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倒装芯片的发展趋势

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  • TA的每日心情
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    2020-8-28 15:16
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    [LV.1]初来乍到

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    发表于 2020-12-3 13:40 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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    目前倒装芯片逐渐成为主流的封装互连技术。传统的FCBGA的发展趋势如下:! O, F1 h6 K2 c8 m, {
    1. 凸点节距:  @3 c. e! `: T2 n  ~! g: f2 T
    a. 减小凸点节距能够提高I/O密度;$ V' _4 O4 k; `; o
    b. 节距变化趋势:250um逐渐降低至75um,CP bump节距可以做到更低;% x6 h  b( A2 d2 K1 m
    2. 焊锡凸点沉积方法: 蒸镀-->丝网印刷-->电镀;
    1 L5 P  S* n! f  n3. bump焊料组分:高铅-->共晶-->无铅(Sn-Ag)-->Cu柱节距<125um;
    & k- F& r0 Y; F  a5 D! D4. 封装组成: 陶瓷基板-->高密度互连层压基板-->预浸层压基板-->低热膨胀系数层压基板-->无芯基板;
    3 }/ Z# B- }# a0 `5. 封装结构: 密封单片盖(SPL)-->非密封单片盖-->加强筋+盖子-->裸芯片-->模塑
    # D; s, C+ W2 ]# X+ G
    3 ~8 P+ k- y1 W$ y    现在由于小节距阵列和无铅化要求,晶圆制造中容易出现高应力的凸点结构以及脆弱的层间电解质层。以上材料的特性在封装过程中容易出现可靠性不稳定的情况,如ILD(电介质层)开裂,UBM分层,凸点开裂,或其他与应力有关的问题。解决此类问题,封装工程师需要向晶圆制造商询问硅叠层及其有关强度的情况。以及在以下方面进行调查;" T% h+ @7 {" W
    1. 顶层Cu或Al的厚度;
    3 _# e# H) z  q3 k$ B2. 非ELK覆盖层数;
    * f& h5 ~+ s- }5 b8 m0 D; F8 g3. 通孔密度;: q- ]/ \2 u" X; ]( ]
    4. 硅一侧凸点焊盘开口;
    , V7 T$ m8 f$ Q- s2 ]% S3 [5. 凸点UBM的直径和高度;
    ; j, U) [! F" {4 {4 i, d# m$ ]6. 在凸点结构下方添加钝化层,如聚酰亚胺(PI)或PBO;- I. t( M. _% r. p! \0 |
    7. UBM叠层,如厚度和材料;2 Q2 q) l0 ]3 K' J. X6 `0 z
    8. PCB焊盘尺寸及阻焊层开口(SMO);
    # N$ P) H" `) W6 S9. UBM/SMO对比;% e& r( b  |$ @' C5 z* d' |+ q. N
    10. UBM应力;! Y: _% H6 T+ d% e
    11. 芯片/封装之比;* `8 x2 C; c4 T2 v
    12.底部填充材料;如高Tg
    - C- o& k' d" G0 p  Q% p* j" T+ Z1 F13. 回流温度曲线,如缓慢冷却;
    & l6 P+ r, X. R( Z" Z: }' l14. 增加密封盖或其他强度更高的结构单元;% e8 a, q  ]7 W$ i0 g. k- ]
    15. 基板芯材及厚度;3 g; ]1 e' \. y$ M
    16.基板热膨胀系数
    . e% |9 ^# F4 w6 D7 j( z  T% ]5 ^( i4 J/ z3 T1 C

    该用户从未签到

    2#
    发表于 2020-12-3 13:56 | 只看该作者
    密封单片盖(SPL)-->非密封单片盖-->加强筋+盖子-->裸芯片-->模塑
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