TA的每日心情 | 慵懒 2020-8-28 15:16 |
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目前倒装芯片逐渐成为主流的封装互连技术。传统的FCBGA的发展趋势如下:! O, F1 h6 K2 c8 m, {
1. 凸点节距: @3 c. e! `: T2 n ~! g: f2 T
a. 减小凸点节距能够提高I/O密度;$ V' _4 O4 k; `; o
b. 节距变化趋势:250um逐渐降低至75um,CP bump节距可以做到更低;% x6 h b( A2 d2 K1 m
2. 焊锡凸点沉积方法: 蒸镀-->丝网印刷-->电镀;
1 L5 P S* n! f n3. bump焊料组分:高铅-->共晶-->无铅(Sn-Ag)-->Cu柱节距<125um;
& k- F& r0 Y; F a5 D! D4. 封装组成: 陶瓷基板-->高密度互连层压基板-->预浸层压基板-->低热膨胀系数层压基板-->无芯基板;
3 }/ Z# B- }# a0 `5. 封装结构: 密封单片盖(SPL)-->非密封单片盖-->加强筋+盖子-->裸芯片-->模塑
# D; s, C+ W2 ]# X+ G
3 ~8 P+ k- y1 W$ y 现在由于小节距阵列和无铅化要求,晶圆制造中容易出现高应力的凸点结构以及脆弱的层间电解质层。以上材料的特性在封装过程中容易出现可靠性不稳定的情况,如ILD(电介质层)开裂,UBM分层,凸点开裂,或其他与应力有关的问题。解决此类问题,封装工程师需要向晶圆制造商询问硅叠层及其有关强度的情况。以及在以下方面进行调查;" T% h+ @7 {" W
1. 顶层Cu或Al的厚度;
3 _# e# H) z q3 k$ B2. 非ELK覆盖层数;
* f& h5 ~+ s- }5 b8 m0 D; F8 g3. 通孔密度;: q- ]/ \2 u" X; ]( ]
4. 硅一侧凸点焊盘开口;
, V7 T$ m8 f$ Q- s2 ]% S3 [5. 凸点UBM的直径和高度;
; j, U) [! F" {4 {4 i, d# m$ ]6. 在凸点结构下方添加钝化层,如聚酰亚胺(PI)或PBO;- I. t( M. _% r. p! \0 |
7. UBM叠层,如厚度和材料;2 Q2 q) l0 ]3 K' J. X6 `0 z
8. PCB焊盘尺寸及阻焊层开口(SMO);
# N$ P) H" `) W6 S9. UBM/SMO对比;% e& r( b |$ @' C5 z* d' |+ q. N
10. UBM应力;! Y: _% H6 T+ d% e
11. 芯片/封装之比;* `8 x2 C; c4 T2 v
12.底部填充材料;如高Tg
- C- o& k' d" G0 p Q% p* j" T+ Z1 F13. 回流温度曲线,如缓慢冷却;
& l6 P+ r, X. R( Z" Z: }' l14. 增加密封盖或其他强度更高的结构单元;% e8 a, q ]7 W$ i0 g. k- ]
15. 基板芯材及厚度;3 g; ]1 e' \. y$ M
16.基板热膨胀系数
. e% |9 ^# F4 w6 D7 j( z T% ]5 ^( i4 J/ z3 T1 C
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