式封装。插装型封装之一，引脚从封装两侧引出，封装材料有塑料和陶瓷两种。DIP是最普及的插装型封装，应用范围包括标准逻辑IC，存贮器 LSI，微机电路等。引脚中心距2.54mm，引脚数从6到64。封装宽度通常为15.2mm。有的把宽度为7.52mm和10.16mm的封装分别称为 skinnyDIP和slimDIP(窄体型DIP)。但多数情况下并不加区分，只简单地统称为DIP。另外，用低熔点玻璃密封的陶瓷DIP也称为 cerdip(见cerdip)。
' P( T8 R9 O! H 13、DSO(dualsmallout-lint)
6 J' \: u* L6 c5 p7 p+ d 双侧引脚小外形封装。SOP的别称(见SOP)。部分半导体厂家采用此名称。4 A% V0 U- M) l" \9 d& t- l8 R
14、DICP(dualtapecarrierpackage)! W% ?' _' {0 k
双侧引脚带载封装。TCP(带载封装)之一。引脚制作在绝缘带上并从封装两侧引出。由于利
% S* n9 Z6 T1 Q+ ?4 _& B; s$ g( A O 用的是TAB(自动带载焊接)技术，封装外形非常薄。常用于液晶显示驱动LSI，但多数为定制品。另外，0.5mm厚的存储器LSI簿形封装正处于开发阶段。在日本，按照EIAJ(日本电子机械工业)会标准规定，将DICP命名为DTP。
) B( \2 a8 R Y1 l! H2 l2 c 15、DIP(dualtapecarrierpackage)/ H7 P7 G3 k+ O5 c
同上。, c7 P7 ^: ], r' c' G; I
日本电子机械工业会标准对DTCP的命名(见DTCP)。
$ [# ~0 y6 g. g9 n* x5 w 16、FP(flatpackage); M! A1 ?5 l4 {! D6 F0 A$ q& M$ |! M+ S: _
扁平封装。表面贴装型封装之一。QFP或SOP(见QFP和SOP)的别称。部分半导体厂家采用此名称。
5 x. T! f# B1 w- V0 i" q# L 17、flip-chip5 A, `5 c* Y% I! L/ U. I5 i
倒焊芯片。裸芯片封装技术之一，在LSI芯片的电极区制作好金属凸点，然后把金属凸点与印刷基板上的电极区进行压焊连接。封装的占有面积基本上与芯片尺寸相同。是所有封装技术中体积最小、最薄的一种。但如果基板的热膨胀系数与LSI芯片不同，就会在接合处产生反应，从而影响连接的可靠性。因此必须用树脂来加固LSI芯片，并使用热膨胀系数基本相同的基板材料。
; s S0 ?4 v. ?/ j0 p0 Q( }/ A$ V 18、FQFP(finepitchquadflatpackage)
1 `7 j8 |5 o' S 小引脚中心距QFP。通常指引脚中心距小于0.65mm的QFP(见QFP)。部分导导体厂家采用此名称。
; n; g e: J# V# H3 V6 o 19、CPAC(globetoppadarraycarrier)# ?9 _4 }+ @# W5 D
美国Motorola公司对BGA的别称(见BGA)。# f9 r9 E+ y3 b7 e1 X0 e
20、CQFP(quadfiatpackagewithguardring)
7 Q- ]- m) V0 ~* n7 r7 H. d3 o- l 带保护环的四侧引脚扁平封装。塑料QFP之一，引脚用树脂保护环掩蔽，以防止弯曲变形。: x0 n$ ~7 n/ _: u
在把LSI组装在印刷基板上之前，从保护环处切断引脚并使其成为海鸥翼状(L形状)。这种封装在美国Motorola公司已批量生产。引脚中心距0.5mm，引脚数最多为208左右。
: T$ b# t9 l/ O. z* X 21、H-(withheatsink)
p0 e+ D7 }' U& t 表示带散热器的标记。例如，HSOP表示带散热器的SOP。
; j" F3 m/ Y H; x 22、pingridarray(suRFacemounttype)/ f; a2 r9 c) a. s& O) h
表面贴装型PGA。通常PGA为插装型封装，引脚长约3.4mm。表面贴装型PGA在封装的底面有陈列状的引脚，其长度从1.5mm到2.0mm。贴装采用与印刷基板碰焊的方法，因而也称为碰焊PGA。因为引脚中心距只有1.27mm，比插装型PGA小一半，所以封装本体可制作得不怎么大，而引脚数比插装型多(250～52，是大规模逻辑LSI用的封装。封装的基材有多层陶瓷基板和玻璃环氧树脂印刷基数。以多层陶瓷基材制作封装已经实用化。
3 x& ~7 d& I! J" g4 T% a5 p 23、JLCC(J-leadedchipcarrier)
) d: _, F: M1 W J形引脚芯片载体。指带窗口CLCC和带窗口的陶瓷QFJ的别称(见CLCC和QFJ)。部分半导体厂家采用的名称。2 x1 B9 z6 I) ^6 G, K( @5 B
24、LCC(Leadlesschipcarrier)
Z) w$ ^+ f1 i, Q 无引脚芯片载体。指陶瓷基板的四个侧面只有电极接触而无引脚的表面贴装型封装。是高速和高频IC用封装，也称为陶瓷QFN或QFN－C(见QFN)。
; e' J E. _$ H 25、LGA(landgridarray)3 s C7 ^/ C) M: ?+ @
触点陈列封装。即在底面制作有阵列状态坦电极触点的封装。装配时插入插座即可。现已实用的有227触点(1.27mm中心距)和447触点(2.54mm中心距)的陶瓷LGA，应用于高速逻辑4 ^' f* B7 l* T; z
LSI电路。LGA与QFP相比，能够以比较小的封装容纳更多的输入输出引脚。另外，由于引线的阻抗小，对于高速LSI是很适用的。但由于插座制作复杂，成本高，现在基本上不怎么使用。预计今后对其需求会有所增加。$ u* x" j- P: k' z. b( G
26、LOC(leadonchip)
( s0 |0 f a* e8 }3 @6 T0 b& x2 w- T 芯片上引线封装。LSI封装技术之一，引线框架的前端处于芯片上方的一种结构，芯片的中心附近制作有凸焊点，用引线缝合进行电气连接。与原来把引线框架布置在芯片侧面附近的结构相比，在相同大小的封装中容纳的芯片达1mm左右宽度。) Z6 i/ R* \/ V V$ i
27、LQFP(lowprofilequadflatpackage)
' u$ ^ ?/ O. f* f) |5 J 薄型QFP。指封装本体厚度为1.4mm的QFP，是日本电子机械工业会根据制定的新QFP外形规格所用的名称。
. v( A' e4 r/ v! R$ b5 |- l3 y) R 28、L－QUAD0 b9 ~3 ?# ~5 r8 x5 @
陶瓷QFP之一。封装基板用氮化铝，基导热率比氧化铝高7～8倍，具有较好的散热性。封装的框架用氧化铝，芯片用灌封法密封，从而抑制了成本。是为逻辑 LSI开发的一种封装，在自然空冷条件下可容许W3的功率。现已开发出了208引脚(0.5mm中心距)和160引脚(0.65mm中心距)的LSI逻辑用封装，并于1993年10月开始投入批量生产。* [+ H" C3 ^+ W( k% Q" O9 s- w) ?) F
29、MCM(multi-chipmodule)! v6 y2 E2 W( j4 Y) l! y* G
多芯片组件。将多块半导体裸芯片组装在一块布线基板上的一种封装。根据基板材料可分为MCM－L，MCM－C和MCM－D三大类。
+ P4 [: v* S3 ]4 }( Z9 y MCM－L是使用通常的玻璃环氧树脂多层印刷基板的组件。布线密度不怎么高，成本较低。
- g$ y$ K, q6 c% K$ U MCM－C是用厚膜技术形成多层布线，以陶瓷(氧化铝或玻璃陶瓷)作为基板的组件，与使
& Z* q6 `: J, R 用多层陶瓷基板的厚膜混合IC类似。两者无明显差别。布线密度高于MCM－L。
" C7 l4 A, Y# u; P: ] c MCM－D是用薄膜技术形成多层布线，以陶瓷(氧化铝或氮化铝)或Si、Al作为基板的组件。
, i! S F1 [0 M @( g 布线密谋在三种组件中是最高的，但成本也高。) w9 R& x- y" L' i) ]8 ]
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发表于 2020-7-1 10:52
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