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三相逆变器的鲁棒性怎么提高?

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发表于 2020-4-20 11:27 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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变频驱动器(VFD)是工业自动化机械的重要组成部分。它们能够高效地驱动泵、风扇、传送带、计算机数控机床和机器人自动化解决方案,有助于降低工厂的总能耗。若VFD发生故障会直接导致机器停机,进而造成工厂停工和生产损失。因此,VFD的可靠性和鲁棒性是机器制造商和工厂业主的关键要求。9 a* V" M- L7 _1 ^4 p
图1所示的三相逆变器结构是VFD的核心,能够将整流后的电源电压转换为输出到电机的可变频率和可变电压。逆变器的鲁棒性是确保VFD鲁棒性的关键要素。该项技术由德州仪器研发。
4 N+ R5 Y( v) s( r1 N# P - ~3 R2 b+ T7 m4 @5 N) {
带隔离栅极驱动器的三相逆变器
1 A* P8 m: S5 }3 n& ], N# g9 l# m三相逆变器的关键组件是绝缘栅双极晶体管(IGBT)电源开关(通常集成在单个IGBT模块内)和控制IGBT栅极的隔离栅极驱动器。微控制器(mcu)产生彼此互补的高侧和低侧脉冲宽度调制(PWM)信号,在PWM信号转换期间插入死区时间。该死区时间确保顶部和底部IGBT栅极信号不会同时为高电平。
; z/ Y, {1 o- F6 h8 eMCU硬件故障或电机控制软件故障可能导致MCU的高侧和低侧PWM信号锁存为高电平。结果通过顶部和底部IGBT的交叉传导,导致直流总线短路。将电流传感器插入直流总线可检测过流情况,并通过栅极驱动器的启用/禁用管脚或将PWM信号驱动到栅极驱动器的缓冲器来禁用栅极驱动器。感测过流和关机之间的延迟通常为几微秒。但是,多次重复该感测序列会降低IGBT开关的可靠性和寿命。IGBT开关为VFD内部最昂贵的半导体元件。
6 c. M+ I; z; {; e) N" W) b但如果两个栅极驱动器都没有响应伪PWM序列呢?无需使用额外的外部硬件,使用联锁法即可实现。
0 ^% ?( `$ i( Y- `联锁高侧和低侧栅极驱动器
4 l6 R2 s  Z! @3 h在图2所示的这种配置中,高侧驱动器仿真二极管的阳极连接到低侧驱动器仿真二极管的阴极。高侧驱动器仿真二极管的阴极连接到低侧驱动器仿真二极管的阳极。* p( p9 W: ~( d( T0 l! ~
0 M# G1 s! u" r" u: P; l1 _7 [  ]5 L
联锁电路配置4 _. U: Z0 A" D, Q: ^+ B
德州仪器在“具有光模拟输入栅极驱动器的200-480 VAC驱动器的三相逆变器参考设计”中测试了联锁电路配置的应用。8 N0 l* v2 _+ s8 P2 _: ?5 K! T
用于200-480 VAC驱动器的三相逆变器参考设计
) j' N4 g% r. h  N8 D0 |4 ~0 a4 @立即下载设计7 \$ P$ {4 H8 I: {9 L
如图3所示,在正常工作期间,PWM脉冲是互补的,要么正向偏置UCC23513的输入仿真二极管,要么反向偏置缓冲驱动电压为-5 V的隔离栅极驱动器。高反向电压UCC23513的仿真二极管可处理联锁配置中出现的反向电压。而电流控制电容隔离栅极驱动器不具有高反向电压处理能力,且不能联锁。在死区时间内,仿真二极管两端的电压为0 V。; z$ i# I, t& X2 b
( h, M8 X0 G* U  q; `
带联锁的正常PWM操作
5 ~* j0 v# p* b4 G% g  d. k( F有目的地插入负死区时间可让您检查联锁电路对来自MCU的故障PWM信号的响应。若两个MCU输出均为高电平,则栅极驱动器的输出为低电平。无论输入PWM信号如何,高侧和低侧栅极驱动器的输出都不会同时变为高电平,从而防止交叉传导。9 ~$ z& h1 @2 [- s$ Z3 D- v

: a4 q) g) g7 L* y1 |5 q$ y6 ?
MCU PWM输出
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栅极驱动器的输出
) l( `8 d4 l& Y4 t
高侧PWM
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低侧PWM
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高侧PWM& r% Z0 p3 A+ M& Z% f" c4 }5 z4 W
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1:联锁操作
1 F; @5 P# g6 c- U" j$ J您可将传统的光隔离栅极驱动器联锁,但它们不能带来更多的好处,比如更高的工作隔离电压;更高的共模瞬变抗扰度;在高达150°C的结温下工作,以及诸如较低的传播延迟和较低的脉冲宽度失真等改进的开关参数。' U8 W3 h& w/ L8 b
UCC23513采用业界标准的六管脚小外形封装,您无需任何额外的原理图或印刷电路板设计更改,即可通过简易交换轻松升级现有VFD中的逆变器。
: _; H. z3 V% k. |1 z6 A( c2 K* C9 t

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发表于 2020-4-20 13:44 | 只看该作者
MCU硬件故障或电机控制软件故障可能导致MCU的高侧和低侧PWM信号锁存为高电平
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