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美国ISSI主要产品是高速低功耗SRAM和中低密度DRAM。主要为汽车，通信，数字消费者以及工业和医疗等市场提供存储器产品。IS62WV102416DBLL是超低功耗CMOS 16Mbit静态RAM，组织为1M字乘16位。它是使用ISSI的高性能CMOS技术制造的。这种高度可靠的工艺加上创新的电路设计技术，可生产出高性能和低功耗的设备。 IS62WV102416DALL/DBLL和IS65WV102416DALL / DBLL封装在48引脚TSOP（I型）中。! S7 c2 h! E8 e# |7 \6 O$ x
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功能说明, |0 u0 i' i! |, `( _2 j2 s" o
SRAM是随机存取存储器之一。每个字节或字都有一个地址，可以随机访问。 SRAM支持三种不同的模式。! q$ f6 L& o6 q0 `9 k9 l/ o
/ E2 } V) |1 l+ X待机模式
, \! F: _* V7 ~2 I! _取消选择时，设备进入待机模式（HIGH或CS2 LOW或两者都为HIGH）。输入和输出引脚（I / O0-15）处于高阻抗状态。根据输入电平，此模式下的电流消耗为ISB1或ISB2。此模式下的CMOS输入将最大程度地节省功率。) T2 G& ^/ Y% h8 D" |9 R, `) n
% ^) n9 N' p) s$ Y7 o3 w$ w写模式! y% O5 x! p# l: \: W+ H7 S
选择芯片时（LOW和CS2 HIGH），写使能（）输入LOW时的写操作问题。输入和输出引脚（I / O0-15）处于数据输入模式。即使为LOW，在此期间输出缓冲区也会关闭。并启用字节写入功能。通过启用LOW，来自I / O引脚（I / O0至I / O7）的数据被写入该位置。
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* G2 f% i+ r" }6 L E$ m' f+ p& t7 I0 w在地址引脚上指定。处于低电平时，来自I / O引脚（I / O8至I / O15）的数据被写入该位置。2 L" |9 |' B9 K" I
6 ~: b9 T; z6 o+ }. Q: e
读取模式
1 x8 e% l& I+ i8 C* e8 f4 r选择芯片时（LOW和CS2为HIGH），写使能（）输入为HIGH时，读操作出现问题。当为低电平时，输出缓冲器打开以进行数据输出。不允许在读取模式下对I / O引脚进行任何输入。并启用字节读取功能。通过启用LOW，来自存储器的数据出现在I / O0-7上。处于低电平时，来自内存的数据将出现在I / O8-15上。
8 N2 b `7 P. P* X$ ]+ R; m ) M- } M6 c2 q* p. y V
在读取模式下，可以通过拉高来关闭输出缓冲器。在此模式下，内部设备作为READ操作，但I / O处于高阻抗状态。由于器件处于读取模式，因此使用有功电流。- E; X* d; m0 y6 {5 ~
9 [# x0 Z6 P' D) k) S; B9 U3 h$ c
工作温度范围
@& U3 f3 Q6 m9 ^) F! m6 z商用工作温度为0°C至+ 70°C ，电压为2.2V 3.3V 3.6V7 o( \5 z& Z, @; D5 n9 ~# Q; V' m
工业工作温度为-40°C至+ 85°C ，电压为2.2V 3.3V 3.6V
9 c& j5 x6 t6 w$ V8 `- d汽车类工作温度为 -40°C至+ 125°C，电压为2.2V 3.3V 3.6V
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ISSI 低功耗SRAM
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62-65WV102416DALL-DBLL.pdf
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发表于 2020-5-26 14:43
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