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ISSI生产的32Mb高速低功耗异步SRAM，这种创新的设计加强了ISSI对具有最高质量和性能的SRAM的长期承诺。32Mb SRAM在汽车A3温度范围（-40°C至+ 125°C）下提供12ns的访问时间。
$ X" c {2 a0 m) W# D# o8 v
, ?9 a5 A# Q9 v; j. W0 L) H8 h$ FISSI IS61 / 64WV204816ALL / BLL是高速32M位静态RAM，组织为2048K字乘16位。它是使用ISSI的高性能CMOS技术制造的。7 A5 d) D. z% f9 c$ H7 k
# \" o# n0 x5 @# V6 b- z: \, Q: K这种高度可靠的工艺加上创新的电路设计技术，可生产出高性能和低功耗的设备。 F+ X5 }( d% l. @
, G3 l: |0 C% o0 w$ A当CS＃为高电平（取消选择）时，器件将进入待机模式，在该模式下，可以通过CMOS输入电平降低功耗。使用芯片使能和输出使能输入可轻松扩展存储器。激活的LOW Write Enable（WE＃）控制存储器的写入和读取。数据字节允许访问高字节（UB＃）和低字节（LB＃）。. {0 ?3 i3 ~3 ~* d7 v
! O" V. [8 W" s$ q, _
该器件采用JEDEC标准的48引脚TSOP（TYPE I）和48引脚微型BGA（6mm x 8mm）封装，应用范围在汽车/工业/医疗/电信/网络等。1 r z+ h, c: Q0 z$ O+ K
' _1 c! S- _, e, K3 p# J( w8 u5 E) s' G( g
| IS61WV204816BLL (I) | IS64WV204816BLL (A3) | 注释 | 温度支持 | 工业
# |' ^" N- f4 e; p/ Z$ x(-40°C to +85°C) | 汽车" B" @5 L5 s |6 `, h5 c
(-40°C to +125°C) |
8 D6 F N3 v- G
| 技术 | 40nm | 40nm | & o7 G! E1 Q$ J; I& _4 l- Z2 F
| 电源电压 | 2.4V ~ 3.6V | 2.4V ~ 3.6V |
: P5 @" e( o9 A2 X+ E" i8 E9 ^
| 工作电流（最大） | 100mA | 135mA | & V0 ~/ M- k5 Q- |- B1 i
| 待机电流（Typ） | 10mA | 10mA |
( E6 A5 Q; c+ V, k; K; N, J }
| 包装 | TSOP-I（48针）' f' {4 s7 C9 A
BGA（48球） | TSOP-I（48针）. \1 O' i& C9 c# Y! n4 _/ G3 X
BGA（48球） | 引脚兼容
, n0 D3 [ x& ^- k/ V0 e6 I16Mb异步SRAM | 速度 | 10ns | 12ns |
* ~/ g, k' J2 n
| 铜引线框 | 是 | 是 | 5 `3 {- Z% u& Q7 S* L8 i
| 无铅PKG | 是 | 是 | 符合RoHS |
`: R2 S- i+ m s- z
1 ]1 }3 h* m3 G% Y2 v9 {2 ~SRAM存储器是随机存取存储器之一。每个字节或字都有一个地址，可以随机访问。 SRAM支持三种不同的模式。每个功能在下面的“真值表”中进行了描述。! X8 \ l! h1 z: ^( E( |
6 _) T$ p7 E; Z待机模式
3 s0 ]) D3 z h( b9 B4 s" L. W, s7 {0 j取消选择时，设备进入待机模式（CS＃高）。输入和输出引脚（I / O0-15）处于高阻抗状态。此模式下的CMOS输入将最大程度地节省功率。
" N' [1 p0 H; D
. E! ]5 g) Y% s9 b9 l* O' ?# y写模式
; n; ]) u5 N# W5 u8 H. X( T+ R选择芯片（CS＃）且写使能（WE＃）输入为LOW时发生写操作问题。输入和输出引脚（I / O0-15）处于数据输入模式。即使OE＃为LOW，在此期间输出缓冲区也会关闭。 UB＃和LB＃启用字节写入功能。通过将LB＃设为低电平，将来自I / O引脚（I / O0至I / O7）的数据写入地址引脚上指定的位置。且UB＃为低电平时，来自I / O引脚（I / O8至I / O15）的数据被写入该位置。
: c0 ~9 a U v, E8 |) ]+ g* T : x" ~; ~ P: l: U- t
读取模式
4 j- X9 j' {6 O. J( e* v8 d Q选择芯片时（CS＃为低电平），写使能（WE＃）输入为高电平时，读操作出现问题。当OE＃为LOW时，输出缓冲器打开以进行数据输出。不允许在读取模式下对I / O引脚进行任何输入。 UB＃和LB＃启用字节读取功能。通过启用LB＃LOW，来自内存的数据出现在I / O0-7上。且UB＃为低电平时，来自内存的数据出现在I / O8-15上。
1 `0 J1 B$ H. u
; T' b. R6 C8 z0 E5 o" s7 d3 o在读取模式下，可以通过将OE＃拉高来关闭输出缓冲器。在此模式下，内部设备作为READ操作，但I / O处于高阻抗状态。由于器件处于读取模式，因此使用有功电流。
+ q8 @3 P: S) k
" D* V F7 r& C8 U" l上电初始化8 \) B: ?- G, b' a# s
该器件包括用于启动上电初始化过程的片上电压传感器。6 D" }3 z) r5 c( J3 K \7 }: J
当VDD达到稳定水平时，器件需要150us的tPU（上电时间）来完成其自初始化过程。/ w0 y. C1 \9 k0 q- h
初始化完成后，设备即可正常运行。
0 Y: j U" k. ]- V# p7 w& V6 o9 J$ Q [, @/ D( T
' T8 N& \5 |9 j- E1 e. t0 k规格书下载3 x2 F9 J6 A3 i3 d% a* Y
IS61-64WV204816ALL_BLL.pdf
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) a5 X: ] i4 S1 s |
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发表于 2020-5-27 14:28
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